We present the preliminary results from 86 GHz GMVA observations on 2 AGN - 0954+658 and 0716+714. The observation was taken with the Global mm-VLBI Array in Oct. 2010, with dual polarization mode. The aim of the observation is to produce the polarization maps of the sources, with the Stokes parameters - I, Q, U and V. The final results will be used for estimating the strength of the intrinsic magnetic field and the geometries of AGN jets.
A. S. Fouda;L. H. Madkour;A. A. El-Shafel;S. A. Abd ElMaksoud
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제16권5호
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pp.454-458
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1995
Inhibiting action of semicarbazide, thiosemicarbazide, sym. diphenylcarbazide towards corrosion of zinc in hydrochloric acid has been investigated. The rate of corrosion depends on the nature of the inhibitor and its concentration. The values of inhibition efficiency from, weight loss, thermometric measurements are in good agreement with those obtained from polarization studies. From the polarization studies, the inhibitors used act as mixed absorption type inhibitors, increased adsorption resulting from an increase in the electron density at the reactive C=S and C=O groups and N-atoms. The thermodynamic parameters of adsorption obtained using Bockris-Swinkels adsorption isotherm reveal a strong interaction of these carbazides on zinc surface.
유도분극(induced polarization; IP) 탐사 중 광대역 혹은 빛띠(spectral) IP (SIP) 탐사법에서는 교류 전류를 송신원으로 하였을 때 나타나는 매질의 진동수에 따른 복소전기비저항의 크기와 위상을 측정하며, 진동수에 따라 값이 변화하는 복소전기비저항의 분산 혹은 이완 반응을 분석하게 된다. 이때 분산곡선은 등가회로 모델과 같은 이완 모델을 통해 설명할 수 있는데, 다중목적함수 최적화 기법을 적용하여 분산곡선에서 SIP 이완모델의 변수들을 예측해보았다. SIP 이완현상을 설명하기 위해 가장 많이 이용되는 Cole-Cole 모델 계열의 변수를 구하기 위해 크기 오차와 위상 오차를 최소화하는 두 가지 목적함수로 설정하고 다중목적함수를 최적화하기 위해 유전 알고리듬을 이용하였다. 다중목적함수 최적화 기법을 이용한 Cole-Cole 모델 변수 구하기는 수치 모델에 대해서는 잘 구해졌으나 기존에 보고된 SIP 실내실험 자료에 피팅할 경우, 주로 위상 크기가 작을 때(약 10 mrad 이하) 피팅이 맞지 않는 경우가 많았다. 이는 다중목적함수로 사용하는 크기와 위상의 자료 오차 사이에 스케일이 맞지 않아 발생하는 한계로 추정되며, 향후 복소전기비저항의 분산 곡선에서 SIP 변수를 예측하기 위해 이러한 한계를 극복할 수 있는 기계 학습 등 다양한 기법들에 대한 연구가 필요할 것으로 판단된다.
In this talk, I will present two research works in progress, which are: i) mapping of piezoelectric polarization and associated charge density distribution in the heteroepitaxial InGaN/GaN multi-quantum well (MQW) structure of a light emitting diode (LED) by using inline electron holography and ii) in-situ observation of the polarization switching process of an ferroelectric Pb(Zr1-x,Tix)O3 (PZT) thin film capacitor under an applied electric field in transmission electron microscope (TEM). In the first part, I will show that strain as well as total charge density distributions can be mapped quantitatively across all the functional layers constituting a LED, including n-type GaN, InGaN/GaN MQWs, and p-type GaN with sub-nm spatial resolution (~0.8 nm) by using inline electron holography. The experimentally obtained strain maps were verified by comparison with finite element method simulations and confirmed that not only InGaN QWs (2.5 nm in thickness) but also GaN QBs (10 nm in thickness) in the MQW structure are strained complementary to accommodate the lattice misfit strain. Because of this complementary strain of GaN QBs, the strain gradient and also (piezoelectric) polarization gradient across the MQW changes more steeply than expected, resulting in more polarization charge density at the MQW interfaces than the typically expected value from the spontaneous polarization mismatch alone. By quantitative and comparative analysis of the total charge density map with the polarization charge map, we can clarify what extent of the polarization charges are compensated by the electrons supplied from the n-doped GaN QBs. Comparison with the simulated energy band diagrams with various screening parameters show that only 60% of the net polarization charges are compensated by the electrons from the GaN QBs, which results in the internal field of ~2.0 MV cm-1 across each pair of GaN/InGaN of the MQW structure. In the second part of my talk, I will present in-situ observations of the polarization switching process of a planar Ni/PZT/SrRuO3 capacitor using TEM. We observed the preferential, but asymmetric, nucleation and forward growth of switched c-domains at the PZT/electrode interfaces arising from the built-in electric field beneath each interface. The subsequent sideways growth was inhibited by the depolarization field due to the imperfect charge compensation at the counter electrode and preexisting a-domain walls, leading to asymmetric switching. It was found that the preexisting a-domains split into fine a- and c-domains constituting a $90^{\circ}$ stripe domain pattern during the $180^{\circ}$ polarization switching process, revealing that these domains also actively participated in the out-of-plane polarization switching. The real-time observations uncovered the origin of the switching asymmetry and further clarified the importance of charged domain walls and the interfaces with electrodes in the ferroelectric switching processes.
