• BMB Reports
• /
• 제41권2호
• /
• pp.164-169
• /
• 2008

The tumor suppressor gene p53 regulates apoptotic cell death and the cell cycle. In this study, we investigated the role of p53 in nitric oxide (NO)-induced apoptosis in vascular smooth muscle cells (VSMCs). We found that the NO donor S-nitroso-N-acetyl-penicillamine (SNAP) increased apoptotic cell death in p53-deficient VSMCs compared with wild-type cells. The heme oxygen-ase (HO) inhibitor tin protoporphyrin IX reduced the resistance of wild-type VSMCs to SNAP-induced cell death. SNAP promoted HO-1 expression in both cell types. HO-2 protein was increased only in wild-type VSMCs following SNAP treatment; however, similar levels of HO-2 mRNA were detected in both cell types. SNAP significantly increased the levels of non-heme-iron and dinitrosyl iron-sulfur clusters in wild-type VSMCs compared with p53-deficient VSMCs. Moreover, pretreatment with FeSO4 and the carbon monoxide donor CORM-2, but not biliverdin, significantly protected p53-deficient cells from SNAP-induced cell death compared with normal cells. These results suggest that wild-type VSMCs are more resistant to NO-mediated apoptosis than p53-deficient VSMCs through p53-dependent up-regulation of HO-2.

• 한국재료학회지
• /
• 제10권3호
• /
• pp.223-226
• /
• 2000

산소 결핍 페라이트 (oxygen deficient ferrites, ODF) $MeFe_2O_{4-\delta}$는 약 $300^{\circ}C$의 낮은 온도에서 $CO_2$를 C와 $O_2$로 분해한다. 본 연구에서는 $(Ni_x,\;Zn_{1-x}Fe_2_4$ 초미세 페라이트 분말을 수열합성법으로 제조하여 $CO_2$ 분해특성을 살펴보았다. 제조된 페라이트는 XRD 분석 결과, 페라이트의 전형적인 스피넬 구조를 보여주고 있으며, ICP-AES, EDS 정량분석에 의하여 초기 혼합 조성비와 거의 동일한 조성비로 합성되었음을 알 수 있었다. 제조된 (Ni, Zn)-ferrites 분말의 BET 비표면적은 약 $110\textrm{mg}^2$/g$ 이상의 큰 값으로 나타났으며, 입자크기는 약 5~10nm로 매우 작았다. 산소결핍 페라이트 $(Ni_x,\;Zn_{1-x})Fe_2O_{4-{$\delta}}$의 $CO_2$ 분해 효율은 조성에 따라 큰 차이를 보이지 않았으며 3원계 (Ni, Zn)-ferrite가 Ni-ferrite보다 더 높았다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제41권5호
• /
• pp.410-416
• /
• 2004

초음파 여기 페라이트 플레이팅(ultrasound-enhanced ferrite plating)법으로 복잡한 형상을 가진 코디어라이트 허니컴에 마그네타이트(Fe$_3$O$_4$)를 코팅하고, 제조 공정 조건의 변화가 마그네타이트 코팅 막의 형성과 미세구조에 미치는 영향에 대해 고찰하였다. 또한, 수소 환원과정을 통해 제조된 산소부족형 마그네타이트 막을 이용하여 코팅막의 형성조건이 $CO_2$가스 분해 특성에 미치는 영향에 대해 검토하였다. pH 완충제($CH_3$COONH$_4$)의 몰농도가 증가함에 따라 제조된 허니컴에 코팅된 마그네타이트 막의 평균 입자 크기는 약 200∼250 nm로 증가하였다. 이들 코팅막을 30$0^{\circ}C$에서 2시간동안 수소 환원시켜 산소부족형 마그네타이트를 만든 후 $CO_2$ 가스 중에서 온도를 올리면서 반응기 내부의 압력변화를 측정한 결과, 약 315∼34$0^{\circ}C$를 시작으로 $CO_2$가 분해하면서 반응기 내부의 압력이 감소하였다. 350"$^{\circ}C$에서 수소 환원된 시편에서는 산소부족형 마그네타이트와 일부 $\alpha$-Fe 상이 나타났다. 허니컴에 코팅된 마그네타이트의 수소 환원 및 $CO_2$ 가스 분해 과정에서 생기는 중량 변화를 측정한 결과 수소 환원 과정에서 약 320∼34$0^{\circ}C$에서부터 급격한 중량감소가 일어났고, $CO_2$ 가스 분해 과정에서는 중량의 증가가 나타났다.

