• 자원환경지질
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• 제37권5호
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• pp.437-457
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• 2004

인도네시아 중부 칼리만탄 쿠알라쿠룬 지역의 지질은 하부로부터 석탄-페름기의 피노변성암류, 백악기 세파욱심성암류, 에오세말기의 탄중층과 올리고세의 말라산화산암류로 구성되며, 올리고세-마이오세초기의 신탕관입암류가 상기한 모든 지층들을 관입하고 있다. 퇴적층인 탄중층은 전체적으로 북쪽으로부터 남쪽으로 발달하는 고수류계를 유지하는 삼각주 환경과 천해 해저 환경에서 퇴적되었다. 고생대 후기의 변성퇴적암류가 퇴적된 이후부터 발생한 4회의 변형작용이 인지된다. D1 변형작용은 광역변성작용을 수반한 변성암류의 습곡작용 및 S1 편리구조 형성으로 특징 지워진다. D2 변형작용은 백악기 화강암질암 내에 발생한 연성전단작용이며, D3 변형작용은 북동 내지 동북동 방향의 축을 갖는 습곡작용 및 이에 수반된 S2 파랑벽개의 형성으로 정의된다. D4 변형작용은 제3기 동안 남-북 방향의 압축응력하에서 발생한 단층작용으로서, 북동 방향의 좌수향 주향이동단층, 북서 방향의 우수향 주향이동단층, 남-북 내지 북북동 방향의 정단층 등이 형성 되었다. 이 단층작용은 제3기 지층의 퇴적과 분포에 영향을 끼친 것으로 해석된다.

• 암석학회지
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• 제5권2호
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• pp.168-187
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• 1996

연구지역인 장군봉-삼근리 일대 선캠브리아대의 암석들에는 고생대 이전에 적어도 세 차례의 광역 변성 작용이 있었다. 연구 지역이 고생대 변성 퇴적암류는 고생대 이후 세 차례의 변성 작용을 받았으며 그 첫 번째는 저압형의 광역 변성 작용이고 두 번째는 춘양 화강암이 관입에의해 형성된 접촉 변성 작용이며 세 번째는 장군봉 남쪽의 드러스트에 의해 중압형 변성 작용이다. 그 첫 번째의 변성 작용은 본 지역을 우세하게 지배하는 변성 분대를 형성시켰으며 변성 정도가 남쪽에서부터 북쪽으로 클로리토이드대, 십자석대, 석류석대, 십자석+흑운모대, 홍주석+흑운모대의 순서로 증가한다. 고생대 이후 두 번째의 접촉 변성 작용은 춘양 화강암 주변의 선캠브리아대의 태백산 편암 복합체와 고생대 변성 퇴적암류에 동시에 영향을 주었으며 접촉부 주위에 매우 좁게 한정되어 인지된다. 세 번째 있었던 변성 작용은 남정석을 형성시켰으며 장군봉 남쪽에 동서 방향으로 발달한 드러스트 주변 지역에 한정되어 영향을 미쳤다.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.637-641
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• 2006

본 논문에서는 100 nm 게이트 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT(metamorphic high electron mobility transistors)m의 DC와 RF 특성을 분석 하였다. 이중 노광 방법으로 ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA 3층 구조의 레지스터와 게이트 길이 100 nm인 게이트를 제작하였다. 게이트의 단위 폭이 $70\;{\mu}m$인 2개의 게이트와 길이가 100 nm로 제작된 MHEMT를 DC 및 RF특성을 조사하였다. 최대 드레인 전류 밀도는 465 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 844 mS/mm이, RF 측정으로부터 전류 이득 차단 주파수는 192 GHz와 최대 진동주파수 310 GHz인 특성을 보였다.

• 광물과 암석
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• 제33권2호
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• pp.129-141
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• 2020

모곡변성대는 과거 루비 광산들이 분포하던 지역으로, 주로 시생대 결정질암으로 구성된 고원지대이며, 보석류가 충적층에서 확인되어 표사광상을 이루고 있다고 미얀마지질조사광물탐사국의 미발간보고서에 수록되어있다. 루비와 함께 확인되는 광물로는 첨정석, 석류석, 홍전기석 등이 있다. 보석이 발견되는 충적층을 이루는 자갈류는 주로 편마암 및 페그마타이트 쇄설물로 구성되어있다. 특히 신구, 모곡, 모메익 지역에는 보석을 함유하는 다수의 페그마타이트가 모곡변성암류, 섬록암 및 화강암 등을 관입하여 분포한다. 신구 페그마타이트에서는 보석으로서 홍전기석, 고세나이트, 청인회석 및 자주 인회색이 산출된다. 모메익 페그마타이트에서는 보석으로서 버섯형 홍전기석, 페타라이트, 햄버어자이트, 폴류사이트 및 아쿠아마린이 산출된다. 모곡 페그마타이트에서는 보석으로서 황옥, 아쿠아마린, 고세나이트 및 허더라이트가 산출된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제24권12호
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• pp.1688-1696
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• 2020

