• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.153-153
• /
• 2011

유리나 폴리머를 기판으로 하는 TFT(Thin film transistor), solar cell에서는 낮은 공정 온도에서($200{\sim}500^{\circ}C$) amorphous semiconductor thin film을 poly-crystal semiconductor thin film으로 결정화 시키는 기술이 매우 중요하게 대두 되고 있다. Ge은 Si에 비해 높은 carrier mobility와 낮은 녹는점을 가지므로, 비 저항이 낮을 뿐만 아니라 더 낮은 온도에서 결정화 할 수 있다. 하지만 일반적으로 쓰이는 Ge의 결정화 방법은 비교적 높은 열처리 온도를 필요로 하거나, 결정화된 원소에 남아있는 metal이 불순물 역할을 한다는 문제점, 그리고 불균일한 결정크기를 만든다는 단점이 있었다. 그 중에서도 현재 가장 많이 쓰이고 있는 MIC, MILC는 metal과 a-Ge이 접촉되는 interface나, grain boundary diffusion에 의해 핵 생성이 일어나고, 결정이 성장하는 메커니즘을 가지고 있으므로 단순 증착과 열처리 만으로는 앞서 말한 단점을 극복하는데 한계를 가지고 있다. 이에 PIII&D 장비를 이용하면, 이온 주입된 원소들이 모재와 반응 할 수 있는 표면적이 커짐으로 핵 생성을 조절 할 수 있을 뿐만 아니라, 이온 주입 시 발생하는 self annealing effect로 결정 크기까지도 조절할 수 있다. 또한 이러한 모든 process가 한 진공 장비 내에서 이루어지므로 장비의 단순화와, 공정간 단계별로 발생하는 불순물과 표면산화를 막을 수 있으므로 절연체 위에 저항이 낮고, hall mobility가 높은 poly-crystalline Ge thin film을 만들 수 있다. 본 연구에서는, 주로 핵 생성과정에서 seed를 만드는 이온주입 조건과, 결정 성장이 일어나는 증착 조건에 따라서 Ge의 결정방향과 크기가 많은 차이를 보이는데, 이는 HR-XRD(High resolution X-ray Diffractometer)와 Raman spectroscopy를 이용하여 측정 하였으며, SEM과 AFM으로 결정의 크기와 표면 거칠기를 측정하였다. 또한 Hall effect measurement를 통해 poly-crystalline thin film 의 저항과 hall mobility를 측정하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
• /
• pp.785-789
• /
• 2005

Low temperature deposition of silicon and silicon nitride films by catalytic CVD technique was studied for application to thin film transistors on plastic substrates for flexible AMOLEDs. The substrate temperature initially held at room temperature, and was controlled successfully below $150^{\circ}C$ during the entire deposition process. Amorphous silicon films having good adhesion, good surface morphology and sufficiently low content of atomic hydrogen were obtained and could be successfully crystallized using excimer laser without a prior dehydrogenation step. $SiN_x$ films showed a good refractive index, a high deposition rate, a moderate breakdown field and a dielectric constant. The Cat-CVD silicon and silicon nitride films can be good candidates for fabricating thin films transistors on plastic substrates to drive active-matrix organic light emitting display.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.151-151
• /
• 2010

In this paper, the electrically properties of nonvolatile memory (NVM) using multi-stacks gate insulators of oxide-nitride-oxynitride (ONOn) and active layer of the low temperature polycrystalline silicon (LTPS) were investigated. From hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), the LTPS thin films with high crystalline fraction of 96% and low surface's roughness of 1.28 nm were fabricated by the metal induced crystallization (MIC) with annealing conditions of $650^{\circ}C$ for 5 hours on glass substrates. The LTPS thin film transistor (TFT) or the NVM obtains a field effect mobility of ($\mu_{FE}$) $10\;cm^2/V{\cdot}s$, threshold voltage ($V_{TH}$) of -3.5V. The results demonstrated that the NVM has a memory window of 1.6 V with a programming and erasing (P/E) voltage of -14 V and 14 V in 1 ms. Moreover, retention properties of the memory was determined exceed 80% after 10 years. Therefore, the LTPS fabricated by the MIC became a potential material for NVM application which employed for the system integration of the panel display.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.470-470
• /
• 2013