• 한국해양학회지:바다
• /
• 제15권3호
• /
• pp.115-123
• /
• 2010

본 조사는 양양 남대천 하구에서 발생하는 빈산소 수괴의 발생 시기 및 영역을 파악하고 빈산소 수괴가 형성되는 원인을 추정하기 위해서 수행되었다. 현장조사는 2008년 4월부터 11월까지 6회에 걸쳐 하구 유역 5개 정점에서 수환경과 퇴적물환경을 조사하였다. 양양 남대천 하구입구에는 해안사주가 발달해 있으며, 하구입구로부터 2.3 km 상류부근까지 주변에 비해 수심이 깊고 폭이 좁은 소(pool)가 형성되어 있었다. 양양 남대천 하구에서 빈산소 수괴는 소를 중심으로 5월에 발생되어 10월까지 약 6개월간 지속적으로 출현하였다. 빈산소 수괴의 수직적 범위는 8월에 저층에서 수심 2 m까지 상승하였으며, 빈산소 수괴가 최대로 확장되는 수평적 범위는 하구입구로부터 2.3 km 부근 상류까지였다. 퇴적물의 강열감량은 평균 7.5~9.0%, 산 휘발성 황화물 농도는 평균 $0.282{\sim}1.106\;mg/g{\cdot}dry$ wt로 유기물의 함량이 높았으며, 염분성층과 빈산소 수괴가 형성된 시기에 저층의 암모니아 질소 농도는 표층에 비해 4~23배 높게 유지되었다. 양양 남대천 하구에서는 해수가 하구로 침투하여 수심이 깊은 소에 채워지면서 강한 염분약층이 형성되었고 소를 중심으로 퇴적된 다량의 유기물질에 의해서 저층의 산소가 소모되면서 빈산소 수괴가 형성되는 것으로 판단되었다.

• Journal of Magnetics
• /
• 제10권4호
• /
• pp.137-141
• /
• 2005

We confirmed that the improvement in properties of magnetic tunnel junctions prepared by radical oxidation after thermal treatment was mostly resulted from the redistribution of oxygen at the $AIOx/Co_{90}Fe_{10}$ interface. The as-deposited Al oxide barrier was oxygen-deficient but most of it re-oxidized into $Al_2O_3$, the thermodynamically stable stoichiometric phase, through thermal treatment. As a result, the effective barrier height was increased from 1.52 eV to 2.27 eV. On the other hand, the effective barrier width was decreased from 8.2 ${\AA}$ to 7.5 ${\AA}$. X-ray absorption spectra of Fe and Co clearly showed that the oxygen in the CoFe layer diffused back into the Al barrier and thereby enriched the barrier to close to a stoichiometirc $Al_2O_3$ phase. The oxygen bonded with Co and Fe diffused back by 6.8 ${\AA}$ and 4.5 ${\AA}$ after thermal treatment, respectively. Our results confirm that controlling the chemical structures of the interface is important to improve the properties of magnetic tunnel junctions.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제30권8호
• /
• pp.484-490
• /
• 2017

We investigated the rewritable operation of a non-volatile memory device composed of Al (top)/$TiO_2$/indium-zinc-oxide (IZO)/Al (bottom). The oxygen-deficient IZO layer of the device was spin-coated with 0.1 M indium nitrate hydrate and 0.1 M zinc acetate dehydrate as precursor solutions, and the $TiO_2$ layer was fabricated by atomic layer deposition. The oxygen vacancies IZO layer of an active component annealed at $400^{\circ}C$ using thermal annealing and it was proven to be in oxygen vacancies and oxygen binding environments with OH species and heavy metal ions investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The device, which operates at low voltages (less than 3.5 V), exhibits non-volatile memory behavior consistent with resistive-switching properties and an ON/OFF ratio of approximately $3.6{\times}10^3$ at 2.5 V.

