• 대한화학회지
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• 제54권1호
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• pp.43-48
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• 2010

p-페닐렌 디아민과 maleic anhydride, 아세틸 아세톤과 커플된 O-아미노 페놀의 아조화합물으로 부터 폴리이미드가 만들어졌다. 합성된 폴리이미드(PA)는 DMF용매 속에 다른 몰비율로 녹아있는 $Co^{+2},\;Cr^{+2},\;Ni^{+2},\;Cu^{+2},\;Zn^{+2},\;Cd^{+2}$ and $Fe^{+3}$ 를 포함하는 전이금속이온들의 금속염들과 함께 환류되었다. 이 complex들은 원소분석과 열분석, IR, $^1H$ NMR으로 구조분석, 특성 연구되었다.

• 에너지공학
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• 제13권1호
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• pp.82-91
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• 2004

석탄 및 하수슬러지 내에 함유된 무기물질을 환경적 측면에서 안정적인 물질로 재활용하기 위해서는 회재의 형태가 아닌 슬랙의 형태로 발생시키는 것이 한 방법이다. 가스화 반응에서 생성된 석탄 슬랙과 소각ㆍ용융과정에서 생성된 하수슬러지 슬랙의 특성을 분석하여, 재활용 측면에서 살펴보았다. 급냉을 시킨 슬랙들은 잘게 쪼개진 수 mm크기로 발생되었고, 함유된 미연탄소분은 모두 0.15% 이하였으며 슬랙의 구조는 대부분 무결정형인 특징을 보여주고 있었다. 분석 결과를 보면, 석탄 슬랙과 하수슬러지 슬랙 모두 중금속 성분이 용출되는 양은 국내기준치의 10배나 엄격한 일본기준보다도 훨씬 낮아서 재활용 물질로 활용하는 데에 문제가 없음을 알 수 있었다. 슬랙 내에 함유된 중금속 농도에서는 큰 차이가 있었는데, 향후 중금속 함량규제가 도입될 경우에는 두 슬랙 원료의 혼합 활용을 통해 중금속 함량 조절도 가능할 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.252-255
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• 2004

Various Semiconductor/Metal structured nanowires were synthesized from the simple thermal annealing of ball-milled compound powders and the thermal evaporation of metals. Their structural properties were investigated by Scanning Electron Microscopy(SEM) and Transmission Electron Microscopy(TEM), Energy Dispersive X-ray spectroscopy(EDX). Depending on the type of metals and the material of nanowires, uniform somiconductor/metal nanowires(GaN/Al, GaN/Ag) or isolated metal particles on semiconductor nanowires$(SnO_2/Ti,\;Si/Ti)$ were formed on the surface of nanowires.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권12호
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• pp.3549-3552
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• 2010

The complex formation between diazocalix[4]dipropyl (1) and diazocalix[4]crown-6 ether (2) with alkali, alkaline earth and transition metal ions was investigated by voltammetry. Electrochemical properties of compounds 1 and 2 and their selectivity toward metal ions were evaluated in $CH_3CN$ solution by comparison of voltammetric behaviors of two phenols in each compound. Compounds 1 and 2 showed almost same voltammetric behavior which is two irreversible oxidation peaks caused by intramolecular hydrogen bonding between two phenols in 1 and 2. While, however, upon interacting with various metal ions, 1 with two propyl ether groups showed no significant changes in voltammetry, 2 with crown ether group caused significant voltammetric changes upon the addition of $Ba^{2+}$ to 2. Their behavior is closely related to the complex formation by entrapment of metal ion into crown ether cavity, and ion-dipole interaction between metal ion and two phenolic groups in calix[4]crown-6.