Recently, active materials such as amorphous silicon (a-Si), poly crystalline silicon (poly-Si), transition metal oxide semiconductors (TMO), and organic semiconductors have been demonstrated for flexible electronics. In order to apply flexible devices on the polymer substrates, all layers should require the characteristic of flexibility as well as the low temperature process. Especially, pentacene thin film transistors (TFTs) have been investigated for probable use in low-cost, large-area, flexible electronic applications such as radio frequency identification (RFID) tags, smart cards, display backplane driver circuits, and sensors. Since pentacene TFTs were studied, their electrical characteristics with varying single variable such as strain, humidity, and temperature have been reported by various groups, which must preferentially be performed in the flexible electronics. For example, the channel mobility of pentacene organic TFTs mainly led to change in device performance under mechanical deformation. While some electrical characteristics like carrier mobility and concentration of organic TFTs were significantly changed at the different temperature. However, there is no study concerning multivariable. Devices actually worked in many different kinds of the environment such as thermal, light, mechanical bending, humidity and various gases. For commercialization, not fewer than two variables of mechanism analysis have to be investigated. Analyzing the phenomenon of shifted characteristics under the change of multivariable may be able to be the importance with developing improved dielectric and encapsulation layer materials. In this study, we have fabricated flexible pentacene TFTs on polymer substrates and observed electrical characteristics of pentacene TFTs exposed to tensile and compressive strains at the different values of temperature like room temperature (RT), 40, 50, $60^{\circ}C$. Effects of bending and heating on the device performance of pentacene TFT will be discussed in detail.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제24권11호
• /
• pp.900-904
• /
• 2011

In this paper, we investigated an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type LTPS TFTs. The devices with inferior electrical performance also show larger hump phenomenon. which can be explained by the sub-channel induced from trapped electrons under thinner gate oxide region. We can confirm that the devices with larger hump have larger interface trap density ($D_{it}$) and grain boundary trap density ($N_{trap}$) extracted by low-high frequency capacitance method and Levinson-Proano method, respectively. From the C-V with I-V transfer characteristics, the trapped electrons causing hump seem to be generated particularly from the S/D and gate overlapped region. Based on these analysis, the major cause of an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type poly-Si TFTs is explained by the GIDL occurring in the S/D and gate overlapped region and the traps existing in the channel edge region where the gate oxide becomes thinner, which can be inferred by the fact that the magnitude of the hump is dependent on the average trap densities.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
• /
• pp.1225_1226
• /
• 2009

유리 기판 상에 이중 게이트 절연막을 가지는 우수한 특성의 P형 엑시머 레이저 어닐링 (ELA) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 그리고 P형 짧은 채널 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 오프 상태 스트레스 하에서의 전기적 특성을 분석하였다. 스트레스하에서 긴 채널에서의 문턱 전압은 양의 방향으로 거의 이동하지 않는 (${\Delta}V_{TH}$ = 0.116V) 반면, 짧은 채널 박막 트랜지스터의 문턱 전압은 양의 방향으로 상당히 이동 (${\Delta}V_{TH}$ = 2.718V)하는 것을 확인할 수 있었다. 이런 짧은 채널 박막 트랜지스터에서 문턱 전압의 양의 이동은 다결정 실리콘 막과 게이트 산화막 사이의 계면에서의 전자 트랩핑 때문이다. 또한, 박막 트랜지스터의 누설 전류는 오프 상태 스트레스 하에서의 채널 영역의 홀 전하로 인하여 온 전류 수준을 감소시키지 않고 억제될 수 있었다. C-V 측정 결과는 계면의 전자 트랩핑이 드레인 접합 영역부근에서 발생한다는 것을 나타낸다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제49권10호
• /
• pp.111-121
• /
• 2012

본 연구에서는 $0.5{\mu}m$ 급 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하고 이를 최적화 했다. 실험 결과, 비정질 실리콘을 증착 후 저온 어닐링을 통해 보다 큰 grain 크기를 가지는 active 영역을 형성하는 것이 소자의 SS(Subthreshold Swing), DIBL(Drain Induced Barrier Lowering), 그리고 on-current의 성능 향상을 가져온다는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 이를 바탕으로 SONOS 플래시 메모리를 제작하였으며 그 특성을 분석했다. 게이트로부터 전자의 back tunneling 현상을 억제함과 동시에 제작한 소자가 원활한 program/erase 동작을 하기 위해서는 O/N/O 두께의 최적화가 필요하다. 따라서 시뮬레이션을 통해 이를 분석하고 O/N/O 두께를 최적화 하여 SONOS 플래시 메모리의 특성을 개선하였다. 제작한 소자는 2.24 V의 threshold voltage($V_{th}$) memory window를 보였으며 메모리 동작을 잘 하는 것을 확인 할 수 있었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
• /
• pp.7-10
• /
• 2003

Samsung SDI has developed a full color 5.0" WVGA AMOLED display with top emission and a super fine pitch of 0.1365mm(l86ppi), the world's highest resolution OLED display ever reported to date. Scan driver circuits and demux circuit were integrated into the display panel, using low temperature poly-Si TFT CMOS technology, and data driver circuit were mounted using COG chips. Peak luminescence was greater than 300cd/ $m^2$ with power consumption of 500mW with 30% of the pixels on illuminated.

