본 논문은 일반적인 SPICE 시뮬레이터에서 사용 가능한 PCB 평판 해석 모형을 제안한다. 제안된 모형은 주파수에 따라 증가하는 두 가지 손실, 즉, 표피 손실과 유전 손실의 영향을 반영한다. 평판은 메시(mesh) 구조로 조각을 낸 후, 각각의 단위모형은 전송선 소자와 손실 모형을 이용하여 모형화된다. 손실 모형은 DC 손실을 위해서 하나의 저항이 요구되고, 표피 손실을 위해 직렬 RL ladder 회로, 유전 손실을 위해서 직렬 RC ladder 회로가 요구된다. 제안된 모형의 검증을 위해 주파수 가변저항을 사용한 SPICE ac 해석결과를 통해 비교하고, 전형적인 데스크탑 PC용 FR4 4층 PCB 적층 구조를 만들어 VNA 측정치와도 비교할 것이다. 이 모형은 RLGC 수동 소자들로만 구성되므로 주파수 영역 및 시간 영역에서도 다양한 선형/비선형 소자들과 결합하여 과도 해석이 가능하다.
본 논문에서는 접지평면위에 2개의 유전체 층을 가지는 저항띠 격자구조에서의 전자파 산란 문제를 수치해석 방법으로 잘 알려진 PMM 방법을 적용하여 저항띠의 저항을, 유전체층의 비유전율 및 두께, 입사각에 따라 수치해석하였다. 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 저항띠의 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립 위의 전류와의 관계를 위해 적용하였다. 유전체층의 비유전율 및 두께가 커질수록 정규화된 반사전력이 커짐을 알 수 있었고, 스트립 폭의 값이 왼쪽에서 오른쪽으로 가면서 큰 값으로 이동하였다. 그리고 본 논문의 저항율이 영일 때 기존의 논문과 비교하여 매우 일치하였으며, 급변점에서의 대부분의 에너지는 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다.
Objective: The purpose of this study was to understand the injury mechanism and to provide quantitative data to use in prevention or posture correction training by conducting kinematic and kinetic analyses of risk factors of lower extremity joint injury depending on the change of direction at different angles after a landing motion. Method: This study included 11 men in their twenties (age: $24.6{\pm}1.7years$, height: $176.6{\pm}4.4cm$, weight: $71.3{\pm}8.0kg$) who were right-leg dominant. By using seven infrared cameras (Oqus 300, Qualisys, Sweden), one force platform (AMTI, USA), and an accelerometer (Noraxon, USA), single-leg drop landing was performed at a height of 30 cm. The joint range of motion (ROM) of the lower extremity, peak joint moment, peak joint power, peak vertical ground reaction force (GRF), and peak vertical acceleration were measured. For statistical analysis, one-way repeated-measures analysis of variance was conducted at a significance level of ${\alpha}$ <.05. Results: Ankle and knee joint ROM in the sagittal plane significantly differed, respectively (F = 3.145, p = .024; F = 14.183, p = .000), depending on the change of direction. However, no significant differences were observed in the ROM of ankle and knee joint in the transverse plane. Significant differences in peak joint moment were also observed but no statistically significant differences were found in negative joint power between the conditions. Peak vertical GRF was high in landing (LAD) and after landing, left $45^{\circ}$ cutting (LLC), with a significant difference (F = 9.363, p = .000). The peak vertical acceleration was relatively high in LAD and LLC compared with other conditions, but the difference was not significant. Conclusion: We conclude that moving in the left direction may expose athletes to greater injury risk in terms of joint kinetics than moving in the right direction. However, further investigation of joint injury mechanisms in sports would be required to confirm these findings.
본 논문은 결함 접지 구조(defected ground structure, DGS)를 삽입하여 소형화한 증폭기의 개선된 전력 성능을 언급하고 있다. DGS에 의한 부가적인 등가성분에 의하여 전파 지연 특성과 전기적 길이 증가 현상이 나타나는데, 이 성질을 이용하면 DGS를 포함한 전송 선로의 전기적 길이를 원래와 같게 유지하기 위하여 물리적 길이를 줄일 수 있다. 물리적 길이를 줄이더라도 전기적 길이는 같으므로 표준 증폭기(original amplifier)의 정합과 성능이 그대로 유지된다. DGS를 삽입하여 길이를 줄인 전송 선로는 증폭기의 원하는 동작주파수에서는 손실이 거의 없지만 하모닉 주파수에서는 일정량의 손실이 있으므로, 소형화된 증폭기(size-reduced amplifier)가 표준 증폭기보다 근 우수한 하모닉 차단 특성을 근본적으로 내재하고 있다. 따라서 출력측에서 검출되는 하모닉 성분의 크기가 표준 증폭기보다는 더 작을 것으로 예측할 수 있다. 이를 확인하기 위하여 표준 증폭기와 DGS로 소형화한 증폭기의 전력 성능을 측정한 결과, 소형화한 증폭기의 2차 하모닉, IMD3 성분, ACPR이 각각 5 dB, 2-6 dB, 1-4 dB가 개선되었다.
