Shin, K.S.;Sahu, B.B.;Lee, J.S.;Hori, M.;Han, Jeon G.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.136.1-136.1
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2015
In the present study, UHF (320 MHz) in combination with RF (13.56 MHz) plasmas was used for the synthesis of hydrogenated silicon nitride (SiNx:H) films by PECVD process at low temperature. RF/UHF hybrid plasmas were maintained at a fixed pressure of 410 mTorr in the N2/SiH4 and N2/SiH4/NH3 atmospheres. To investigate the radical generation and plasma formation and their control for the growth of the film, plasma diagnostic tools like vacuum ultraviolet absorption spectroscopy (VUVAS), optical emission spectroscopy (OES), and RF compensated Langmuir probe (LP) were utilized. Utilization of RF/UHF hybrid plasmas enables very high plasma densities ~ 1011 cm-3 with low electron temperature. Measurements using VUVAS reveal the UHF source is quite effective in the dissociation of the N2 gas to generate more active atomic N. It results in the enhancement of the Si-N bond concentration in the film. Consequently, the deposition rate has been significantly improved up to 2nm/s for the high rate synthesis of highly transparent (up to 90 %) SiNx:H film. The films properties such as optical transmittance and chemical composition are investigated using different analysis tools.
본 연구에서 사용된 방전 기체는 오염물의 제거 및 박막 표면 정제 등의 연구 분야에 응용되고 있는 질소 가스를 사용하였으며, 1차원 동심구 모델의 개발로 인하여, 접지 면적을 넓게 함에 따라 경방향으로의 플라즈마 분포가 중심축의 분포와 동일하다는 1차원적 가정이 적절하지 못하다는 Barnes 모델을 보완할 수 있었다. 일정한 인가 전압하에서는 입체각($\omega$)의 증가에 따라 질소 플라즈마를 구성하는 각 입자의 수밀도 분포, 전계 및 포텐셜이 감소함을 볼 수 있었다. 그러나 면적비가 증가하면서 구동 전극에서의 각 입자들의 움직임은 상대적으로 높은 전계로부터 더욱 활발하게 형성됨에 따라 직렬 연결된 블로킹 콘덴서에서 발생하는 자기 바이어스 전압은 증가하는 것을 알 수 있었다.
It is well known that electromagnetic (EM) waves are mode converted to electrostatic (ES) waves in inhomogeneous plasmas. We examine this issue in a three-dimensional multi-fluid numerical model. First, we derive a set of coupled linear wave equations when a one-dimensional inhomogeneous density profile is assumed in a cold and collisionless plasma. The massive ions are considered as fixed because we are interested in high frequency waves in plasmas. It is shown that the EM mode satisfies the 0th order modified Bessel equation near the resonant region where the frequency matches the local electron plasma frequency. It is expected that the EM waves are coupled and damped to the ES waves owing to the logarithmic singular behavior at such resonances. Second, we numerically test the same case in a 3-D multi-fluid model. An impulsive input is assumed to excite EM waves in the inhomogeneous 3-D box model. The wave spectra of electric and magnetic fields are presented and compared with the analytical results. Our results suggest that the EM energy is irreversibly converted into the ES energy wherever the resonant condition is satisfied. Finally we discuss how the mode conversion appears in both electric and magnetic fields by analyzing time histories of each component. We also compare our results with MHD wave coupling. It is numerically confirmed in this study that the coupling of EM and ES waves is similar to that of compressional and transverse MHD waves.
In this study, we investigated the effect of space plasmas on the floating potential variation of a low-altitude, polar-orbiting satellite using the Langmuir Probe (LP) measurement onboard the STSAT-1 spacecraft. We focused on small potential drops, for which the estimation of plasma density and temperature from LP is available. The floating potential varied according to the variations of plasma density and temperature, similar to the previously reported observations. Most of the potential drops occurred around the nightside auroral region. However, unlike the previous studies where large potential drops were observed with the precipitation of auroral electrons, the potential drops occurred before or after the precipitation of auroral electrons. Statistical analysis shows that the potential drops have good correlation with the temperature increase of cold electrons, which suggests the small potential drops be mainly controlled by the cold ionospheric plasmas.
