ZnO films have been grown easily with the conventional thermal evaporation method on SiO$\_$2/ coated Si wafers. Anhydrous zinc acetate has been used as evaporation source. Zinc-acetate was directly heated in the laboratory-made brass boat. Zinc-acetate was sublimed at the boat temperature of about 220.deg. C. The substrates were heated to 600.deg. C with home made tantalium heater. Oxygen has been flowed into the deposition chamber to change the partial pressure of oxygen. X-ray diffraction patterns showed all the films to be amorphous. The films deposited at high oxygen pressure exhibit higher resistivity than films at low pressure. Energy dispersive spectroscopy(EDS) and rutherford backscattering spectrometry(RBS) were conducted on the films to reveal the composition of the ZnO films.
The effects of sintering temperature and oxygen partial pressure on the electromagnetic properties of Mn-Zn ferrites were investigated. The grain increased with increasing temperature. The power loss at 100 kHz was decreased, while the power loss at 500 kHz was increased as the grain size increased with sintering temperature. Sintering with low oxygen partial pressure at 115$0^{\circ}C$ resulted in high density and initial permeability, and decreased the power loss at 100 kHz and 500 kHz. The oxygen partial pressure lower than 10-2 atm. during heating, significantly suppressed the hysteresis loss. However, the oxygen activity did not affect the grain size of sintered cores.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
/
v.37
no.10
/
pp.879-886
/
2013
This study aims to provide helpful suggestions for understanding the effect of high EGR on DME HCCI combustion. This study determined which between oxygen partial pressure and oxygen concentration was the main factor affecting the LTHR heating ratio. Furthermore, EGR and the supercharging effect were investigated. To define the parameters for the EGR ratio and supercharging pressure, a numerical analysis of the chemical reaction was conducted under the following conditions: (1) variation of EGR ratio, oxygen concentration, and oxygen content; (2) variation of oxygen partial pressure while the oxygen concentration was almost constant; and (3) variation of oxygen concentration while oxygen partial pressure was constant with EGR and supercharging. The results show that an increase in EGR reduces the combustion duration. On the other hand, an increase in boost pressure increases the combustion duration. Finally, the EGR and boost pressure affect the amount of increase in LTHR.
A non-volatile resistive random access memory (RRAM) device with a Cr-doped $SrZrO_3/SrRuO_3$ bottom electrode heterostructure was fabricated on $SrTiO_3$ substrates using pulsed laser deposition. During the deposition process, the substrate temperature was $650^{\circ}C$ and the variable ambient oxygen pressure had a range of 50-250 mTorr. The sensitive dependences of the film structure on the processing oxygen pressure are important in controlling the bistable resistive switching of the Cr-doped $SrZrO_3$ film. Therefore, oxygen pressure plays a crucial role in determining electrical properties and film growth characteristics such as various microstructural defects and crystallization. Inside, the microstructure and crystallinity of the Cr-doped $SrZrO_3$ film by oxygen pressure were strong effects on the set, reset switching voltage of the Cr-doped $SrZrO_3$. The bistable switching is related to the defects and controls their number and structure. Therefore, the relation of defects generated and resistive switching behavior by oxygen pressure change will be discussed. We found that deposition conditions and ambient oxygen pressure highly affect the switching behavior. It is suggested that the interface between the top electrode and Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite plays an important role in the resistive switching behavior. From I-V characteristics, a typical ON state resistance of $100-200\;{\Omega}$ and a typical OFF state resistance of $1-2\;k{\Omega}$, were observed. These transition metal-doped perovskite thin films can be used for memory device applications due to their high ON/OFF ratio, simple device structure, and non-volatility.
A nonlinear acoustic instability of subcritical liquid-oxygen droplet flames burning in gaseous hydrogen environment are investigated numerically. Emphases are focused on the effects of finite-rate kinetics by employing a detailed hydrogen-oxygen chemistry and of the phase change of liquid oxygen. Results show that if nonlinear harmonic pressure oscillations are imposed, larger flame responses occur during the period that the pressure passes its temporal minimum, at which point flames are closer to extinction condition. Consequently, the flame response function, normalized during one cycle of pressure oscillation, increases nonlinearly with the amplitude of pressure perturbation. This nonlinear response behavior can be explained as a possible mechanism to produce the threshold phenomena for acoustic instability, often observed during rocket-engine tests.