기존 클라우드 기반 Internet-of-Things(IoT) 시스템의 네트워크 정체와 서버 과부하로 인한 지연, 데이터 이동으로 인한 보안 및 프라이버시 이슈를 해결하기 위하여 엣지 기반의 IoT 시스템으로 IoT의 패러다임이 움직이고 있다. 하지만 엣지 기반의 IoT 시스템은 여러 제약으로 인하여 처리 성능과 동작의 유연성이 부족한 치명적인 문제점을 가지고 있다. 처리 성능을 개선하기 위하여 응용 특화 하드웨어를 엣지 디바이스에 구현할 수 있지만, 고정된 기능으로 인하여 특정 응용 이외에는 성능 향상을 보여줄 수 없다. 본 논문은 엣지 디바이스의 제한된 하드웨어 자원에서 다양한 응용 특화 하드웨어를 주문형 부분 재구성을 통해 사용할 수 있고, 이를 통해 엣지 디바이스의 처리 성능과 동작의 유연성을 증가시킬 수 있는 엣지 중심의 Metamorphic IoT(mIoT) 플랫폼을 소개한다. 실험 결과에 따르면, 재구성 알고리즘을 엣지에서 실행하는 엣지 중심의 mIoT 플랫폼은 재구성 알고리즘을 서버에서 실행하는 이전 연구에 비해 엣지의 서버 접근 횟수를 최대 82.2% 줄일 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권9호
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• pp.19-24
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• 2004

우리는 3층 구조의 레지스터와 이중 노광 방법을 이용하여 유전체 지지대를 사용하지 않은 새로운 방법으로 게이트 길이가 70 nm인 T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 제작 하였다. 게이트 길이가 70 nm이고 게이트 단위폭이 70 ㎛인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT는 최대 포화 전류밀도가 최대 포화 전류밀도가 228.6 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 645 mS/mm, 전류이득차단주파수가 255 GHz인 특성을 보였다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제12권4호
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• pp.483-490
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• 2009

In this paper, a novel low-damage silicon nitride passivation for 100nm InAlAs/InGaAs MHEMTs has been developed using remote ICPCVD. The silicon nitride deposited by ICPCVD showed higher quality, higher density, and lower hydrogen concentration than those of silicon nitride deposited by PECVD. In particular, we successfully minimized the plasma damage by separating the silicon nitride deposition region remotely from ICP generation region, typically with distance of 34cm. The silicon nitride passivation with remote ICPCVD has been successfully demonstrated on GaAs MHEMTs with minimized damage. The passivated devices showed considerable improvement in DC characteristics and also exhibited excellent RF characteristics($f_T$of 200GHz).The devices with remote ICPCVD passivation of 50nm silicon nitride exhibited 22% improvement(535mS/mm to 654mS/mm) of a maximum extrinsic transconductance($g_{m.max}$) and 20% improvement(551mA/mm to 662mA/mm) of a maximum saturation drain current ($I_{DS.max}$) compared to those of unpassivated ones, respectively. The results achieved in this work demonstrate that remote ICPCVD is a suitable candidate for the next-generation MHEMT passivation technique.

• 암석학회지
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• 제4권2호
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• pp.178-184
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• 1995

증평-덕평 지역에서 산출하는 중부 옥천변성대의 13개 이질 편암에서 구한 K-Ar 흑운모 연대는 한 개 시료를 제외하고는 89-213Ma 의 범위에 속한다. 이들 K-Ar 연령은 쥬라기와 백악관 화강암체어 가까와 질수록 체계적으로 감소하는 경향을 보인다. 쥬라기 백악관 화강암체 부근에서 얻은 K-Ar 흑운모연대는 각각 166Ma와 89Ma이다. 따라서 연구 지역의 흑운모 연대는, 트라이아스가 후기 내지 쥬라기 초기의 광역-열 변성작용 이후, 중생대화강암의 관입에 의한 열적 작용 때문에 부분적으로 또는 거의 완전히 재평형되었음을 알 수 있다.

• 암석학회지
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• 제22권4호
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• pp.291-298
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• 2013

옥천변성대 계명산층 변성화산암에서 분리한 저어콘의 일부 입자들 연변부에는 덧성장 누대가 잘 발달되어 있음이 발견되었다. 이러한 덧성장 누대들은 대체로 낮은 Th/U 비율을 갖는 것으로 확인되었으며, 계명산층 변성화산암이 변성작용을 받는 동안에 생성된 것으로 판단된다. 이 중에서 비교적 넓은 폭을 가진 구역들에 대하여 SHRIMP U-Pb 분석을 할 수 있었다. 분석결과 $259.7{\pm}3.3Ma$ (n=8, $2{\sigma}$)의 일치곡선 연령을 구할 수 있었으며, 이 연령은 계명산층 변성화산암의 변성시기를 나타낸다.

• ETRI Journal
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• 제27권6호
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• pp.685-690
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• 2005

DC and RF characteristics of $0.15{\mu}m$ GaAs power metamorphic high electron mobility transistors (MHEMT) have been investigated. The $0.15{\mu}m{\times}100{\mu}m$ MHEMT device shows a drain saturation current of 480 mA/mm, an extrinsic transconductance of 830 mS/mm, and a threshold voltage of -0.65 V. Uniformities of the threshold voltage and the maximum extrinsic transconductance across a 4-inch wafer were 8.3% and 5.1%, respectively. The obtained cut-off frequency and maximum frequency of oscillation are 141 GHz and 243 GHz, respectively. The $8{\times}50{\mu}m$ MHEMT device shows 33.2% power-added efficiency, an 18.1 dB power gain, and a 28.2 mW output power. A very low minimum noise figure of 0.79 dB and an associated gain of 10.56 dB at 26 GHz are obtained for the power MHEMT with an indium content of 53% in the InGaAs channel. This excellent noise characteristic is attributed to the drastic reduction of gate resistance by the T-shaped gate with a wide head and improved device performance. This power MHEMT technology can be used toward 77 GHz band applications.