• 한국습지학회지
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• 제17권1호
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• pp.75-79
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• 2015

대기오염물질인 염화수소의 배출 규제가 2ppm으로 강화됨에 따라 기존의 제철공장 습식세정 장치에 DIWS 시스템이 도입되었다. 침액식 스크러버 시스템으로 제철공정에서 발생되는 염화수소를 처리하기 위한 파일럿 연구를 수행하였다. DIWS 시스템의 운전에 따른 응축수 pH는 연돌에서 6.0으로 증가하였다. 산세 Fume 정제설비의 평균 유입 염화수소는 13.3ppm, 평균 배출가스는 0.43ppm, 평균 제거율은 96.9%로 나타났다. TMS 장치로 장기간 측정한 데이터를 비교하였을 때 DIWS 장치는 안정적인 제거율을 나타냈지만, TMS의 type별 데이터 불균일 현상이 관찰되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.151-155
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• 2002

This paper presents a micro fluxgate magnetic sensor in printed circuit board (PCB). The fluxgate sensor consists of five PCB stack layers including one layer magnetic core and four layers of excitation and pick-up coils. The center layer as a magnetic core is made of a micro patterned amorphous magnetic ribbon with extremely high DC permeability of ∼100,000 and the core has a rectangular-ring shape. The amorphous magnetic core is easily saturated due to the low coercive field and closed magnetic path for the excitation field. Four outer layers as an excitation and pick-up coils have a planar solenoid structure. The chip size of the fabricated sensing element is 7.3${\times}$5.7m㎡. Excellent linear response over the range of -100${\mu}$T to +100${\mu}$T is obtained with 540V/T sensitivity at excitation square wave of 3V$\_$P-P/ and 360kHz. The very low power consumption of ∼8mW was measured. This magnetic sensing element which measures the lower fields than 50${\mu}$T, is very useful for various applications such as: portable navigation systems, military research, medical research, and space research.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.702-707
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• 2002

This paper presents a micro fluxgate sensor in printed circuit board (PCB). The fluxgate sensor consists of five PCB stack layers including one layer magnetic core and four layers of excitation and pick-up coils. The center layer as a magnetic core is made of a micro patterned amorphous magnetic ribbon and the core has a rectangular-ring shape. The amorphous magnetic core is easily saturated due to the low coercive field and closed magnetic path for the excitation field. Four outer layers as an excitation and pick-up coils have a planar solenoid structure. The chip size of the fabricated sensing element is 7.3$\times$5.7$\textrm{mm}^2$. Excellent linear response over the range of -100$\mu$T to +100$\mu$T is obtained with 540V/T sensitivity at excitation square wave of 3 $V_{p-p}$ and 360kHz. The very low power consumption of ~8mW was measured. This magnetic sensing element, which measures the lower fields than 50$\mu$T, is very useful for various applications such as: portable navigation systems, military research, medical research, and space research.h.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.272-272
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• 2014

SnO thin films, 100 nm in thickness, were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering. A stack structure of $SnO_2/SnO$, where few nanometers of $SnO_2$ were determined on the SnO thin film by X-ray photoelectron spectroscopy. In addition, XPS depth profile analysis of the pristine and heat treated thin films were introduced. The electrical behavior of the as-sputtered films during the annealing was recorded to investigate the working conditions for the SnO sensor. Subsequently, The NH3 sensing properties of the SnO sensor at operating temperature of $50-200^{\circ}C$ were examined, in which the p-type semiconducting sensing properties of the thin film were noted. The sensor shows good sensitivity and repeatability to $NH_3$ vapor. The sensor properties toward several gases like $H_2S$, $CH_4$ and $C_3H_8$ were also introduced. Finally, a sensing mechanism was proposed and discussed.

