A novel tetrathiafulvalene (TTF)-based main-chain polymer (6TTF-polymer) was successfully synthesized via a condensation polymerization between a newly synthesized dihydroxy TTF derivative and a malonyl chloride, and its chemical structure was characterized by spectroscopic techniques. Molecular weight of the 6TTF-polymer (9,030 g/mol by gel permeation chromatography) was large enough to form the ductile film. The electrochemical and optical properties of the 6TTF-polymer were further estimated by cyclic voltammetry, ultraviolet and photoluminescence spectroscopes. The highest occupied molecular orbital level ($E_{HOMO}$=-4.79 eV) and band-gap energy ($E_g$=1.91 eV) of the 6TTF-polymer suggested that TTF-based polymer could act as a good electron donating material for the optoelectronic applications.
Lee, Jae Hyung;Shin, Jae Hyeok;Lee, Sang Il;Park, Won Il
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.27
no.1
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pp.9-15
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2020
The 'field-effect' underlies the operation of most conventional electronic devices. However, effective control and implementation of the field-effect in semiconductor devices are limited due to screening of the electric-field by conducting electrodes. Thus far, the electronic devices have necessarily been designed to avoid or minimize the electric-field screening effect. As an alternative approach to this, a new type of conducting electrodes which would be transparent to both visible light and electric-field while being electrically conductive have been developed. Here, we define these electrodes as 'electric-field transparent electrodes' and provide a review on related work. Particular attention is paid to the material selection and design strategies to enhance the electric-field transparency of the electrodes while maintaining good electrical conductivity and optical transparency. We then introduce potential applications of the electric-field transparent electrodes in electronic and optoelectronic devices.
Kim, Byung-Soon;Kim, Su-Ho;Matsumoto, Shinya;Son, Young-A
Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
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2011.03a
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pp.63-63
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2011
The donor-${\pi}$-acceptor (D-${\pi}$-A) chromophoric dye system has received great attention in variety fields such as electroluminescent materials, sensors and optoelectronic devices. There are many research activities focused on the development for abovementioned application materials with the high-performance properties. In the previous work, we are reported that novel D-${\pi}$-A dye, 2-[4-(9H-carbazol-9-yl)benzylidene]-2,3-dihydroinden-1-one, is successfully attained and exhibited a positive fluorescence solvatochromism. In this work, the molecular structure and packing geometry of 2-[4-(9H-carbazol-9-yl)benzylidene]-2,3-dihydroinden-1-one was discussed by their conformational structure. Their single yellow prism crystal having approximate dimensions of $0.30{\times}0.10{\times}0.10$ mm was carried out with a Rigaku RAXIS RAPID imaging plate area detector with graphite monochromated $CuK_{\alpha}$ radiation. Their crystal structure were solved by using the CrystalStructure crystallographic software package.
Proceedings of the Polymer Society of Korea Conference
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2006.10a
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pp.304-304
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2006
The possibility to develop optoelectronic devices with improved properties by controlling the degree of organization at the molecular level of organic materials has been driving the design of new ${\pi}-conjugated$ systems. In particular, the organization by self-assembling processes (${\tilde{\Box}}{\d{\Box}}}$ interactions, hydrogen bonding) of well-defined oligomeric systems such as disubstituted oligothiophene derivatives has been demonstrated as a promising approach to conjugated materials with a high degree of structural order of the constituent building blocks. The self-organization of conjugated building blocks in solution or on surfaces, leading to the construction of nanoscopic and mesoscopic architectures, represents a starting point for the construction of molecular electronics or even circuits, through surface patterning with nanometer-sized objects.
Highly luminescent efficiency phosphors have been successfully produced by surface modification and microwave irradiation treatment. The SEM image and XRD analysis reveal that the surface morphology of the white-light phosphors can be notably modified by microwave irradiation and exhibit with better crystalline property. The VUV PL spectra show that the microwave irradiation treatment can effectively enhance the luminescent efficiency by a factor of 1.5 times for intensity compared to that without microwave treatment. A further improvement in all visible emission can be made by modifying surface composition through MgO coating on the phosphor powder. These results demonstrate that such a simple approach can provide for improving luminescent efficiency of phosphors for the optoelectronic devices.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.11a
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pp.202-205
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2002
The photoluminescence (PL) characteristics of the silicon-oxygen(Si-O) superlattice formed by molecular beam epitaxy (MBE) were studied. To confirm the presence of the nanocrystalline Si structure, Raman scattering measurement was performed. The blue shift was observed in the PL peak of the oxygen-annealed sample, compared to the hydrogen-annealed sample, which is due to a contribution of smaller crystallites. Our results determine the right direction for the fabrication of silicon-based optoelectronic and quantum devices as well as for the replacement of silicon-on-insulator (SOI) in high-speed and low-power silicon MOSFET devices in the future.
