• Macromolecular Research
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• 제14권3호
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• pp.300-305
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• 2006

The chemical structure of a semi-aromatic polyimide-I, which was prepared by the chemical imidization of cyclopentanetetracarboxylic dianhydride and 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, was characterized by $^{13}C-NMR$ spectroscopy. The chemically imidized polyimide-I was used for the preparation of a photosensitive polyimide (PSPI) through the addition of benzophenone and benzophenone oxime hexamethylene diurethane (BOHD), a photobase generator containing oxime-urethane groups. The polyimide-I film containing benzophenone and BOHD was not soluble in 2.38 wt% tetrabutylammonium hydroxide solution in $H_2O$. However, it became soluble following irradiation with 310 nm UV light. A positive tone image with a resolution of $5{\mu}m$ was obtained with this PSPI, having sensitivity($D_c$) of $1.2J/cm^2$ and contrast(${\gamma}_p$) of 1.08. Thus, a polyimide, which is not intrinsically photosensitive, can become photosensitive through the addition of a photobase generator containing oxime-urethane groups as a photosensitive compound.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.1364-1369
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• 2015

반도체 칩의 고집적화로 과거 와이어 본딩 공정에서 BUMP 공정으로 전환되면서 반도체칩과 외부 기기로 이어지는 통신선도 더욱 미세해짐으로 인해 보다 정밀한 작업이 필요한 실정이지만 PSPI의 고점도 특성상 정량제어가 어렵고 버블유입에 따른 수율의 저하가 계속되고 있는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 반도체 BUMP 공정에서 고점도 감광성 폴리이미드(PSPI : Photosensitive Polyimide)의 도포(coating)시 발생하는 기포(gas)를 제거하여 공급하는 D&P(Degassing and Pumping) 시스템을 개발하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.885-888
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• 2004

We have prepared and investigated the properties of photoinitiator-free photosensitive polyimide gate insulatos for organic thin-film transistors (OTFTs). The precursor was prepared from a dianhydride, 3,3',4,4'-Benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) and novel aromatic diamine, 7-(3,5-diaminobenzoyloxy) coumarine (DA-CM). Photo-patternability of the polyimide precursor film and surface morphology of the films before and after photo-patterning process were investigated and negative pattern with a resolution of 50 ${\mu}m$ was obtained nicely. In addition, we have fabricated OTFTs with pentacene and photosensitive polyimide as a semiconductor and a gate insulator; respectively. According to the device geometry, the ${\mu}$, current modulation ratio and subthreshold swing of the devices were around 0.2${\sim}$0.4 $cm^2$/Vs, more than $10^5$ and around 3${\sim}$5 V/dec, respectively.

• 공업화학
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• 제17권2호
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• pp.217-222
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• 2006

폴리이미드는 높은 열안정성, 우수한 기계적, 전기적 성질을 가지고 있어 많은 연구가 진행되어 왔지만, 대부분의 유기용매에 불용인 관계로 그 용도가 제한되어 있다. 본 연구에서는 방향족 디아민인 2,2,-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BAPAF)와 3,3,-diamino-4,4- dihydroxybyphenyl (HAB)를 사용하고 방향족 디안하이드라이드인 4,4-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic dianhydride (6FDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), 4,4-oxydiphthalic dianhydride (OPDA), 3,3,4,4-benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) 및 3,3,4,4-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride (DSDA)를 사용하여 가용성 폴리이미드를 합성하였다. 폴리이미드의 성질은 NMR, FR-IR 및 TGA를 이용하여 조사하였으며, 유전상수는 축전용량을 측정하여 계산하였다. 히드록시기를 포함한 폴리이미드와 methacryloyl chloride를 반응시켜 감광성 폴리이미드를 합성하고, photolithography기술을 이용하여 micro-패턴을 형성하였다.