• 전기전자학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.23-27
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• 2009

실리콘 기판 상에 MBE (molecular beam epitaxy)로 형성된 GaSb 기반 p-channel HEMT 소자를 제작하기 위하여 오믹 접촉 형성 공정과 식각 공정을 연구하였다. 먼저 각 소자의 절연을 위한 메사 식각 공정 연구를 수행하였으며, HF기반의 습식 식각 공정과 ICP(inductively coupled plasma)를 이용한 건식 식각 공정이 모두 사용되었다. 이와 함께 소스/드레인 영역 형성을 위한 오믹 접촉 형성 공정에 관한 연구를 진행하였으며 Ge/Au/Ni/Au 금속층 및 $300^{\circ}C$ 60초 RTA공정을 통해 $0.683\;{\Omega}mm$의 접촉 저항을 얻을 수 있었다. 더불어 HEMT 소자의 게이트 형성을 위한 게이트 리세스 공정을 AZ300 현상액과 citric산 기반의 습식 식각을 이용하여 연구하였으며, citric산의 경우 소자 구조에서 캡으로 사용된 GaSb와 베리어로 사용된 AlGaSb사이에서 높은 식각 선택비를 보였다.

• 한국항공우주학회지
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• 제41권10호
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• pp.788-795
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• 2013

표면에 얇은 은(Ag)층이 증착된 마그네슘 분리판을 PEM 연료전지의 그라파이트 분리판의 대체 재질로 검토하였다. $180^{\circ}C$의 온도 환경에서 마그네슘 모재 표면에 $3{\mu}m$의 얇은 은층을 물리적 증착방법(PVD)을 이용하여 증착하였다. 제작된 마그네슘 분리판을 대상으로 PEM 연료전지 스택 적용 가능성을 확인하기 위하여 다수의 실험을 수행하였다. PEM 연료전지의 동작환경과 동일한 pH에서의 부식실험을 통하여 보호막이 형성된 마그네슘 분리판은 부식으로부터 모재를 적절히 보호하였지만 보호막이 형성되지 않은 경우 심각한 부식이 발생됨을 확인하였다. 제작된 마그네슘 분리판의 접촉저항은 $20m{\Omega}-cm^2$이하로 기존의 분리판 대비 우수한 성능을 보였다. 이러한 낮은 접촉저항으로 인하여 전기전도도가 개선되어 연료전지의 성능이 향상됨을 확인하였다. 마그네슘 모재의 낮은 밀도와 기계가공의 용이성 때문에 동일한 연료전지 스택의 출력을 기준으로 약 30~40 %의 중량절감이 가능한 것으로 판단되었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제43권3호
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• pp.352-359
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• 2005

본 논문에서는 암모니아의 전해 분해를 위한 분리막 반응기의 음극방 및 양극방에서 물의 전해에 따른 암모니아 용액의 pH 변화가 고찰되었으며, 단위 전해 셀이 적층된 다단 전해 반응기에서의 암모니아의 연속식 분해 특성이 평가되었다. 분리막을 가지는 반응기에서 암모니아 용액의 전해 반응 시, 양극에서는 pH가 8 이하에서부터 수소 이온이 생성되는 물 분해 반응이 일어나며, 음극에서는 pH가 11 이상에서부터 수산기 이온이 생성되는 물 분해 반응이 일어나 암모니아 용액의 pH를 변화시켜 암모니아 전해 분해에 영향을 크게 미쳤으며, 음이온 교환막을 사용하는 경우가 양이온 교환막을 사용하는 경우보다 양극방에서 암모니아 분해에 유리한 알카리 분위기를 보다 효과적으로 유지할 수 있었다. 분리막 전해 반응기의 특성을 이용하여 자체 pH 조정 기능을 가지는 연속식 암모니아 전해 반응기가 새롭게 고안하였고, 여기서는 pH-조정조 탱크 용액을 두고 이의 용액 일부를 음극방으로 순환시킴으로써, 양극방으로 주입되는 pH-조정조의 용액의 pH를 높여 암모니아 분해율을 높일 수 있었다. 또한, 그러한 반응기를 이용한 salt-free 연속식 암모니아 전해 분해 공정이 제시되었으며, 이러한 공정에서는 염소 이온을 가지는 암모니아 용액의 80％까지 연속적으로 암모니아를 환경에 무해한 질소로 분해 시킬 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.71-72
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• 2007

