• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.83-83
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• 2008

Metal-oxide-silicon-on-insulator (MOSOI) structures were fabricated to study the effect caused by reactive ion etching (RIE) and sacrificial oxidation process on silicon-on-insulator (SOI) layer. The MOSOI capacitors with an etch-damaged SOI layer were characterized by capacitance-voltage (C-V) measurements and compared to the sacrificial oxidation treated samples and the reference samples without etching treatment. The measured C-V curves were compared to the numerical results from 2-dimensional (2-D) simulations. The measurements revealed that the profile of C-V curves significantly changes depending on the SOI surface condition of the MOSOI capacitors. The shift in the measured C-V curves, due to the difference of the fixed oxide charge ($Q_f$), together with the numerical simulation analysis and atomic force microscopy (AFM) analysis, allowed extracting the fixed oxide charges ($Q_f$) in the structures as well as 2-D carrier distribution profiles.

• 한국환경농학회지
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• 제16권2호
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• pp.142-148
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• 1997

중금속오염폐수처리에의 미생물 이용 가능성을 검토하기 위하여 중금속에 강한 내성을 지님과 동시에 균체내 중금속 축적능력이 우수한 중금속 내성균을 분리하여 competing ion, 대사저해제 등과 같은 외부 요인에 따른 균체내 중금속 축적변화를 조사한 결과는 다음과 같다. 중금속을 처리한 용액중 양이온인 $Al^{3+}$이온과 음이온인 $CO_3\;^{2-}$ 및 $PO_4\;^{2-}$이온이 competing ion으로 존재할 경우 중금속 내성균의 균체내 중금속 축적은 크게 감소되었으나, 그외 다른 양이온들과 음이온들에 대해서는 거의 영향을 받지 않았다. Cd, Zn 및 Cu 내성균주의 Cd, Zn 및 Cu 축적은 대사저해제에 의하여 크게 감소되었으나, Pb 내성균주에 의한 Pb 축적은 거의 영향을 받지 않는 것으로 나타나 Cd, Zn 및 Cu 내성균주의 Cd, Zn 및 Cu 축적은 에너지 의존적인 과정으로서 물질대사와 관련되어 있는 것으로 생각되었으며, Pb 내성균주의 Pb 축적은 에너지 비의존적인 과정으로서 물질대사와 관련이 별로 없는 물리적인 과정에 의하여 축적되는 것으로 생각되었다. 각 중금속 내성균주들은 해당 중금속 축적능력에 비하여 낮았으나 타 중금속들의 축적능력도 있었으며, 여러가지 중금속들을 동일 농도로 복합처리 하였을 경우 해당 중금속들의 축적능력이 타 중금속들에 비하여 매우 높게 나타나 각 중금속 내성균주들의 해당 중금속 축적은 선택적인 과정에 의하여 축적되는 것으로 생각되었다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제21권2호
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• pp.192-196
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• 2011

Microbial induction of rusty-root was proved in this study. The enzymes hydrolyzing plant structural materials, including pectinase, pectolyase, ligninase, and cellulase, caused the rusty-root in ginseng. Pectinase and pectolyase produced the highest rusty-color formation. Ferrous ion ($Fe^{+++}$) caused the synergistic effect on rusty-root formation in ginseng when it was used with pectinase. The effect of ferric ion ($Fe^{++}$) on rusty-root formation was slow, compared with $Fe^{+++}$, probably due to gradual oxidation to $Fe^{+++}$. Other metal ions including the ferric ion ($Fe^{++}$) did not affect rusty-root formation. The endophytic bacteria Agrobacterium tumefaciens, Lysobacter gummosus, Pseudomonas veronii, Pseudomonas marginalis, Rhodococcus erythropolis, and Rhodococcus globerulus, and the rotten-root forming phytophathogenic fungus Cylindrocarpon destructans, caused rusty-root. The polyphenol formation (rusty color) was not significantly different between microorganisms. The rotten-root-forming C. destructans produced large quantities of external cellulase activity (${\approx}2.3$ U[${\mu}m$/min/mg protein]), which indicated the pathogenecity of the fungus, whereas the bacteria produced 0.1-0.7 U. The fungal external pectinase activities (0.05 U) and rusty-root formation activity were similar to those of the bacteria. In this report, we proved that microbial hydrolyzing enzymes caused rusty-root (Hue value $15^{\circ}$) of ginseng, and ferrous ion worsened the symptom.

• 분석과학
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• 제8권2호
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• pp.187-193
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• 1995

N,N,N,N-Tetrabenzylethylenediamine 중성운반체를 이용하여 PVC 수소이온 선택성 막전극을 제조하였다. 가소제 종류(phthalates와 sebacate) 및 친지방성 첨가제(NaTPB)에 따른 막전극의 전기저항과 수소이온 감응범위 및 알칼리금속과 알칼리토금속의 존재하에서 방해효과를 조사하였다. 가소제 종류에 의한 전기저항은 영향을 거의 받지 않았고 NaTPB 0.7%의 경우 수소이온에 대한 Nernstian 기울기는 가장 이론값에 근접하였으며, 또한 알칼리금속 및 알칼리토금속에 의한 방해도 적게 받았다. pH-선택성 고분자 막전극은 pH 2~10 범위내에서 선형적이고, 산과 알칼리용액 중에서 안정성 및 재현성 시험 결과 매우 좋게 나타났다.

