1 |
N. Duraisamy, N. M. Muhammad, H. C. Kim, J. D. Jo, and K. H. Choi, Thin Solid Films, 520, 5070 (2012). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.03.003]
DOI
|
2 |
J. C. Bernede and T. Abachi, Thin Solid Films, 131, L61 (1985). [DOI: https://doi.org/10.1016/0040-6090(85)90153-1]
DOI
|
3 |
K. Eshraghian, K. R. Cho, O. Kavehei, S. K. Kang, D. Abbott, and S. M. Kang, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 19, 1407 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1109/TVLSI.2010.2049867]
DOI
|
4 |
S. H. Kim and Y. K. Choi, IEEE Trans. Electron Dev., 56, 3049 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2009.2032597]
DOI
|
5 |
D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature, 453, 80 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1038/nature06932]
DOI
|
6 |
Y. S. Rim, H. S. Lim, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 3565 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1021/am302722h]
DOI
|
7 |
M. Katayama, S. Ikesaka, J. Kuwano, Y. Yamamoto, H. Koinuma, and Y. Matsumoto, Appl. Phys. Lett., 89, 242103 (2006). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2404980]
DOI
|
8 |
Y. C. Shin, J. W. Song, K. M. Kim, B. J. Choi, S. Choi, H. J. Lee, G. H. Kim, T. Y. Eom, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 92, 162904 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2912531]
DOI
|
9 |
S. E. Ahn, M. J. Lee, Y. Park, B. S. Kang, C. B. Lee, K. H. Kim, S. Seo, D. S. Suh, D. C. Kim, J. Hur, W. Xianyu, G. Stefanovich, H. Yin, I. K. Yoo, J. H. Lee, J. B. Park, I. G. Baek, and B. H. Park, Adv. Mater., 20, 924 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.200702081]
DOI
|
10 |
J. R. Contreras, H. Kohlstedt, U. Poppe, R. Waser, C. Buchal, and N. A. Pertsev, Appl. Phys. Lett., 83, 4595 (2003). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.1627944]
DOI
|
11 |
L. Goux, J. G. Lisoni, M. Jurczak, D. J. Wouters, L. Courtade, and C. Muller, J. Appl. Phys., 107, 024512 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3275426]
DOI
|
12 |
S. Lee, H. Kim, D. J. Yun, S. W. Rhee, and K. Yong, Appl. Phys. Lett., 95, 262113 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3280864]
|
13 |
S. Kim, H. Moon, D. Gupta, S. Yoo, and Y. K. Choi, IEEE Trans. Electron Dev., 56, 696 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2009.2012522]
DOI
|
14 |
J. W. Seo, J. W. Park, K. S. Lim, S. J. Kang, Y. H. Hong, J. H. Yang, L. Fang, G. Y. Sung, and H. K. Kim, Appl. Phys. Lett., 95, 133508 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3242381]
DOI
|
15 |
I. S. Park, K. R. Kim, S. Lee, and J. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., 46, 2172 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1143/JJAP.46.2172]
DOI
|
16 |
D. S. Jeong, H. Schroeder, and R. Waser, Electrochem. Solid-State Lett., 10, G51 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1149/1.2742989]
DOI
|
17 |
S. Kim, O. Yarimaga, S. Choi, and Y. Choi, Solid-State Electron., 54, 392 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.10.021]
DOI
|
18 |
J. Yun, K. Cho, B. Park, B. H. Park, and S. Kim, J. Mater. Chem., 19, 2082 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1039/B817062B]
DOI
|
19 |
P. Barquinha, A. Pimentel, A. Marques, L. Pereira, R. Martins, and E. Fortunato, J. Non-Cryst. Solids, 352, 1749 (2006). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.01.067]
DOI
|
20 |
M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, S. E. Ahn, D. H. Seo, I. K. Yoo, I. G. Baek, D. S. Kim, I. S. Byun, S. H. Kim, I. R. Hwang, J. S. Kim, S. H. Jeon, and B. H. Park, Adv. Mater., 19, 73 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.200601025]
DOI
|
21 |
K. Song, Y. Jeong, T. Jun, C. Y. Koo, D. Kim, K. Woo, A. Kim, J. Noh, S. Cho, and J. Moon, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 05EB02 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1143/JJAP.49.05EB02]
|
22 |
B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, R. Beresford, and D. C. Paine, Appl. Phys. Lett., 89, 062103 (2006). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2335372]
DOI
|
23 |
L. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory, 18, 507 (1971). [DOI: https://doi.org/10.1109/TCT.1971.1083337]
DOI
|
24 |
D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature, 453, 80 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1038/nature06932]
DOI
|
25 |
H. Ha and O. Kim, Appl. Phys. Lett., 93, 033309 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2960998]
DOI
|
26 |
S. H. Jeong, Y. G. Ha, J. H. Moon, A. Facchetti, and T. J. Marks, Adv. Mater., 22, 1346 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.200902450]
DOI
|
27 |
H. Bong, W. H. Lee, D. Y. Lee, B. J. Kim, J. H. Cho, and K. Cho, Appl. Phys. Lett., 96, 192115 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3428357]
DOI
|
28 |
L. O. Chua and S. M. Kang, Proc. IEEE, 64, 209 (1976). [DOI: https://doi.org/10.1109/PROC.1976.10092]
DOI
|
29 |
D. H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. S. Li, G. S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol., 5, 148 (2010). [DOI: https://doi.org/ 10.1038/nnano.2009.456]
DOI
|
30 |
G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, W. J. Park, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 156, H7 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1149/1.2976027]
DOI
|
31 |
L. Chua, Memristor Networks (Springer, Switzerland, 2014) p. 21-51. [DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-319-02630-5_3]
|
32 |
L. Wang, Z. Su, and C. Wang, Appl. Phys. Lett., 100, 213303 (2012). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.4721518]
DOI
|