Tumor-associated microRNAs have been detected in serum or plasma, but whether plasma microRNA-21 (miR-21) could be a potential circulating biomarker for gastric cancer (GC) prognosis in Chinese is still uncertain. Real-time quantitative reverse transcription PCR (qRT-PCR) was employed in this study to compare the relative expression of miR-21 between pre-operative and post-operative paired plasmas from 42 patients with primary GCs. The results showed that the expression levels of miR-21 in the post-operative plasmas were significantly reduced by an average of 18.2 times in all patients when compared to the pre-operative plasmas, and by 22.1 times in the subgroup of patients without family history, while only 1.76 times in the subgroup of patients with a family history. With respect of clinicopathological characteristics, the plasma miR-21 expression was highly associated with differentiation degree and lymph node metastasis rate. The results suggested plasma miR-21 could be a novel potential biomarker for GC prognosis and evaluation of surgery outcomes, especially in patients without a family history.
We investigated dry etching of GaAs and AiGaAs in a high density planar inductively coupled plasma system with BCl$_3$and BCl$_3$/Ar gas chemistry. A detailed etch process study of GaAs and ALGaAs was peformed as functions of ICP source power, RIE chuck power and mixing ratio of $BCl_3$ and Ar. Chamber process pressure was fixed at 7.5 mTorr in this study. The ICP source power and RIE chuck power were varied from 0 to 500 W and from 0 to 150 W, respectively. GaAs etch rate increased with the increase of ICP source power and RIE chuck power. It was also found that etch rates of GaAs in $15BCi_3$/5Ar plasmas were relatively high with applied RIE chuck power compared to pure 20 sccm $BCl_3$plasmas. The result was the same as AlGaAs. We expect that high ion-assisted effect in $BCl_3$/Ar plasma increased etch rates of both materials. The GaAs and AlGaAs features etched at 20 sccm $BCl_3$and $15BCl_3$/5Ar with 300 W ICP source power, 100 W RIE chuck power and 7.5 mTorr showed very smooth surfaces(RMS roughness < 2 nm) and excellent sidewall. XPS study on the surfaces of processed GaAs also proved extremely clean surfaces of the materials after dry etching.
Plasmas in saline solutions receive considerable attention in recent years. How the operating parameters influence the plasma characteristics and how the electrode erosion occurs have been topics that require further study. In the first part of this talk, the effect of the frequency on the plasmas characteristics in saline solution driven by 50~1000 Hz AC power will be presented. Two distinct modes, namely bubble and jetting modes, are identified. The bubble mode occurs under low frequencies. In this mode, one mm-sized bubble is tightly attached to the electrode tip and oscillates with the applied voltage. With an increase in the frequency, it shows the jetting mode, in which many smaller bubbles are continuous formed and jetted away from the electrode surface. Multiple mechanisms that are potentially responsible to such a change in bubble dynamics have been proposed and the dominant mechanism is identified. From the Stark broadening of the hydrogen optical emission line, electron densities in both modes are estimated. It shows clearly that the driving frequency greatly influences the bubble dynamics, which in turn alters the plasma behavior. In the second part, the study of the erosion of a tungsten electrode immersed in saline solution under conditions suitable for bio-medical applications is presented. The electrode is immersed in 0.1 M saline solution and is positively or negatively biased using a DC power source up to 600 V. It is identified that when the electrode is positively biased, erosion by the surface electrolytic oxidation is the dominant mechanism with an applied voltage below 150 V. An increase in the applied voltage leads to the formation of the plasma and the damage by the plasma and the thermal effect becomes more prominent. The formation of the gas film at the electrode surface leads to the formation of the plasma and hinders the electrolytic erosion. In the negatively-biased electrode, no electrolytic oxidation is seen and the damage is mostly likely due to the plasma erosion and the thermal effect.