• 전기학회논문지
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• 제56권1호
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• pp.139-141
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• 2007

Thin films of polyimide (Pl) were fabricated by a vapor deposition polymerization method (VDPM) and studied for the photosensitive characteristic. Polyamic acid (PAA) thin films fabricated by vapor deposition polymerization (VDP) from 6FDA and 4-4' DDE were converted to PI thin films by thermal curing. From AFM and Ellipsometer experimental, the films thickness was decreased and the reflectance was increased as the curing temperature was increased. Those results implies that thin film is uniform. From UV-Vis spectra, PI thin films showed high absorbance in 225 $\sim$ 260 [nm] region.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권2호
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• pp.39-47
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• 2003

감광성 폴리이미드 위에 Cr을 RF 바이어스 스퍼터링 및 RF클리닝 후 DC 스퍼터링한 Cr/폴리이미드의 계면을 TEM으로 관찰하였다. RF power 밀도를 $0.13W/cm^2$에서 $2.12W/cm^2$로 증가시키면서 RF클리닝을 실시한 결과 폴리이미드의 에칭 양상이 둥근 모양에서 뾰족한 모양으로 변하였고 이방성 에칭으로 인해 거칠기가 크게 증가하였다. RF 바이어스 스퍼터링의 경우 RF power를 올리는 동안 RF 클리닝에 의해 폴리이미드가 에칭되었고, 에칭된 부분에 Cr이 증착된 계면을 단면으로 관찰한 결과 Cr과 폴리이미드가 겹쳐져서 혼합된 것처럼 보였다. 그러나 RF power를 올리는 시간을 단축시켜 Cr을 바이어스 스퍼터링했을 때에는 계면이 분명하게 관찰되어 Cr의 implantation이 일어나지 않았음을 알 수 있었다. RF 클리닝한 Cu/Cr/Polyimide를 필 테스트한 결과 짧은 시간의 RF 클리닝으로도 접착력이 크게 증가하였다. 그러므로 RF power를 올리는 동안 실시되었던 RF 클리닝이 RF 바이어스 스퍼터링한 Cr/Polyimide의 접착력 향상에 영향을 주었을 것으로 예상된다.

• 한국광과학회:학술대회논문집
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• 한국광과학회 2006년도 정기총회 및 제13회 학술대회 논문 초록
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• pp.38-38
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• 2006

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권2호
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• pp.243-245
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• 1997

• 폴리머
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• 제26권5호
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• pp.634-643
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• 2002

고분자 주사슬에 벤젠과 sulfonyloxvimide moiety를 가지고 있는 polyamic acid 초박막을 LB 기법을 이용하여 제조한 다음 200 $^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리에 의해 감광성 폴리이미드 LB 필름을 얻었다. Polyamic acid는 THF-pyridine 공용매를 가지고 축중합에 의해 합성하였다. 모든 단량체와 고분자는 원소분석, FT-IR, $^1$H-NMR의 분광학적 측정을 통해 정량 정성분석을 행하였다. UV lithography 방법을 사용하여 금 기판 위에 제조한 감광성 폴리이미드 LB 필름의 마이크로 어레이 패턴을 제조하였다. 형성된 마이크로 어레이 패턴을 따라 두 가지의 자기조립 방법으로 단백질 cytochrome c 단분자 막을 고정화시켰다. 자기조립된 cytochrome c 단분자 막의 물리ㆍ전기 화학적 특성은 cyclic voltammetry와 AFM을 통해 조사하였으며 생물전자소자로의 응용 가능성에 대해서도 검토하였다.

• 폴리머
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• 제24권3호
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• pp.407-417
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• 2000

고분자 주쇄에 cyclobutane 또는 페닐과 방향족 술포닐옥시이미드 구조를 갖는 감광성 폴리이미드를 합성하여 광분해 특성에 있어서 고분자의 구조가 미치는 영향을 조사하였다. 폴리이미드는 N-히드록시와 염화 술포닐의 축중합에 의해 제조하였다. 합성된 폴리이미드는 25$0^{\circ}C$까지 열분해가 일어나지 않고 안정하였다. 254nm의 광조사에 따른 폴리이미드의 광분해는 분광학적 측정에 의해 N-O 결합의 절단 또는 이미드 moiety의 계열에 기인되는 것을 알 수 있었다. 본 연구의 폴리이미드는 포지티브형의 광분해성 고분자로의 활용이 가능한 것이 확인되었으며, 특히 pyromellitic diimide moiety를 함유하는 폴리이미드의 포지티브 화상은 높은 감도와 해상도를 나타내었다.