본 논문에서는 마이크로파용의 전계효과 트랜지스터를 사용한 저잡음 주파수 변환기의 설계에 대하여 논의한다. 높은 안정도의 유전체공진기를 사용하였고 중간주파수단에서 불필요한 발진을 막기위해 대역통과 여파기를 사용하였다. 공진 주파수가 12.3GHz인 마이크로스트립 안테나를 믹서와 함께 동일한 기판 위에 집적시켰으며 고전자 이동 트랜지스터 3개를 사용한 저잡음 증폭기를 안테나 뒤에 부가하였다. 국부발진기의 출력주파수는 Ku 대역용으로서 11.3GHz로 하였다. 측정결과 12.0GHz에서 12.7GHz에 걸쳐 약 7~12dB의 이득을 보였으며, 중간주파수단에서의 잡음지수는 6dB이었다. 설계된 모델은 다이오드형 믹서에 비해 변환손실이 적었으며, 디지털 방송 및 통신시스템에 적용될 수 있을 것이다.
In this part of the studies on dielectric dehydration of foamed fish-starch paste, quality stability and shelflife of the product of which the preparation formula and processing conditions were described in the previous report (Lee et at., 1982) were determined by means of accelerated reaction test. The product was stored for 50 days under the conditions of temperatures at 35, 45, and 55$^{\circ}C$ in steady state and various water activities of 0.44, 0.52, 0.65, and 0.75, respectively. The loss of available lysine, the extent of TBA value, and the development of browning during the storage were measured and reaction kinetically analysed to assess quality stability and shelf-life of the product for the storage at room temperature of 25$^{\circ}C$. The extent of browning was accelerated with the increase of water activity and temperature marking the time to reach a limit of color and flavor deterioration, or to reach brown color density of 0.17 O.D./g at 420nm, 106 days at a$\_$w/=0.44, 35$^{\circ}C$, and 41 days at aw=0.65, 55$^{\circ}C$. These reaction rates resulted in a prediction of shelf-life, 130 to 110 days in the storage at au=0.44 to 0.75, 25$^{\circ}C$. The quality limit assessed by TBA values and sensory evaluation of rancidity was 87 days at a$\_$w/=0.44, 35$^{\circ}C$, and 30 days at aw=0.73, 55$^{\circ}C$ which gave a predicted shelf-life, 128 to 113 days at a$\_$w/=0.44 to 0.75, 25$^{\circ}C$ storage.
본 논문에서는 배열 합성 혼 안테나를 설계하고 고출력 마그네트론을 연결하여 방사전력을 측정하였다. 제안된 안테나는 $4{\times}4$ 배열 합성 혼 안테나 특성을 바탕으로 후방 방사를 억제시키기 위해 합성 혼 개구면 상, 하단에 2단 단락구조물을 부착하여 빔폭 E-plane $8.86^{\circ}$, H-plane $7.35^{\circ}$, 전후방비 39.7 dB를 얻었다. 또한 배열된 마그네트론을 이용한 배열 혼 안테나의 방사전력을 측정하기 위하여 도파관 어댑터를 설계하여 마그네트론과 혼 안테나를 연결 시켰고 고출력의 파워를 측정하기 위해 중간단에 에어갭을 넣은 마이크로스트립 라인 커플러를 설계하였다. $4{\times}4$ 배열 합성 혼 안테나의 중앙에 4개의 마그네트론을 연결하여 측정한 결과 평균 방사 출력 0.063 W를 얻었다.
Total 12 units of high power klystron-modulator systems as microwave source are under operation for 2.5 GeV electron linear accelerator in Pohang Light Source (PLS) linac. The klystron-modulator system has an important role for the stable operation to improve an availability statistics of overall system performance of klystron-modulator system. RF power and beam power of klystron are precisely measured for the effective control of electron beam. A precise measurement and measurement equipment with good response characteristics are demanded for this. Input power of klystron is calculated from the applied voltage and the current on its cathode. Tiny measurement error severely effects RF output power value of klystron. Therefore, special care is needed to measure precise beam voltage. Capacitive voltage divider (CVD), which divides input voltage as capacitance ratio, is intended for the measurement of a beam voltage of 400 kV generated from the klystron-modulator system. Main parameter to determine standard capacitance in the high arm of CVD is dielectric constant of insulation oil. Therefore CVD should be designed to have a minimum capacitance variation due to voltage, frequency and temperature in the measurement range. This paper will be present and discuss the design concept and analysis of capacitive voltage divider for a pulsed high-voltage measurement, and the empirical relations between capacitance effects and oil temperature variation.
본 논문에서는 $B_2O_3$ 첨가가 Ba$(Mg_{1/3}Ta_{2/3})O_3$ (BMT)의 유전특성 및 미세구조의 변화에 미치는 영향에 대해 연구하였다 $B_2O_3$가 소량 첨가되었을 때는 결정립의 성장을 야기하여 치밀한 미세구조를 보였지만, 다량이 첨가된 경우 비정상 결정립 성장을 야기하여 치밀화가 떨어지는 미세구조를 보임과 동시에 $Ba_3Ta_5O_{15}$의 2차상을 형성했다. 이는 소량의 $B_2O_3$ 첨가가 유전특성의 향상을 가져왔지만, 다량의 첨가는 오히려 특성의 악화를 가져온 결과의 원인이라 생각된다. 0.5mol%의 $B_2O_3$를 첨가하여 $1500^{\circ}C$에서 6시간 소결한 경우 ${{\varepsilon}_r}=24$, $Q{\times}f=210,000GHz$의 유전 특성 값과 $4.74ppm/^{\circ}C$의 $T_{cf}$ 값을 얻었다.