• 한국자기학회지
• /
• 제16권1호
• /
• pp.45-50
• /
• 2006

졸-겔(sol-gel)방법으로 제작된 산소 결핍된 anatase 및 rutile구조의 $TiO_{2-\delta}$ 박막에 대하여 철(Fe)도핑에 의하여 생겨나는 전기적, 자기적 특성의 변화를 조사분석 하였다. 진동 시료 자화율(vibrating sample magnetometry; VSM)과 뫼스바우어 분광(conversion electron Mossbauer spectroscopy, CEMS) 측정을 통하여 Fe 도핑된 anatase 및 rutile $TiO_{2-\delta}$ 박막들에서 모두 상온에서 강자성(ferromagnetism)특성이 나타남이 관측되었다. VSM측정 결과 같은 양의 Fe도핑에 대하여 anatase 시료는 rutile 시료보다 더 큰 자기모멘트 값을 나타내었고 CEMS측정으로부터 팔면체 $Ti^{4+}$자리에 치환된 $Fe^{3+}$이온이 시료가 나타내는 강자성 특성에 주로 기여하는 것으로 해석된다. 홀 효과(Hall effect)측정 결과 anatase $TiO_{2-\delta}:Fe$ 박막은 상온에서 p-type특성을 보였으나 관측된 강자성은 he]e carrier 농도와는 무관한 것으로 해석된다. $TiO_{2-\delta}:Fe$ 박막에서 관측된 강자성 특성은 산소결핍자리(oxygen vacancy)에 갇힌 전자를 매개로 하여 이웃한 두 $Fe^{3+}$ 이온들 간에 존재하게 되는 직접적인 강자성 결합(direct ferromagnetic coupling)에 기인한 것으로 해석될 수 있다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제16권9호
• /
• pp.62.2-62
• /
• 2003

Material Characteristics of zirconium oxide thin films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition on p-type Si(100) substrates were investigated to explain their unable electrical properties. The films obtained without heating had polycrystalline nanograins that are mostly of a tetragonal phase under oxygen-deficient plasma conditions but transformed into a monoclinic phase with increasing $O_2$ addition in the plasma. Mostly amorphous bulk $ZrO_2$ with a relatively thicker and smoother interfacial layer was obtained from oxygen-rich plasmas, resulting in a decrease in both the overall dielectric constant and the leakage current density. the interfacial layer formed between the bulk $ZrO_2$ and Si substrate was analyzed to be zirconium silicate, which approached $SiO_2$ as its zirconium content decreased with the increasing gas phase $O_2$ content.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
• /
• pp.487-488
• /
• 2008

SiOC films containing alkyl groups have a low dielectric constant because of the interaction between the C-H hydrogen bonds and the oxygen of high electro-negative atom. The Si-$CH_3$ in a void is broken by the $O_2$, therefore the strength of CH bond in Si-O-O-$CH_3$ bond increases. The Si-O-O-$CH_3$ bond is broken by nucleophilic attack due to Si atom, again. The elongation of C-H bond causes the red shift, and the compression of C-H bond causes the blue shift. Among these chemical shifts, the blue shift from $1000\;cm^{-1}$ to $1250\;cm^{-1}$ was related with the formation of pores. If the oxygen is deficient condition, the methylradicals of the electron-rich substitution group terminate easily the Si-O-Si cross-link, and the pore is originated from the cross-link breakdown due to much methyl radicals of Si-$CH_3$. The dielectric constant of the films decreases due to pore generation.

• 한국분말재료학회지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.489-495
• /
• 2008

Colored tantalum oxy-nitride (TaON) and tantalum nitride ($Ta_{3}N_{5}$) were synthesized by ammonolysis. Oxygen deficient tantalum oxides ($TaO_{1.7}$) were produced by a titration process, using a tantalum chloride ($TaCl_5$) precursor. The stirring speed and the amount of $NH_{4}OH$ were important factors for controling the crystallinity of tantalum oxides. The high crystallinity of tantalum oxides improved the degree of nitridation which was related to the color value. Synthesized powders were characterized by XRD, SEM, TEM and Colorimeter.