• 전기전자학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.260-266
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• 2013

DRAM 에서 folded bit line 대비 open bit line은 데이터 read나 write 동작시 노이즈(noise)에 취약하다. 6F2(F: Feature Size) 구조의 open bit line에서 DRAM 집적도 증가에 따라 코어(core) 회로부 동작 조건은 노이즈로부터 더욱 악화된다. 본 논문에서는 비트라인(bit line) 간 데이터 패턴의 상호 간섭 영향을 분석하여, 기존의 연구에서는 다루지 않았던 open bit line 방식에서 데이터 패턴 상호 간섭의 취약성을 실험적 방법으로 확인하였으며, 68nm Tech. 1Gb DDR2에서 Advan Test장비를 사용하여 실험하였다. 또한 open bit line 설계 방식에서 노이즈 영향이 DRAM 동작 파라미터(parameter) 특성 열화로 나타나는데, 이를 개선 할 수 있는 방법을 센스앰프 전원분리 실험으로 고찰하였다. 센스앰프 전원분리시 0.2ns(1.3%)~1.9ns(12.7%) 이상 개선될 수 있음을 68nm Tech. 1Gb DDR2 modeling으로 시뮬레이션 하였다.

• 센서학회지
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• 제10권6호
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• pp.295-303
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• 2001

형광체로서 ZnS를 사용하고 BST 강유전체 박막을 절연체로 사용한 전계발광소자를 제작하고 그 특성을 조사하였다. 형광체로는 청색 및 녹색발광을 위해 각각 $ZnS:AgF_3$와 ZnS:$TbF_3$를 사용하였으며 적색을 위해 ZnS:Mn과 $ZnS:SmF_3$를 사용했다. 이들의 형광체가 증착 도중에 분해되는 것을 막기 위해 석영관에 그들을 각각 봉입해서 열처리하여 결정화시킨 후에 진공증착원으로 사용하였다. 한편 절연층으로 사용한 BST박막은 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$세라믹스 타겟을 사용하여 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제조하였다. 이때 기판온도, 분위기압 및 작동기체인 $Ar:O_2$의 비가 각각 $400^{\circ}C$, 30 mTorr 및 9:1이였다. 각 형광체의 두께는 150 nm씩 합계 600 nm였고, 절연층은 상부가 400 nm 및 하두가 200 nm이었다. 이와 같이 만든 박막 전계발광소자의 발광 문턱전압은 $75\;V_{rms}$이고, 최고 휘도는 $100\;V_{rms}$에서 $3200\;cd/m^2$이었다. 그리고 절연층의 유전상수는 1 kHz에서 254이다.

• 한국재료학회지
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• 제26권2호
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• pp.67-72
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• 2016

$BaMoO_4:Tb^{3+}$ phosphor powders were synthesized with different concentrations of $Tb^{3+}$ ions using the solid-state reaction method. XRD patterns showed that all the phosphors, irrespective of the concentration of $Tb^{3+}$ ions, had tetragonal systems with two main (112) and (004) diffraction peaks. The excitation spectra of the $Tb^{3+}$-doped $BaMoO_4$ phosphors consisted of an intense broad band centered at 290 nm in the range of 230-330 nm and two weak bands. The former broad band corresponded to the $4f^8{\rightarrow}4f^75d^1$ transition of $Tb^{3+}$ ions; the latter two weak bands were ascribed to the $^7F_2{\rightarrow}^5D_3$ (471 nm) and $^7F_6{\rightarrow}^5D_4$ (492 nm) transitions of $Tb^{3+}$. The main emission band, when excited at 290 nm, showed a strong green band at 550 nm arising from the $^5D_4{\rightarrow}^7F_5$ transition of $Tb^{3+}$ ions. As the concentration of $Tb^{3+}$ increased from 1 to 10 mol%, the intensities of all the emission lines gradually increased, approached maxima at 10 mol% of $Tb^{3+}$ ions, and then showed a decreasing tendency with further increase in the $Tb^{3+}$ ions due to the concentration quenching effect. The critical distance between neighboring $Tb^{3+}$ ions for concentration quenching was calculated and found to be $12.3{\AA}$, which indicates that dipole-dipole interaction was the main mechanism for the concentration quenching of the $^5D_4{\rightarrow}^7F_5$ transition of $Tb^{3+}$ in the $BaMoO_4:Tb^{3+}$ phosphors.