• 분석과학
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• 제17권3호
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• pp.199-210
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• 2004

Amberite XAD-16 다공성 수지에 4,5-dihydroxynaphthalene-2,7-disulfonic acid (chromotropic acid, CTA)를 화학적으로 결합시켜 XAD-16-CTA형 새로운 킬레이트 수지를 합성하고, 적외선분광법과 원소분석법으로 확인하였다. 이 킬레이트 수지에 대한 금속마감 산업과 관련 있는 9개 금속이온을 포함하는 Cr(III) 및 Cr(VI) 이온들의 흡착 및 탈착 특성을 뱃치법과 용리법으로 조사하였다. XAD-16-CTA 킬레이트수지는 1~5 M의 HCl, $HNO_3$ 및 NaOH 등의 산과 염기 용액에서 매우 안정하였다. pH 2에서 Cr(VI) 이온과 Cr(III) 이온이 공존하는 혼합용액으로부터 Cr(VI) 이온만을 선택적으로 분리할 수 있음을 확인하였으며, Cr(VI)의 최대 흡착용량은 1.2 mmol/g 이었다. 또한 Cr(VI) 이온의 흡착에 미치는 공존 음이온의 영향을 검토한 결과 음이온인 $F^-$, $SO{_4}^{2-}$, $CN^-$, $CH_3COO^-$, $NO{_3}^-$ 이온은 흡착율을 감소시켰으며, $PO{_4}^{3-}$와 $Cl^-$는 흡착에 큰 영향을 미치지 않았다. pH 2에서 킬레이트 수지에 의한 돌파점용량과 총괄용량으로부터 얻은 금속이온의 용리순서는 Cr(VI)>Sn(II)>Fe(III)>Cu(II)>Cd(II)${\simeq}Pb(II){\simeq}Cr(III){\simeq}Mn(II){\simeq}Ni(II){\simeq}Al(III)$이었다. 한편 $HNO_3$, HCl 및 $H_2SO_4$ 등의 탈착제에 의한 Cr(VI) 이온의 탈착특성을 조사한 결과 3 M HCl에서 높은 탈착효율을 나타내었다. 결과적으로, XAD-16-CTA 킬레이트 수지는 여러 가지 금속이온이 혼합된 금속마감산업 인공폐액 중 Cr(VI) 이온의 선택적 분리, 농축 및 회수에 매우 유용함을 알 수 있었다.

• 대한치과교정학회지
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• 제28권1호
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• pp.123-133
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• 1998

TiN ion-plating된 Co-Cr 선재(.016", .016"x.022")와 ion-plating되지 않은 선재(.016", .016"x.022")를 이용하고, 3 가지 종류의 브라켓(TiN ion-plating된 금속 브라켓, 세라믹 브라켓 및 플라스틱 브라켓)을 대상으로 마찰실험을 행하고, 거기에서 얻어진 마찰 특성곡선과 곡선으로부터 구한 최대 정지마찰력, 그리고 선재와 브라켓의 표면양상을 주사전자현미경으로 관찰하여 TiN ion-plating의 효과를 검토한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. $\cdot$3가지 종류의 브라켓에 TiN ion-plating된 선재를 사용한 경우의 마찰력은 TiN ion-plating되지 않은 선재를 사용한 경우의 마찰력보다 각각 통계학적으로 유의성있게 낮았다(p<0.05). $\cdot$3가지 종류의 브라켓에 원형 선재를 사용한 경우의 마찰력은 각형 선재를 사용한 경우의 마찰력보다 각각 통계학적으로 유의성있게 낮았다(p<0.05). $\cdot$원형 선재를 사용한 경우 TiN ion-plating되지 않은 선재를 사용한 경우가 TiN ion-plating된 선재를 사용한 경우보다 선재 및 브라켓 슬롯의 표면이 더욱 거친 양상을 나타내었다. $\cdot$각형 선재를 사용한 경우 전반적으로 원형 선재를 사용한 경우보다 선재 및 브라켓 슬롯의 표면이 더욱 거친 양상을 나타내었다. $\cdot$TiN ion-plating된 원형 선재를 사용한 경우 정지마찰력과 운동마찰력의 차는 별로 없었으나 TiN ion-plating된 각형 선재를 사용한 경우 정지마찰력은 운동마찰력보다 다소 높았다. $\cdot$TiN ion-plating되지 않은 선재를 사용한 경우가 TiN ion-plating된 선재를 사용한 경우에 비해 정지마찰력이 운동마찰력보다 휠씬 높았다.