Im, T.M.;Park, J.Y.;Kim, H.J.;Choi, H.K.;Jung, K.W.;Jung, D.
Bulletin of the Korean Chemical Society
/
v.29
no.2
/
pp.427-430
/
2008
BaTiO3 and SrTiO3 thin films were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by the pulsed laser deposition process. The dependence of the deposited film quality upon the partial oxygen pressure during the deposition process was importantly examined. Regardless of the oxygen pressure, the as-deposited films were not fully crystallized. However, the film deposited at low oxygen pressure became well crystallized after the annealing process. It was concluded, therefore, that the partial oxygen pressure is reduced as low as possible during the deposition process and then anneal the as-deposited samples at ambient pressure to fabricate the well crystallized SrTiO3 and BaTiO3 films by laser ablation.
In this study, we investigated the oxygen partial pressure effect of ITO films for electrodes of oxide-based Thin-Film Transistor (TFT). Firstly, we deposited single ITO films on the glass substrate at room temperature. ITO films were prepared at the various partial pressures of oxygen gas 0-7.4% (O2/(Ar+O2)). As increasing oxygen on the process of film deposition, electrical properties were improved and optical transmittance increased in the visible light range (300-800 nm). For the electrode of TFT, we fabricated a TFT device (W/L=1000/200 ㎛) with ITO films as the source and drain electrode on the silicon wafer. Except for the TFT device combined with ITO film prepared at the oxygen partial pressure ratio of 7.4%, We confirmed that TFT devices with ITO films via FTS system operated as a driving device at threshold voltage (Vth) of 4V.
This paper is devoted to a study of the characterization of the plasma state. For the purpose of monitoring plasma condition, we experiment on reactive ion etching (RIE) process. Without actual etch process, generated oxygen plasma, measurement of plasma emission intensity. Changing plasma process parameters, oxygen flow, RF power and chamber pressure have controlled. Using the optical emission spectroscopy (OES), we conform to the unique oxygen wavelength (777nm), the most powerful intensity region of the designated range. Increase of RF power and chamber pressure, emission intensity is increased. oxygen flow is not affect to emission intensity.
In the present work, the high temperature oxygen pressure leaching behavior of chalcopyrite was studied in sulfuric acid solution. The influence of leaching time, temperature and oxygen partial pressure on leaching process were examined. Leaching rate of copper increased significantly with increasing leaching temperature. Copper recovery reached 87.1% within 2 hours at $200^{\circ}C$ and 10 atm oxygen pressure, while most of the solubilized iron readily re-precipitates as hematite($Fe_2O_3$). It was confirmed that e main leach reaction of chalcopyrite occurred through oxidation with oxygen under oxygen pressure and high temperature(above $150^{\circ}C$). Because sulfur was oxidized entirely to sulfate, passivating elemental sulfur layer was not formed.
The purpose of this study was to investigate the effect of body fat on energy metabolic response and subjective sensations under the hot environment. Fifteen female university students volunteered as subjects. We organized subjects into three groups: low body fat group(group L : less than 20% of body fat), medium body fat group(group M : 20%~30% of body fat) and high body fat group(group H: more than 30% of body fat). The experiment was conducted with $32^{\circ}C$, 60%RH. The subjects repeated 'Exercise' and 'Rest' period. The results of this study are as follows ; The oxygen uptake value of AM is higher than PM. The value of group H is the highest in three fat groups. But it showed group L is the highest in oxygen uptake per weight. %body fat is the lower, oxygen uptake is the higher. In Calorie, group L has higher value in AM in than in PM. In M group and group H, a value of PM is higher than AM. In group H, difference of AM and PM is the highest. From a view point of three groups, a value of group H is the highest. This support that calorie increases as oxygen uptake increase. The heart rate values of group L and group H are the higher in AM than in PM. This support that heart rate was relation to oxygen uptake. In all three groups, the value of blood pressure is higher in AM than in PM. Subjective sensations of temperature sensation, thermal comfort, and wetness sensation are higher in Am than in Pm. This explains that subject sensations are similar to experimental data, such as oxygen uptake, heart rate, blood pressure. In oxygen uptake, heart rate and blood pressure, general tend to showed higher AM than PM. This showed that heart rate, oxygen uptake increase in AM, as blood pressure increase, too. From a view point of %body fat, group H is higher than the others in oxygen uptake, heart rate and blood pressure.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.