This study realized low-temperature crystallization process of the $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_3$ (BST) thin films without thermal damage of substrate using excimer laser annealing (ELA) and structural and electrical characteristics were investigated. The amorphous BST thin films were prepared on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by sol-gel method at $250^{\circ}C$. The ELA was carried out using KrF excimer laser which provided excitation wavelength of 248 nm. The beam homogenizing system was used in order to homogenize beam shape of Gaussian fit. The XRD and SEM were used to analyze structural characteristics and the microwave capacitance, dielectric loss and tunability of the BST films were measured by a symmetrical stripline resonator method with shorted end. Consequently, the crystallinity of BST thin films were improved after ELA process and RF tunable capacitor was demonstrated at low temperature below $300^{\circ}C$.
We report the growth of $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) thin films and their substrate-dependent electrical characteristics. BST thin films were deposited on alumina(non-single crystal), $Al_2O_3$(100) substrates by Nd:YAG Pulsed Laser Deposition(PLD) with a 355nm wavelength at substrate temperature of $700^{\circ}C$ and post-deposition annealing at $750^{\circ}C$ in flowing $O_2$ atmosphere for 1hours. BST materials had been chosen due to high dielectric permittivity and tunability for high frequency applications, To analyze the oxygen partial pressure effects, deposited films at 1, 10, 50, 100, 150, 200, 300 mTorr. The effects of oxygen pressure on structural properties of the deposited films have been investigated by X-ray diffraction(XRD) and atomic force microscope(AFM), respectively. Then we manufactured a inter-digital capacitor(IDC) patterns twenty fingers and $10{\mu}m$ gap, $700{\mu}m$ length and electrical properties were characterized. The results provide a basis for understanding the growth mechanisms and basic structural and electrical properties of BST thin films as required for tunable microwave devices applications such as varactors and tunable filters.
본 연구는 인체 귓불 생체조직을 유전체로 하는 평행판 커패시터를 이용한 새로운 방식의 공진기를 제안하였으며, 비 침습 방식으로 준 마이크로파 신호를 이용하여 생체조직의 혈당변화를 관찰할 수 있는 가능성을 연구하였다. 공진기는 마이크로스트립 선로의 접지면을 활용하여 용량성 슬롯(inductive slot)과 연결된 평행판 커패시터로 구성된다. 커패시터 도체판은 인체조직을 가상한 팬텀 박스(phantom box)를 포함한다. 시뮬레이션을 토대로 제안된 공진기를 설계하여 제작하였다. 혈당 농도 수준변화를 3단계(0, 250, 500 mg/dL)에서 실험하였고, 반사계수($S_{11}$)가 측정되었다. 100 이상의 높은 Q 값을 갖는 공진기를 통해, 900 MHz 대역 부근에서 250 mg/dL의 농도 수준변화 대비 약 9 MHz의 주파수 천이가 관찰되어 혈당 센서에 적용 가능성을 입증하였다.
CO와 $H_2$의 탄소원을 사용한 마이크로파 플라즈마 화학기상증착 방법으로 SOD 구조에 적용될 양질의 다이아몬드 박막을 형성하였고, SOD 구조를 형성하기 위해 diamond/Si(100) 구조 위에 poly-Si 박막을 저압화학기상 증착법으로 제작하였다. CO/$H_2$탄소원의 유량비 증가에 따라 다이아몬드의 결정은 octahedron 구조에서 cubo-octahedron 구조로 바뀌었으며, 결정면은 {111}과 {100}으로 혼합되어 형성되었다. 비정질 carbon과 non-diamond성분이 없는 양질의 다이아몬드 박막은 CO/$H_2$의 유량비가 0.18일 때 형성되었으며, 주 결정상은 (111) 면이었다. diamond/Si(100) 계면은 void가 없는 평활한 계면을 이루었으며, 다이아몬드 박막의 유전상수, 누설전류와 비저항은 각각 $5.31\times10^{-9}A/cm^2$ 그리고 $9\times{10^7}{\Omega}cm$이었다.
Accurate measurements of the microwave surface resistance (Rs) of high temperature superconductor (HTS) films are important with regard to applications of HTS materials for wireless communications. As the surface resistance values of HTS films are usually extracted from the measured unloaded quality factor ($Q_0$) of resonators made of HTS films, it is essential to measure the resonator $Q_0$ with accuracy. The $TE_{011}\;mode\;Q_0$ of sapphire resonators with the endplates made of $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$(YBCO) film on $LaAlO_3$ is measured by using the S-parameter circle-fit method at a frequency of about 19.6 GHz and temperatures of 30 K to 90 K, which is compared with the measured values by using the Lorentzian-fit method. Good agreements are found between the two sets of $Q_0$ values measured by using the two different methods whether the resonator is used in a weak-coupling scheme or a strong-coupling scheme, showing reliability of both methods fur measuring the resonator $Q_0$ accurately. The $Q_0$ of sapphire resonators with a gap between the top plate and the rest of the resonator is also discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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