• 환경위생공학
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• 제24권1호
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• pp.33-39
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• 2009

In order to investigate effect of metal ion and antioxidant on rancidity of crude rapeseed oil (CRO), $Fe^{2+}$, $Cu^{2+}$, $Co^{2+}$, $Ni^{2+}$, $Cr^{2+}$, $Sn^{2+}$, $Mn^{2+}$, $Zn^{2+}$, and antioxidants including BHA, Vitamin C, and Tocopherol were used. The specific gravity and refractive index of CRO were $0.92g/cm^3$ and 1.45, respectively. The chromaticities of light, red, and yellow in CRO were 88.6 and 98.7, respectively. Among various fatty acids, Oleic acid (C18:1) concentration was highest, 62.3% and Linoleic acid (C18:2) concentration was 19.16%. In the case of Linolenic acid (C18:3) and Palmitic acid (C16:0), they were 9.88 and 5.2%, respectively. The concentrations of unsaturated fatty acids and saturated fatty acid were 92.2 and 7.8%, respectively. The degree of expediting rancidity of CRO was an order of $Fe^{2+}$> $Cu^{2+}$> $Cr^{2+}$> $Zn^{2+}$> $Ni^{2+}$> $Al^{2+}$> $Mn^{2+}$> $Mn^{2+}$> $Sn^{2+}$> $Co^{2+}$> $Li^{2+}$. Especially, when $Cu^{2+}$ and $Fe^{2+}$ was used, the peroxide value concentration was about 4.0 fold higher than non addition of them. The inhibition effect of rancidity of CRO using antioxidant with $Cu^{2+}$ and $Fe^{2+}$ was an order of BHA> Vitamin C> Tocopherol.

• 멤브레인
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• 제30권1호
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• pp.38-45
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• 2020

리튬금속전지(LMB)는 매우 큰 이론 용량을 갖지만 단락(short circuit), 수명 감소 등을 야기하는 덴드라이트(dendrite)가 형성되는 큰 문제점을 갖고 있다. 본 연구에서는 poly(dimethylsiloxane) (PDMS)에 graphene oxide (GO) nanosheet를 고르게 분산시킨 PDMS/GO 복합체를 합성하였고 이를 박막 형태로 코팅하여 덴드라이트의 형성을 물리적으로 억제할 수 있는 막의 효과를 이끌어내었다. PDMS의 경우, 그 자체로는 이온 전도체가 아니기 때문에 리튬 이온의 통로를 형성시켜 리튬 이온의 이동을 원활하게 하기 위하여 5wt% 불산(HF)으로 에칭하여 PDMS/GO 박막이 이온전도성을 가질 수 있도록 하였다. 주사전자현미경(scanning electron microscopy, SEM)을 통해 전면 및 단면을 관찰하여 PDMS/GO 박막의 형상을 확인하였다. 그리고 PDMS/GO 박막을 리튬금속전지에 적용하여 실시한 배터리 테스트 결과, 100번째 사이클까지 쿨롱 효율(columbic efficiency)이 평균 87.4%로 유지되었고, 박막이 코팅되지 않은 구리 전극보다 과전압이 감소되었음을 전압 구배(voltage profile)를 통해 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권5호
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• pp.522-529
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• 2013

In this paper, simple but very effective techniques to suppress subthreshold hump effect for high-voltage (HV) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology are presented. Two methods are proposed to suppress subthreshold hump effect using a simple layout modification approach. First, the uniform gate oxide method is based on the concept of an H-shaped gate layout design. Second, the gate work function control method is accomplished by local ion implantation. For our experiments, $0.18{\mu}m$ 20 V class HV CMOS technology is applied for HV MOSFETs fabrication. From the measurements, both proposed methods are very effective for elimination of the inverse narrow width effect (INWE) as well as the subthreshold hump.

• 한국재료학회지
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• 제4권1호
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• pp.9-23
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• 1994

Multitarget bias cosputter deposition(MBCD)에 의해 저온($200^{\circ}C$)에서 NaCI(100)상에 정합$CoSi_2$를 성장시켰다. X-선회절과 투과전자현미경에 의해 증착온도와 기판 bias전압에 따른 각각 silicide의 상전이와 결정성을 관찰하였다. Metal induced crystallization(MIC) 과 self bias 효과에 의해 $200^{\circ}C$에서 기판전압을 인가하지 않은 경우에도 결정질 Si이 성장하였다. MIC현상을 이론 및 실험적으로 고찰하였다. 관찰된 상전이는 $Co_2Si \to CoSi \to Cosi_2$로서 유효생성열법칙에 의해 예측된 상전이와 일치하였다. 기판 bias전압 인가시 발생한 이온충돌에 의한 충돌연쇄혼합(collisional cascade mixing), 성장박막 표면의 in situ cleaning, 핵생성처(nucleation site)이 증가로 인하여 상전이, CoSi(111)우선방위, 결정성은 증착온도에 비해 기판bias전압에 더 큰 영향을 받았다. $200^{\circ}C$에서 기판 bias전압을 증가시킴에 따라 이온충돌에 의한 결정입성장이 관찰되었으며, 이를 이온충독파괴(ion bombardment dissociation)모델에 의해 해석하였다. $200^{\circ}C$에서의 기판 bias전압증가에 따른 결정성변화를 정량적으로 고찰하기 위해 Langmuir탐침을 이용하여 $E_{Ar},\; \alpha(V_s)$를 계산하였다.