• 대한화학회지
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• 제33권1호
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• pp.113-119
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• 1989

양이온 교환수지(Diaion WK 11)를 사용하여 hydrazide 또는 triethylenetetramine 곁사슬을 가진 polymethacrylate계 킬레이트 수지를 만들어 수지중의 질소함량을 원소분석법으로 구한 다음 제조된 수지와 시판 킬레이트수지(Diaion CR 10 및 CR 20)를 금속이온 Cu(II), Co(II), Fe(III)들과 반응시켜 금속 킬레이트수지를 만들었다. 금속의 함량은 킬레이트적정법으로 구하고 수지의 절단면을 electron microprobe X-ray analyzer로 관찰하여 수지내부의 금속의 존재를 확인하였다. 한편, 금속 킬레이트 수지를 hydroxy compounds와 l-ascorbic acid의 산화반응에 이용한 결과 유용한 촉매임을 확인하였다.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2003년도 추계학술발표대회 개요집
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• pp.240-241
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• 2003

The iron aluminides have been among the most widely studied intermetallics because of their low cost, low density, good wear resistance, ease of fabrication and resistance to oxidation and corrosion. In this study, weld overlay was performed with JIS-YGW11 and A14043 wire on the base metal.

• Macromolecular Research
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• 제15권3호
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• pp.202-204
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• 2007

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.198-198
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• 2013

Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)에서 사용되는 다양한 channel materials로 high electron mobility을 가지는 III-V compound semiconductor가 대두되고 있다 [1,2]. 하지만 이러한 III-V compound semiconductor는 Si에 비해 안정적인 native oxide가 부족하기 때문에 Si, Ge, Al2O3과 BeO 등과 같은 다양한 물질들의 interface passivation layers (IPLs)에 대한 연구가 많이 되고 있다. 이러한 IPLs 물질은 0.5~1.0 nm의 매우 얇은 physical thickness를 가지고 있고 또한 chemical inert하기 때문에 플라즈마 식각에 대한 연구가 되고 있지만 IPLs 식각 후 기판인 III-V compound semiconductor에 physical damage과 substrate recess를 줄이기 위해서 높은 선택비가 필요하다. 이러한 식각의 대안으로 원자층 식각이 연구되고 있으며 이러한 원자층 식각은 반응성 있는 BCl3의 adsorption과 low energy의 Ar bombardment로 desorption으로 self-limited한 one monolayer 식각을 가능하게 한다. 그러므로 본 연구에서는, III-V compound semiconductor 위에 IPLs의 adsorption과 desorption의 cyclic process를 이용한 원자층식각으로 다양한 물질인 SiO2, Al2O3 (self-limited one monolayer etch rate=about 1 ${\AA}$/cycle), BeO (self-limited one monolayer etch rate=about 0.75 ${\AA}$/cycle)를 얻었으며 그 결과 precise한 etch depth control로 minimal substrate recess 식각을 할 수 있었다.

• 한국기계가공학회지
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• 제14권4호
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• pp.126-133
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• 2015

To enhance the productivity and quality of the compound process of progressive dies and transfer dies, the semi-progressive method is applied in the material supply step to produce blanks, and then the transfer method is applied. Parts are transferred among processes by means of the finger and transfer bar in the transfer die, and the final seat cushion panel is produced. The main challenge in the current study is how to deform a seat cushion panel while meeting the design specifications without any defects. In order to obtain this technology, a sheet metal-forming simulation and die forming of the seat cushion panel were adopted; as a result, a compound die-forming technology for the automotive seat cushion panel, combining both semi-progressive die and transfer die for continuous production, was successfully developed.

• 한국안전학회지
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• 제30권6호
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• pp.12-17
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• 2015

In this study, the collapse characteristic of CFRP/Al compound square tube was investigated experimentally. The conclusions are as follows; The impact collapse characteristic of CFRP/Al compound square tube was found to be the most superior stacking conditions $[90^{\circ}]_8$. It showed that a very stable collapse mode was crushing. In the member with $[0_2{^{\circ}}/90_2{^{\circ}}]_s$ and $[90_2{^{\circ}}/0_2{^{\circ}}]_s$, stacking conditions, $0^{\circ}$ fibers were splayed to the external by laminar bending, while the $90^{\circ}$ fibers were held between the folds of the aluminum member by laminar bending, local buckling and transverse crack. In the member with $[45_2{^{\circ}}/45_2{^{\circ}}]_s$ stacking conditions, fibers were held between the folds of the aluminum member by local buckling and transverse crack.