문화콘텐츠가 문화산업의 중심으로 부상하면서, 콘텐츠와 이를 활용한 문화산업에 대한 관심이 어느 때 보다 높다. 문화는 기억을 중심으로 이루어지며, 기억을 배제한 문화란 존재할 수 없다. 기억은 개인의 차원을 넘어 집단적, 사회적 기억으로 작용한다. 또한 문화는 기억을 담지할 매체를 필연적으로 요구하는데, 최근의 영상텍스트는 새로운 기억매체로서 주목받고 있다. 이러한 점에서 이 논문은 사회 문화적 기억으로서 '기억'의 의미를 탐색해 보고, 중국 6세대 영화를 중심으로 사회 문화적 기억과 그것을 담지해내는 영상텍스트의 기억복원의 의미를 분석하는 데 초점을 두었다. 또한 '대항기억'으로서 '개인기억'의 문화적 의의를 탐색하고, 이를 통해 기억산업과 콘텐츠의 접합 가능성을 찾아보는 시도를 모색했다. 6세대 영화를 주목한 이유는 중국 당국이 제시하는 '공식기억'에 대항하며 '지하'에서 만들어졌던 이들 영화가 국제적인 영화제에서 괄목한 만한 성과를 획득해 나가고 있기 때문이다.
물의 흐름을 제어하는 토양의 기능을 정량적으로 계산하기 위한 방법인 토양수분 메모리(soil moisture memory)는 토양에 도달한 강수가 저장되고 배출되기까지 평균적으로 체류하는 시간을 평가한다. 본 연구에서는 2019, 2020년 한반도 지역에서 강수와 토양수분 위성 기반 모델 산출물을 활용하여 표층(0~5 cm)토양에서의 토양수분 메모리를 산출하고 이를 활용하여 연구지역 내 토양수분 메모리의 시공간적인 분포를 지표면의 경사 및 토양의 특성과 함께 평가하였다. 토양수분 메모리를 특성분석을 위해 강수 사건에 따라 토양수분의 증가를 추적하여 저장 강수율(Fp(f))이라는 새로운 측정 지표를 활용하였다. 강수 발생 초기(3시간 후)에는 산맥을 기준으로 토양 내 저장 강수율이 우선적으로 감소하여 토양수분 메모리의 공간적인 편차가 컸으며 24시간 이후 전반적으로 편차가 감소하였다. 토양 내 저장 강수율은 경사가 증가할수록 감소하는 형태가 뚜렷하게 나타났으며 토양 입자 크기의 구성 비율에 따른 토양 내 수분의 배수 활동에 의한 영향을 확인할 수 있었다. 또한 수리전도도 증감에 기여하는 평균토양수분이 저장 강수율에 미치는 영향을 확인하였다. 본 연구 결과는 강수가 지면에 체류하는 시간에 대한 척도인 토양수분 메모리가 지표의 경사와 토양 특성과 갖는 관계를 규명하고 토양수분의 시공간적 변동성을 이해하는 데 기여할 것으로 기대된다.
Fe-Mn-Si-Ni-Cr-TiC alloys have a shape memory property, recovering initial shape by heating. With an aim to improve a durability and stability of building and infrastructure, this Fe-based shape memory alloy (FSMA) can be employed to reinforce concrete structure with creation of compressive residual stress. In this work, corrosion resistance of FSMA was compared with general rebar and S400 carbon steel to evaluate the stability in concrete environment. Potentiodynamic polarization test in de-ionized water, tap-water and 3.5 wt.% NaCl solution with variations of pH was used to compare the corrosion resistance. FSMA shows better corrosion resistance than rebar and S400 in tested solutions. However, Cl-containing solution is critical to significantly reduce the corrosion resistance of FSMA. Therefore, though FSMA can be a promising candidate to replace the rebar and S400 for the reinforcement of concrete structure, serious cautions are required in marine environments.
In this study, we proposed CMP micro-scratches generated by contaminative particle which existed on the wafer surface prior to CMP process. The CMP micro-scratches are one of the slurry abrasive related damage. To reduce the micro-scratches, research efforts have been devoted to the optimization of slurry abrasive size distribution. In addition of slurry abrasive, it was found that contaminative particles also were major CMP micro-scratch source.
