• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.724-728
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• 2004

This paper describes on RIE(Reactive Ion Etching) characteristics of 3C-SiC(Silicon Carbide) grown on Si(100) wafers. In this work, CHF$_3$ gas was used to form the polymer as a function of a side-wall for excellent anisotropy etching during the RIE process. The ranges of the etch rate were obtained from 60 $\AA$/min to 980 $\AA$/min according to the conditions such as working gas pressure, RF power, distance between electrodes and the $O_2$ addition ratio in working gas pressure. Under the condition such as 100 mTorr of working gas pressure, 200 W of RF power and 30 mm of the distance between electrodes, mesa structures with about 40 of the etch angle were formed, and the vertical structures could be improved with 50 % of $O_2$ addition ratio in reactive gas during the RIE process. As a result of the investigation, we know that it is possible to apply the RIE process of 3C-SiC using CHF$_3$ for the development of electronic parts and MEMS applications in harsh environments.

• 한국염색가공학회:학술대회논문집
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• 한국염색가공학회 2009년도 학술발표대회
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• pp.14-20
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• 2009

Atmospheric pressure air plasma was applied for treatment of different kinds of natural bamboo fiber to improve their mechanical properties and surface characteristics, which are suitable for adhesion and dyeing. The tensile strength and Young modulus of bamboo fiber were significantly improved; SEM and AFM study show that the surface of fiber became cleaner and rougher after plasma treatment. Plasma treatment caused the cracking, removing of the protective skin of alkali-untreated fiber and etching to form a cleaner and rougher surface. The dyeability of both groups of bamboo fiber which are used for composite and textile purposes is significantly enhanced after treatment.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제16권6호
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• pp.168-174
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• 2007

A ceramic glass mold was developed for micro hot-embossing and replicated polymer parts are fabricated. The glass-ceramic micro mold could be fabricated with a laser process and a wet etching process and the fabrication time could be saved a lot. Various polymer micro structures can be obtained by hot-embossing. The process parameters such as ho-embossing temperatures or pressures were investigated and optimized. This process can be applied for fabrication of micro structures for flip-chips or micro fluidic channels for bio-engineering. The advantages and disadvantages of this process are discussed, too.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.110-110
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• 2009

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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• 한국현미경학회 2003년도 제34차 추계학술대회
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• pp.47-48
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• 2003

• 폴리머
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• 제26권6호
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• pp.718-727
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• 2002

본 연구에서는 최종 복합재료의 기계적 계면특성을 향상시키기 위하여 산소 분위기 하에서 반응성 기체를 사용하는 이온 보조 반응법에 의해 탄소섬유 표면에 Ar+ 이온 빔을 조사하였다. 그리고, 단일 섬유 pull-out 시험을 실시하여 가해진 이온 에너지 세기에 대한 수지 내의 섬유의 뽑힘 정도를 측정한 후 Greszczuk의 .기하학적 모델에 기초하여 섬유/매트릭스 간의 계면특성을 알아보고자 하였다. 그 결과, 탄소섬유를 이온 빔으로 처리함에 따라 섬유와 매트릭스 간의 부착력 증가의 원인이 되는 섬유축 방향으로의 표면 etching 및 반응성 그룹이 형성되어 계면 전단강도가 향상되었으며 0.8 keV 이온 빔 세기에서 최대값을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1702-1703
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• 2011

MEMS 소자의 Wafer level Package 관련하여 Deep cavity를 가진 Cap Wafer와 Polymer bonding 중 cavity 단차로 인한 Polymer Patterning 및 접합 불량의 어려움을 극복할 수 있는 새로운 공정 flow를 제안하였다. Cavity를 형성할 때 사용하는 Si deep etching Mask인 기존의 Photoresist를 접합용 감광성 Polymer로 대체하고, cavity 형성 후, 별도의 추가 공정 없이 이 Polymer를 이용해 Wafer bonding을 진행하였다. 이를 통해 cavity 단차에 따른 문제를 해결함과 동시에 공정이 단순하고 제작 비용이 저렴하며, 신뢰성 있는 Wafer level Package를 구현하였다.

• 한국진공학회지
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• 제6권4호
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• pp.321-325
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• 1997

LCD용 칼라 필터를 제작하는 방법으로 감광성 고분자(photosensitive polymer)에 광 리소그라피(photolithography)기술이 많이 이용되어지고 있다. 이로 인해 감광성 고분자 표 면의 물리적, 화학적 성질이 변하게 되는데, 이는 후속 공정인 플라즈마 식각이나 ITO 전극 의 증착 등에도 많은 영향을 주므로, 각 공정에 따른 이들 고분자의 표면 연구는 매우 중요 하다. 본 논문에서는 blue 칼라 필터의 고분자 표면에 대한 연구를 SIMS와 XPS를 이용하 여 수행하였으며, 표면의 거칠기 변화를 AFM을 통해 관찰하였다. SIMS와 XPS결과로부터 초기 공정인 blue 칼라 필터를 스핀 코팅하고 pre bake한 상태에서는 주로 칼라 필터의 주 성분인 단량체와 결합제의 고분자 물질이 표면에 드러나 있다가, 노광 과정을 거치고 post bake한 시료에서는 색깔을 내는 안료 성분이 표면에 드러남을 확인하였고, AFM을 통해서 는 post bake후에 표면에 더 거칠어 짐을 관찰하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권2호
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• pp.90-94
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• 2015

In this study, the characterizations of oxide contact hole etching are investigated with C₄F₈/O₂/Ar and CH₂F₂/C₄F₈/O₂/ Ar plasma. As the percent composition of C₄F₈ in a C₄F₈/O₂/Ar mixture increases, the amount of polymer deposited on the etched surface also increases because the C_xF_y polymer layer retards the reaction of oxygen atoms with PR. Adding CH₂F₂ into the C₄F₈/O₂/Ar plasma increases the etch rate of the oxide and the selectivity of oxide to PR. The profile of contact holes was close to 90°, and no visible residue was seen in the SEM image at a C₄F₈/(C₄F₈+O₂) ratio of 58%. The changes of chemical composition in the chamber were analyzed using optical emission spectroscopy, and the chemical reaction on the etched surface was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy.

• 폴리머
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• 제25권2호
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• pp.302-310
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• 2001

무전해도금법을 이용하여 구리/PET 필름 복합재료를 제조하였으며 에칭방법과 촉매액의 조성 및 acceleration 방법을 달리하여 PET 필름과 무전해도금된 구리 피막간의 접착력을 향상시키고자 하였다. HCl 용액으로 에칭된 PET 필름은 NaOH에 의한 것보다 더욱 세밀하게 에칭되어져 구리와 PET 필름간의 접착력은 향상되었으나 전자파 차폐효과는 유사한 경향을 보였다. 촉매액의 조성변화에 따른 영향을 살펴본 결과 PdCl$_2$:SnCl$_2$의 몰비가 1:4에서 1:16으로 증가할수록 PET 필름 위에 적층된 Pd/Sn 콜로이드 입자들의 크기가 감소하며 고르게 분포되는 경향을 보였다. 따라서 이들의 몰비가 증가할수록 구리도금이 균일하고 조밀하게 이루어져 접착력 및 차폐효과가 증가하였다. 또한 NaOH보다 HCl로 acceleration한 경우 촉매 입자의 크기가 작고 더 균일하게 분포되어 우수한 접착력과 도금물성을 나타내었다.