In this study, we investigated the fabrication of MLR (multi-layer resist) with a very thin diamond-like carbon (DLC) layer. ArF PR/$SiO_2$/DLC MLR structure was investigated and etching characteristics of the DLC layer was patterned using $SiO_2$ hard-mask by varying the process parameters such as different high-frequency/low-frequency combination ($f_{LF}/f_{HF}$), HF/LF power ratio ($P_{HF}/P_{LF}$), $O_2$ flow and $N_2$ flow rate in $O_2/N_2$/Ar plasmas. The results indicated an increased etch rate of DLC for the higher $f_{LF}/f_{HF}$ combination and for the increased low-frequency power ($P_{LF}$). And the etch rate of DLC was decreased with increasing the $N_2$ flow rate in $O_2/N_2$/Ar plasmas. In order to confirm the application of DLC MLR for the etching process of silicon oxide, the stack of ArF PR/BARC/$SiO_2$/DLC/TEOS/Si was investigated.

• 한국재료학회지
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• 제29권8호
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• pp.463-468
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• 2019

The electrical and interfacial properties of $HfO_2/Al_2O_3$ and $Al_2O_3/HfO_2$ dielectrics on AlN/p-Ge interface prepared by thermal atomic layer deposition are investigated by capacitance-voltage(C-V) and current-voltage(I-V) measurements. In the C-V measurements, humps related to mid-gap states are observed when the ac frequency is below 100 kHz, revealing lower mid-gap states for the $HfO_2/Al_2O_3$ sample. Higher frequency dispersion in the inversion region is observed for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample, indicating the presence of slow interface states A higher interface trap density calculated from the high-low frequency method is observed for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample. The parallel conductance method, applied to the accumulation region, shows border traps at 0.3~0.32 eV for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample, which are not observed for the $Al_2O_3/HfO_2$ sample. I-V measurements show a reduction of leakage current of about three orders of magnitude for the $HfO_2/Al_2O_3$ sample. Using the Fowler-Nordheim emission, the barrier height is calculated and found to be about 1.08 eV for the $HfO_2/Al_2O_3$ sample. Based on these results, it is suggested that $HfO_2/Al_2O_3$ is a better dielectric stack than $Al_2O_3/HfO_2$ on AlN/p-Ge interface.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제16권2호
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• pp.1-17
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• 1991

The purpose of this study was to analyze the in vivo amalgam corrosion products qualitatively. 30 molars with large, intact amalgam restorations were selected. All the restorations were more than 5 years old. Twenty of the removed amalgams were embedded in acrylic resin block. The exposed surfaces of fifteen embedded amalgams were polished by amalgam polishing kit, and the rest were observed without polishing. The remaining 10 amalgams were fractured centrally and perpendiculary to the occlusal surface with a wire-cutter. After all specimens were cleaned ultrasonically in distilled water, each surface was examined under S.E.M. and E.D.A.X. (Energy Dispersive Micro X-ray Analyzer) to determine the morphology and chemical nature of the corrosion products. The following results were obtained: 1. The surfaces of the unpolished amalgam restorations were covered with thin amorphous layer of Sn-Ca-P-S complex with numerous cracks. 2. In the conventional amalgams, the major corrosion products were Sn-Cl phases however, tin oxide phases were also observed. 3. Only tin oxide phase was identified in the high copper amalgam, but it was less frequently observed than in the conventional amalgam. 4. It was easier to observe the corrosion product morphology in the fractured surfaces than in the polished ones. The morphologies of the corrosion product crystals looked like a stack of slightly bended plates in the Sn-Cl phases and polyhedra or polygonal prisms in the tin oxide phases.