• 한국자기학회지
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• 제10권3호
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• pp.99-105
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• 2000

두 종류의 유전체 층(A: $SiO_2$, B: T $a_2$ $O_{5}$ )을 주기적으로 적층한 구조에, Bi를 다량 치환한 가네트 박막(M: $Y_{1.93}$ B $i_{1.07}$F $e_{5}$ $O_{12}$ )을 결함층으로 삽입한 (A/B)$^{k}$ /M(B/A)$^{k}$ 의 구조를 갖는 1차원 자성 포토닉 결정의 자기 광학 특성을 수치해석하였다. 가시광과 적외선 영역에서 1차원 자성 포토닉 결정의 자성체 층의 두께( $d_{M}$)와 유전체 층의 적층수(k)를 변화시키며, 투과율(T)과 페러데이 회전각($\theta$$_{F}$ ) 및 성능지수(Q)를 조사하였다. 조사한 1차원 자성 포토닉 결정의 각 국재 모드에서의 페러데이 회전각 및 성능지수의 극대값들은 동일 조성의 단층 가네트 박막에 비해 수 배 내지 수 백 배 큰 값이 얻어졌다. 가시광 영역에서는 k = 11이고, $d_{M}$ = 375 nm일때, 최대값 Q = 0.15이 얻어졌다. 이 값은 단층의 가네트 막에 비해 약 30배 큰 값이며, 이 때의 = 720 nm, T = 0.54, $\theta$ = 8.13$^{\circ}$이었다. 적외선 영역에서는 k = 11이고, $d_{M}$ = 800 nm일때 , 최대값 Q = 0.285(단층 가네트 막에 비해 100배 큰 값)이 얻어졌고, 이 때의 = 1114 nm, T = 0.485, $\theta$$_{F}$ = 18$^{\circ}$이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.172-172
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• 2013

최근에 디스프로슘 이온이 도핑된 형광체의 백색 발광 현상 때문에 백색 발광 소재의 제조에 관한 연구가 상당한 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 $Eu^{3+}$와 $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비를 변화시키면서 $BaNb_2O_6:RE^{3+}$ (RE=Eu, Dy) 형광체 분말을 합성한 결과를 보고한다. 특히 활성제 이온인 $Eu^{3+}$와 $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비에 따른 $BaNb_2O_6$ 형광체 분말의 결정 구조, 입자의 모양과 크기, 흡광과 발광 스펙트럼의 변화를 관측하였고, 최적의 합성 조건을 제시하고자 한다. 파장 393 nm로 여기 시킨 $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비에 따른 $BaNb_2O_6$ 형광체 분말의 발광 스펙트럼은 580 nm에 주 피크를 갖는 황색 스펙트럼이 관측되었다. 이 발광 신호는 $^4F_{9/2}-^6H_{13/2}$ 전이 신호이다. $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비가 0 mol인 경우에는 발광 신호가 검출되지 않았다. $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비가 0.10 mol일 때 발광 피크의 세기는 최대이었으며, $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비가 더욱 증가함에 따라 발광 스펙트럼의 세기는 계속 증가하지 않고 갑자기 감소하기 시작하였다. 이것은 $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비가 임계값을 초과하여 더욱 증가하면 모체 격자들 사이에 치환 고용되어 있는 $Dy^{3+}$ 이온들 사이의 거리가 더욱 가까워져서 $Dy^{3+}$ 이온들이 서로 용이하게 결합함으로써 내부 산란에 의하여 발광의 세기가 감소함을 의미한다. 흡광 스펙트럼의 경우에, $Dy^{3+}$ 이온의 몰 비가 0.01 mol일때 형광체 분말은 두 종류의 흡광 스펙트럼을 나타내었다. 첫째는 $Dy^{3+}$ 양이온과 $O^{2-}$ 음이온들 사이에 발생한 전하 전달 밴드에 의해 발생하는 310 nm를 정점으로 하여 280~340 nm 영역에 걸쳐서 광범위하게 분포하는 흡광 신호가 관측되었으며, 둘째는 $Dy^{3+}$ 이온의 $4f^9$ 전자 배열 내에서 발생하는 4f-4f 전이 신호로서, 이것은 350~500 nm 영역에 걸쳐서 비교적 밴드폭이 좁은 다수의 흡광 신호가 나타났다. 본 실험에서는 다섯 개의 피크를 갖는 흡광 신호가 검출되었는데, 이중에서 제일 강한 주 피크인 393 nm의 흡수 파장은 모체 격자 내에 있는 $Dy^{3+}$ 이온의 바닥 상태인 $^6H_{15/2}$ 준위에서 여기 상태인 $^4F_{7/2}$ 인 에너지 준위로 전이하면서 발생한 신호이며, 이에 비하여 상대적으로 흡광 세기가 약한 370, 432, 458, 370 nm의 흡수 파장이 관측되었다.