• 방송과미디어
• /
• 제11권4호
• /
• pp.104-117
• /
• 2006

디지털 융합과 유비쿼터스 시대의 시작은 디지털 미디어 기술의 발전과 방송 통신 사업의 융합을 가속화시켰으며, 그 결과 DMB(Digital Multimedia Broadcasting), WCDMA(Wide-band code division multiple access), Wibro(Wireless Broadband Internet), IP-TV(Internet protocol TV), HSDPA(High speed downlink packet access)등의 새로운 형태의 휴대형방송통신융합서비스들이 멀티미디어 매체의 핵심으로 등장하고 있다. 국내에서 방송 통신 융합의 빠른 진행은 세계 최초로 디지털멀티미디어방송(DMB)을 가능하게 하였다. DMB는 멀티미디어와 양방향 데이터방송 서비스가 핵심이다. 데이터 방송은 현재 지상파 DMB 방송사업자자인 KBS, MBC, SBS, YTN DMB가 본 방송을 위한 막바지 준비단계를 마쳤다. [1] 데이터 방송은 뉴스, 날씨, 프로그램 정보 등의 단순 정보서비스 수준에 그치지 않고, 리턴 채널을 이용한 양방향 정보서비스 및 SMS, 전화 걸기 등 휴대전화 단말의 고유기능과의 연계을 통한 다양한 멀티미디어 서비스가 제공될 것이다. 더 나아가 향후 T-Commerce와 개인 광고 등 새로운 서비스 모델과 사업영역을 확산시켜 나아갈 수 있을 것이다. 그러나 아직까지 휴대형방송통신융합서비스는 초기 진입 단계로 표준 기술의 규격 작업, 이론적 논의들, 융합 모델의 전개, 그리고 관련 사업자들의 서비스 준비 등이 실제 이용자들을 대상으로 한 연구 분석이 사전에 검토되어 이루어지지 않았다는 연구의 한계를 가지고 있다. 본격적으로 휴대형방송통신융합서비스가 시작되면서 사용자들에 초점을 맞춘 연구가 이루어지길 바라며, 이러한 연구 분석을 통해 또 다른 새로운 서비스와 기술 발전의 기회를 마련할 수 있기를 기대해 본다.록 한 반면, 한국의 경우에는 정해진 세부사항 없이 크게 ABCD체제의 방식과 출석상황, 중간고사, 기말고사, 과제물 완성도 등을 퍼센티지로 나누어 평가하고 있었다. 학생들에게 주어지는 균등한 기회나 평등의 문제도 학생들의 자격, 신분 등이 거의 다르지 않은 한국에서는 그리 중요한 사항은 아니었으나 다민족 국민으로 이루어진 영국의 학생들에게는 아주 민감한 사항임을 알 수 있었다.서 시베리아 연안을 따라 남부 연안까지 남하하는 한 줄기가 있음을 알 수 있었다. 점차 수심이 깊어지면서 동해 남 북부 전체를 ESPW로 채우고 있어 어떤 흐름의 특징보다는 동해 전체의 상당한 부피를 차지함을 알 수 있었다(Fig. 7d). 동해 북부해역에서 생성되는 냉수들이 연안을 따라서 동해 남부해역으로 이동하는 흐름을 보여주었다. 따라서 동해 내부 순환의 큰 줄기는 연안을 따라 흐르는 냉수들의 흐름이며, 매년 동해남부 해역에 발생하는 용승 현상도 이러한 흐름의 연장선에 있음을 짐작할 수 있다(Lee and Kim 2003).지고 1990년부터는 본격적인 양산 시대에 접어들게 되었다. 1990년대 초에는 STN LCD의 Color화 및 대형화(大型化) 고(高)품위화에 힘입어 Note-Book PC에 LCD가 본격적으로 적용이 되었고, 1990년대 후반에는TFT LCD의 표시품질 대비 가격경쟁력 확보로 인하여 Note-Book PC 시장을 독점하기에 이르렀다. 이후로는 TFT LCD의 대형화가 중요한 쟁점으로 부각되고 있고, 1995년 삼성전자는 당시 세계최대 크기의 22' TFT LCD를 개발하였다. 또한 LCD의 고정세(高情細)화를 위해 Poly Si TFT LCD의 개발이 이루어졌고, 디지타이져 일체형 LCD의 상품화가 그 응용의 폭을 넓혔으며, LCD의 대형화를 위해 1994년 Canon에 의해 14.8', 21' 등의 FLCD가 개발되었다.