The effects of CH2F2 and N2 gas flow rates on the etch selectivity of silicon nitride (Si3N4) layers to extreme ultra-violet (EUV) resist and the variation of the line edge roughness (LER) of the EUV resist and Si3N4 pattern were investigated during etching of a Si3N4/EUV resist structure in dual-frequency superimposed CH2F2/N2/Ar capacitive coupled plasmas (DFS-CCP). The flow rates of CH2F2 and N2 gases played a critical role in determining the process window for ultra-high etch selectivity of Si3N4/EUV resist due to disproportionate changes in the degree of polymerization on the Si3N4 and EUV resist surfaces. Increasing the CH2F2 flow rate resulted in a smaller steady state CHxFy thickness on the Si3N4 and, in turn, enhanced the Si3N4 etch rate due to enhanced SiF4 formation, while a CHxFy layer was deposited on the EUV resist surface protecting the resist under certain N2 flow conditions. The LER values of the etched resist tended to increase at higher CH2F2 flow rates compared to the lower CH2F2 flow rates that resulted from the increased degree of polymerization.
Choe, Wonho;Moon, Se Youn;Kim, Dan Bee;Jung, Heesoo;Rhee, Jun Kyu;Gweon, Bomi
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.144-144
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2013
Non-thermal atmospheric pressure plasmas have recently garnered much attention due to their unique physical and chemical properties that are sometimes significantly different from those of low pressure plasmas. It can offer many possible application areas including nano and bio/medical areas. Many different types of plasma sources have been developed for specific needs, which can be one of the important merits of the atmospheric pressure plasmas since characteristics of the produced plasma depend significantly on operating parameters such as driving frequency, supply gas type, driving voltage waveform, gas flow rate, gas composition, geometrical factor etc. Among many source configurations, parallel plate type geometry is one of the simplest configurations so that it can offer many insights for understanding basic underlying physics. Traditionally, the parallel plate type set up has been studied actively for understanding low pressure plasma physics along with extensive employment in industries for the same reason. By considering that understanding basic physics, in conjunction with plasma-surface interactions especially for nano & bio materials, should be pursued in parallel with applications, we investigated atmospheric pressure discharge characteristics in a parallel plate type capacitive discharge source with two parallel copper electrodes of 60 mm in diameter and several millimeters in gap distance. In this presentation, some plasma characteristics by varying many operating variables such as inter-electrode distance, gas pressure, gas composition, driving frequency etc will be discussed. The results may be utilized for plasma control for widening application flexibility.
Jun-Seok Nam;Sang-Min Jeong;Min-Gyu Choi;Jun-Ho Seo;Shi-Young Yang
Journal of Ceramic Processing Research
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제22권2호
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pp.169-178
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2021
In this work, in-flight synthesis route of Ga doped ZnO (GZO) nano-powders was investigated experimentally and numerically, using Radio-Frequency (RF) induction plasmas. For experimental study, mixture of micron-sized ZnO and Ga2O3 powders were treated by RF induction plasmas, then, the as-treated powders were retrieved from reactor bottom and filtration for characterization. For numerical study, single particle model was combined with two-dimensional simulation code of RF induction plasma to predict the particle behaviors of ZnO and Ga2O3 depending on their sizes. First, experimental results showed that filtration-retrieved powders were characterized as GZO nano-powders although gallium content can be decreased due to Ga2O3 decomposition into sub-oxides at the elevated temperatures. From reactor bottom, however, spherical structures consisting of Ga2O3 and ZnO particles were observed in sub-millimeter sizes. Numerical results predicted that micron-sized (≤ 10 ㎛) ZnO and Ga2O3 particles can vaporize easily during the flight of plasma, while particles with the sizes of 25~100 um were simulated to be partially evaporated or unevaporated. Comparing these experimental and numerical results indicates that GZO nano-powders can be synthesized from vapor species of ZnO and Ga2O3, which are primarily produced by in-flight treatment of micron-sized ZnO and Ga2O3 powders in RF induction plasmas.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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