With the rapid evolution of quantum computing, digital quantum simulations are essential for quantum algorithm verification, quantum error analysis, and new quantum applications. However, the exponential increase in memory overhead and operation time is challenging issues that have not been solved for years. We propose a novel approach that provides more qubits and faster quantum operations with smaller memory than before. Our method selectively tracks realized quantum states using a reduced quantum state representation scheme instead of loading the entire quantum states into memory. This method dramatically reduces memory space ensuring fast quantum computations without compromising the global quantum states. Furthermore, our empirical evaluation reveals that our proposed idea outperforms traditional methods for various algorithms. We verified that the Grover algorithm supports up to 55 qubits and the surface code algorithm supports up to 85 qubits in 512 GB memory on a single computational node, which is against the previous studies that support only between 35 qubits and 49 qubits.
In this paper, we obtained the monodomain alignment of nematic liquid Crystal(NLC) in the cell fabricated by transcription alignment method on polyimide(PI) surface with side chain. It is considered that the LC alignment produced by the transcription alignment method is attributed to a memory effect of the NLC on PI surfaces. Also we observed that the generated pretilt angle of NLC is about $3.7^{\circ}$ with transcription alignment on PI surface. Next, we measured that the voltage-transmittance characteristics of transcription-aligned TN-LCD are almost same compared to rubbing-aligned TN-LCD. Also, we measured that the curve of transcription-aligned TN-LCD is less sharp than that of the rubbing-aligend TN-LCD in the decay time characteristics. It is considered that the response time characteristics of transcription-aligned TN-LCD are attributed to the weak anchoring strength between the LC molecules and the polymer surface.
In this study, a TiO2/TiO2-x-based resistance variable memory was fabricated using a DC/RF magnetron sputtering system and ALD. In order to analyze the effect of oxygen plasma treatment on the performance of resistance random access memory (ReRAM), the TiO2/TiO2-x-based ReRAM was evaluated by applying RF power to the TiO2-x oxygen-holding layer at 30, 60, 90, 120, and 150 W, respectively. The ReRAM was fabricated, and the electrical and surface area performances were compared and analyzed. In the case of ReRAM without oxygen plasma treatment, the I-V curve had a hysteresis curve shape, but the width was very small, with a relatively high surface roughness of the oxygen-retaining layer. However, in the case of oxygen plasma treatment, the HRS/LRS ratio for the I-V curve improved as the applied RF power increased; stable improvement was also noted in the surface roughness of the oxygen-retaining layer. It was confirmed that the low voltage drive was not smooth due to charge trapping in the oxygen diffusion barrier layer owing to the high intensity ReRAM applied with an RF power of approximately 150 W.
The phase change memory material is an active element in phase change memory and exhibits reversible phase transition behavior by thermal energy input. The doping of the phase change memory material with Ga leads to the increase of its crystallization temperature and the improvement of its amorphous stability. In this study, we investigated the effect of GaGe sputtering power on the formation of the phase change memory material including Ga. The deposition rate linearly increased to a maximum of 127 nm and the surface roughness remained uniform as the GaGe sputtering power increased in the range from 0 to 75 W. The Ga concentration in the thin film material abruptly increased at the critical sputtering power of 60 W. This influence of GaGe sputtering power was confirmed to result from a combined sputtering-evaporation process of Ga occurring due to the low melting point of Ga ($29.77^{\circ}C$).
Mohamed I.A. Othman;Samia M. Said;Elsayed M. Abd-Elaziz
Advances in materials Research
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제12권2호
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pp.101-118
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2023
The purpose of this paper is to study the effects of magnetic field and gravitational field on fiber-reinforced thermoelastic medium with memory-dependent derivative. Three-phase-lag model of thermoelasticity (3PHL) is used to study the plane waves in a fiber-reinforced magneto-thermoelastic material with memory-dependent derivative. A gravitating magneto-thermoelastic two-dimensional substrate is influenced by both thermal shock and mechanical loads at the free surface. Analytical expressions of the considered variables are obtained by using Laplace-Fourier transforms technique with the eigenvalue approach technique. A numerical example is considered to illustrate graphically the effects of the magnetic field, gravitational field and two types of mechanical loads(continuous load and impact load).
In semiconductor memory device manufacturing, the capability for high aspect ratio contact (HARC) etching determines the density of memory device. Given that there is no standardized definition of "high" in high aspect ratio, it is crucial to continuously monitor recent technology trends to address technological gaps. Not only semiconductor memory manufacturing companies such as Samsung Electronics, SK Hynix, and Micron but also semiconductor manufacturing equipment companies such as Lam Research, Applied Materials, Tokyo Electron, and SEMES release annual reports on HARC etching technology. Although there is a gap in technological focus between semiconductor mass production environments and various research institutes, the results from these institutes significantly contribute by demonstrating fundamental mechanisms with empirical evidence, often in collaboration with industry researchers. This paper reviews recent studies on HARC etching and the study of dielectric etching in various technologies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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