Membrane distillation (MD) is one of the water treatment processes which involves the momentum, heat and mass transfer through channels and membrane. In this study, CFD modeling has been used to simulate the heat and mass transfer in the direct contact membrane distillation (DCMD). Also, the effect of operating parameters on the water flux is investigated. The result shows a good agreement with the experimental result. Results indicated that, while feed temperature is increasing in the feed side, water flux improves in the permeate side. Since higher velocity leads to the higher mixing and turbulence in the feed channel, water flux rises due to this increase in the feed velocity. Moreover, results revealed that temperature polarization coefficient is rising as flow rate (velocity) increases and it is decreasing while the feed temperature increases. Lastly, the thermal efficiency of direct contact membrane distillation is defined, and results confirm that thermal efficiency improves while feed temperature increases. Also, flow rate increment results in enhancement of thermal efficiency.
Since the original report on ferroelectricity in Si-doped HfO2 in 2011, fluorite-structured ferroelectrics have attracted increasing interest due to their scalability, established deposition techniques including atomic layer deposition, and compatibility with the complementary-metal-oxide-semiconductor technology. Especially, the emerging fluorite-structured ferroelectrics are considered promising for the next-generation semiconductor devices such as storage class memories, memory-logic hybrid devices, and neuromorphic computing devices. For achieving the practical semiconductor devices, understanding polarization switching kinetics in fluorite-structured ferroelectrics is an urgent task. To understand the polarization switching kinetics and domain dynamics in this emerging ferroelectric materials, various classical models such as Kolmogorov-Avrami-Ishibashi model, nucleation limited switching model, inhomogeneous field mechanism model, and Du-Chen model have been applied to the fluorite-structured ferroelectrics. However, the polarization switching kinetics of fluorite-structured ferroelectrics are reported to be strongly affected by various nonideal factors such as nanoscale polymorphism, strong effect of defects such as oxygen vacancies and residual impurities, and polycrystallinity with a weak texture. Moreover, some important parameters for polarization switching kinetics and domain dynamics including activation field, domain wall velocity, and switching time distribution have been reported quantitatively different from conventional ferroelectrics such as perovskite-structured ferroelectrics. In this focused review, therefore, the polarization switching kinetics of fluorite-structured ferroelectrics are comprehensively reviewed based on the available literature.
원편파용 마이크로스트립 안테나 소자들은 많은 형태가 있는데, 이것은 훌륭한 단위 방사기로 사용되었다. 원편파용 안테나의 이점은 송$.$수신시스템 사이에 엄격한 설정을 요구하지 않기 때문에 원편파용 프린트 안테나는 많은 위성과 이동무선시스템에 자주 사용되었다. 원편팍용 마이크로스트립 안테나의 3 dB 축비와 임피던스의 광대역을 실현하기 위해서 복잡한 급전구조와 3층의 패치 소자가 연구되었다. 본 논문은 원편파용 광대역 마이크로스트립 크로스 슬롯 어레이 안테나의 설계를 나타낸다. 제안한 안테나는 급전부인 마이크로스트립 라인과 원편파 발생을 위한 방사부인 크로스 슬롯으로 구성되어 있다. 광대역을 위해서 3충 구조가 고려되었고, 크로스 슬롯은 급전선과 전자기적 결합을 한다. 1소자 크로스 슬롯 안테나의 최적 파라미터가 모멘트 법에 의해 해석 및 설계되었다. 이러한 파라미터들은 방사소자들 사이의 상호결함을 고려한 어레이 안테나 설계에도 적용되었다. 제안한 안테나의 우현편파와 좌현편파는 비대칭 크로스 슬롯 구조와 슬롯 위치에 의해 쉽게 제어된다. 1소자와 15소자 크로스 슬롯 안테나에서 1 dB 이하의 축비와 안테나의 광대역 특성을 얻었다.
Fuel cells of proton exchange membrane type (PEMFC) working with hydrogen in the anode and ambient air in the cathode ('air breathing') have been prepared and characterized. The cells have been studied with variable thickness of the cathode catalyst layer ($L_{CL}$), maintaining constant the platinum and ionomer loads. Polarization curves and electrochemical active area measurements have been carried out. The polarization curves are analyzed in terms of a model for a flooded passive air breathing cathode. The analysis shows that $L_{CL}$ affects to electrochemical kinetics and mass transport processes inside the electrode, as reflected by two parameters of the polarization curves: the Tafel slope and the internal resistance. The observed decrease in Tafel slope with decreasing $L_{CL}$ shows improvements in the oxygen reduction kinetics which we attribute to changes in the catalyst layer structure. A decrease in the internal resistance with $L_{CL}$ is attributed to lower protonic resistance of thinner catalyst layers, although the observed decrease is lower than expected probably because the electronic conduction starts to be hindered by more hydrophilic character and thicker ionomer film.
Inhibition performance of Lornoxicam & Tenoxicam against corrosion of carbon steel in 1M $H_2SO_4$ solutions was investigated by weight loss, potentiodynamic polarization and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) measurements. The inhibition efficiency increased with increasing inhibitor's concentration, but decreased with increase in temperature. Potentiodynamic polarization curves showed that, the inhibitors were of mixed type. The apparent activation energy ($E^*_a$) and other thermodynamic parameters for the corrosion process have also been calculated and discussed. The inhibition of carbon steel corrosion is due to the adsorption of the inhibitor molecules on the surface, which follows Temkin adsorption isotherm. The mechanism of inhibition was discussed in the light of the chemical structure of the undertaken inhibitors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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