• 한국입자에어로졸학회지
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• 제13권1호
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• pp.25-31
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• 2017

This paper offer the characteristics for the detection and classification of biological and non-biological aerosol particles in the air by using laser-induced-fluorescence (LIF) based Bio-aerosol Detection System (BDS). The BDS is mainly consist of an optical chamber, in-outlet nozzle system, 405 nm diode laser, an avalanche photo detector (APD) for scattering signal and photomultiplier tubes (PMT) for fluorescence signals in two different wavelength range ; F1, 510-600 nm and F2, 435-470 nm. The detection characteristics, especially ratio of fluorescence signal intensity were examined using well-known components : polystylene latex (PSL), fluorescence PSL, $2{\mu}m$ of SiO2 micro sphere, dried yeast, NADH, ovalbumin, fungicide powder and standard dust. The results indicated that the 405 nm diode laser-based LIF instrument can be a useful bio-aerosol detection system for unexpected biological threaten alter in real-time to apply for dual-use technology in military and civilian fields.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권6호
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• pp.712-717
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• 2014

The performance of npn SiGe HBT on thin film SOI is investigated at 32 nm technology node by applying body bias. An n-well is created underneath thin BOX to isolate the body biased SOI HBT from SOI CMOS. The results show that the HBT voltage gain and power gain can be programmed by applying body bias to the n-well. This HBT can be used in variable gain amplifiers that are widely used in the receiver chain of RF systems. The HBT is compatible with 32 nm FDSOI technology having 10 nm film thickness and 30 nm BOX thickness. As the breakdown voltage increases by applying the body bias, the SOI HBT with 3 V $V_{CE}$ has very high $f_tBV_{CEO}$ product (839 GHzV). The self heating performance of the proposed SOI HBT is studied. The high voltage gain and power gain (60 dB) of this HBT will be useful in designing analog/RF systems which cannot be achieved using 32 nm SOI CMOS (usually voltage gain is in the range of 10-20 dB).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.483-484
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• 2006

$Eu^{3+}$와 $Pr^{3+}$이 첨가된 $SrTiO_3$형광체를 고상반응법으로 제조하였다. $SrTiO_3:Pr$형광체는 $^3P_J(J=0,1,2){\rightarrow}^3H_4$에 의한 490nm 부근의 녹색발광과 $^1D_2{\rightarrow}^3H_4$에 의한 618nm 의 적색발광이 동시에 나타났다. $SrTiO_3:Eu$형광체는 $SrTiO_3:Pr$형광체와 달리 $^5D_0{\rightarrow}^7F_1$에 의한 583nm와 $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$에 의한 610nm의 적색발광만 각각 관찰되었다. $SrTiO_3$의 모체에서 $Eu^{3+}$는 inversion sysmmetry를 가짐으로써 610nm의 electric dipole transition 보다는 583nm의 magnetic dipole transition이 강하게 일어났다.

• 한국세라믹학회지
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• 제47권3호
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• pp.249-255
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• 2010

To investigate optical properties of (V, Pr)-doped $ZrSiO_4$ green pigments, samples were prepared by the ceramic method using NaF and NaCl as mineralizers. They were characterized by X-ray diffraction, UV-Vis spectroscopy and Raman spectroscopy. The changes of color in the samples during heating and effect of mineralizers were studied in terms of valence of the vanadium and praseodymium in the zircon matrix. (V, Pr)-doped $ZrSiO_4$ pigments give rise to green coloration in $800^{\circ}C$. The oxidation state of V and Pr ions of pigments in the glazed samples were confirmed by UV-Vis absorption spectra. This absorption spectra showed three typical bands of trivalent Pr at the 445, 480~490, 592 nm due to f-f transitions and two broad bands of 302~380, 400~500 nm due to f-d transitions of tetravalent Pr. According to the increasing amounts of $Pr_6O_{11}$, the two broad bands showed decreasing intensity at 290, 640 nm due to d-d transitions of tetravalent V.

• 한국레이저가공학회지
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• 제14권2호
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• pp.24-29
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• 2011

The design of a telecentric f-${\theta}$ lens with a field of view (FOV) $30^{\circ}$ and an effective focal length of 1000mm is presented. The optical stop is placed at the front plane and the design is based on a geometric ray tracing technique, and the designed system consists of a series of convex and concave lenses. The designed f-${\theta}$ lens showed a considerable reduction in weight with a simplified structure and resulted in a good performance in the designated FOV. Detail analysis of rays is also presented. 653nm (red laser), 586nm (green laser), and 468nm (blue laser) were simulated as a light source and image illuminating source. The developed optical design requires 7 pieces of lenses made of SF1, N-FK56, N-LAK33, and BK7 glass materials. With optimal parametric design, the effective focal length was calculated to be 974.839mm which is very close to the initial design target. For the manufacturing purpose, the dimensions of lens curvature and thickness were truncated with error ranging 0.1% to 3.2%. As a result, the overall error was calculated to be 3.2% which can be still tolerable for display, laser material, and machining processing.