MOSFET는 속도의 증가, 전력 감소 그리고 집적도 증가를 위한 끊임없는 요구에 대응하여 최근 10년간 많은 변화를 겪었다. 그로 인한 스켈링이론이 부각되었고 풀 밴드 Monte Carlo 디바이스 시뮬레이터는 다른 형태의 n-channel MOSFET 구조에서 hot carrier에 대한 디바이스 스켈링의 효과를 연구하는데 사용되었다. 본 연구에서는 단일 Source/Drain 주입의 Conventional MOSFET와 저도핑 Drain(LDD) MOSFEI 그리고 MOSFET을 고도핑된 ground plane 위에 적충하여 만든 EPI MOSFET에 대하여 TCAD(Technology Compute. Aided Design)를 사용하여 스켈링 및 시뮬레이션하였다. 스켈링방법은 Constant-Voltage 스켈링을 사용하였고 시뮬레이션 결과로 스켈링에 대한 MOSFET의 특성과 임팩트 이온화, 전계를 비교 분석을 통해 TCAD의 실용성을 살펴보았고 스켈링을 이해하기 위한 물리적인 토대를 제시하였다.
본 논문에서는 hairpin 발진기의 위상잡음을 개선시키기 위하여 접지면에 aperture를 구현하였다. Aperture를 마이크로스트립 hairpin 공진기에 적용함으로써 결합계수의 증가로 인해 마이크로스트립라인이 가지고 있는 Q값을 증가시켰다. 기존의 마이크로스트립 hairpin 발기와 비교하였을 때 aperture를 적용한 발진기가 위상잡음을 100 KHz offset에서 약 19 ㏈c 개선시켰다. 출력단에 PBG 구조를 연결함으로써 하모닉 특성이 우수한 발진기를 제작하였다. 5.8 ㎓ 대역이고, 출력전력은 0.67 ㏈m을 2차 하모닉과 -53.67 ㏈c의 특성을 획득하였다.
A new simplified circuit model for the switching noise analysis of the complicated multi-layer IC package is developed. The current flowing mechanism on the ground and power planes of the package is simplified by using the dependent current soures and partial plane circuit model. The methodology is very cost-efficient as well as accurate. It is demonstrated that the nosie based on the simplified circuit model has an excellent agreement with that of the complicated full circuit model. However, the simplified model takes only 5 minutes for the switching noise simulation, while the full circuit model takes more than 4 hours.
본연구의 목적은특성엄피던스가서로다른션로가상호접속되어 있을때,외부전자파에 의해 전송선 로에 유기되는 전류를 해석하기 위한 효과적인 방법을 제안하는 데 었다. 이것은 전송선로 해석을 위해 비동차 미분방정식을 상태변수법으로 풀이하는 과정에서 얻어지는 천이행렬의 특성을 이용한 것으로 전송선로모델의 1차측과2차측을상호 변환시킬 수 있는새로운 전환기법이다. 이 방법을 이용하여 완전 도체명연 위의 전송선로모텔에 대한 유기전력의 특성을 시율레이션 결과를 통해 평가하였다.
Journal of information and communication convergence engineering
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제10권2호
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pp.123-128
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2012
In communication systems, there are various types of microstrip antenna that can be used for many applications. This paper mainly focuses on the simple design of an inset rectangular microstrip patch antenna to operate at a frequency of 2.45 GHz for rectenna design. The study involves using an high frequency structure simulator to design the antenna dimensions and to determine its performance. This antenna is based on a thickness of 1.6 mm flame retardant 4 (FR-4) substrate having a dielectric constant of approximately 4.7, an inset feed, and a ground plane. After simulation, the antenna performance characteristics such as its return loss, voltage standing wave ratio, gain, and radiation pattern were obtained and compared with the fabricated measured antenna.
The attenuation of millimeter waves (70-100 ㎓) propagating along Josephson Junction stripline had been measured by pattern recognition near gap voltage and proximity current bump. Test series arrays of 2000, 3000, and 4000 Josephson junctions with the area of $12\mu\textrm{m}$$\times$$38\mu\textrm{m}$ had two sub-arrays with 50 Junctions at both ends. The arrays were fabricated with and without applying a plasma nitridation process to Nb ground plane. The effects of a nitridationprocess measured by the pattern recognition near gap voltage and proximity current bump were about 1.3-1.7 ㏈ and 1.6-1.8 ㏈, respectively. This means that the last sub-arrays with a nitridation process receive 26-34% more power than those without a nitridation process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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