To overcome the theoretical efficiency of single-junction solar cells (> 30 %), tandem solar cells (or multi-junction solar cells) is considered as a strong nominee because of their excellent light utilization. Organic-inorganic halide perovskite has been regarded as a promising candidate material for next-generation tandem solar cell due to not only their excellent optoelectronic properties but also their bandgap-tune-ability and low-temperature process-possibility. As a result, they have been adopted either as a wide-bandgap top cell combined with narrow-bandgap silicon or CuInxGa(1-x)Se2 bottom cells or for all-perovskite tandem solar cells using narrow- and wide-bandgap perovskites. To successfully transition perovskite materials from for single junction to tandem, substantial efforts need to focus on fabricating the high quality wide- and narrow-bandgap perovskite materials and semi-transparent electrode/recombination layer. In this paper, we present an overview of the current research and our outlook regarding perovskite-based tandem solar technology. Several key challenges discussed are: 1) a wide-bandgap perovskite for top-cell in multi-junction tandem solar cells; 2) a narrow-bandgap perovskite for bottom-cell in all-perovskite tandem solar cells, and 3) suitable semi-transparent conducting layer for efficient electrode or recombination layer in tandem solar cells.
Metal halide perovskite nanocrystals, due to their high absorption coefficient, high diffusion length, and photoluminescence quantum yield, have received significant attention in the fields of optoelectronic applications such as highly efficient photovoltaic cells and narrow-line-width light emitting diodes. Their energy band structure can be controlled via chemical exchange of the halide anion or monovalent cations in the perovskite nanocrystals. Recently, it has been demonstrated that chemical exfoliation of the halide perovskite crystal structure can be achieved by addition of organic ligands such as n-octylamine during the synthetic process. In this study, we systematically investigated the quantum confinement effect of methylammonium lead bromide (CH3NH3PbBr3, MAPbBr3) nanocrystals by precise control of the crystal thickness via chemical exfoliation using n-octylammonium bromide (OABr). We found that the crystalline thickness consistently decreases with increasing amounts of OABr, which has a larger ionic radius than that of CH3NH3+ ions. In particular, a significant quantum confinement effect is observed when the amounts of OABr are higher than 60 %, which exhibited a blue-shifted PL emission (~ 100 nm) as well as an increase of energy bandgap (~ 1.53 eV).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.352.2-352.2
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2016
In recent times, much effort has been concentrated on trivalent rare-earth ions activated ceramics or oxide phosphors to develop display industries due to their promising applications in optoelectronic devices and field-emission displays. To prepare efficient phosphors, citrate sol-gel method is one of the best synthetic methods. Green and blue emissive CaLa2ZnO5:RE3+ nanocrystalline materials are synthesized by a citrate sol-gel method. After the samples annealing at $1100^{\circ}C$, morphological and structural properties are investigated by scanning electron microscope images and X-ray diffraction patterns, respectively. At low electron beam voltage of <5 kV, the visible photoluminescence properties are obtained. Various concentrations of the RE3+ ions exhibited their characteristic emission peaks at different excitation wavelengths, respectively. Similarly, at high electron beam anodic voltage, the cathodoluminescence properties are studied as a function of acceleration voltage and filament current. The chromaticity coordinates are calculated for the optimized CaLa2ZnO5 nanocrystalline luminescent materials.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.21
no.1
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pp.13-17
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2014
The direct-patternable $SnO_2$ thin film was successfully fabricated by photochemical metal-organic deposition. The composition and chemical bonding state of $SnO_2$ thin film were analyzed by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) from the surface to the interface with Si substrate. XPS depth profiling analysis allowed the determination of the atomic composition in $SnO_2$ film as a function of depth through the evolution of four elements of C 1s, Si 2p, Sn 3d, and O 1s core level peaks. At the top surface, nearly stoichiometric $SnO_2$ composition (O/Sn ratio is 1.92.) was observed due to surface oxidation but deficiency of oxygen was increased to the interface of patterned $SnO_2/Si$ substrate where the O/Sn ratio was about 1.73~1.75 at the films. This O deficient state of the film may act as an n-type semiconductor and allow $SnO_2$ to be applied as a transparent electrode in optoelectronic applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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