• 인터넷정보학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.95-106
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• 2010

최근 복잡한 프로그래밍 환경에서 다수의 프로세스들은 서로 협력하기 위하여 서로 통신하고 자원과 정보를 공유한다. 커널에서는 이것이 가능한 방법으로 프로세스간 통신이라는 IPC(Inter-Process Communication)를 제공한다. 리눅스에서 사용되는 공유 메모리는 동일한 메모리 영역에 여러개의 프로세스가 접근할 수 있도록 해 주는 기술이다. 본 논문에서는 서로 다른 코어에 서로 다른 운영체제를 갖는 듀얼코어 임베디드 리눅스 시스템에서 공유 메모리 성능 개선 방안을 제시하고, MP2530F(ARM926F+ARM946E)의 임베디드 리눅스 시스템을 구축하여 성능을 측정한다. 공유 메모리를 이용한 프로세스의 동작이 별개의 CPU에서 동작되도록 함으로써 성능 향상을 꾀한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제1권3호
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• pp.141-157
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• 2001

Highly reliable packaged 64kbit ferroelectric memories with $0.8{\;}\mu\textrm{m}$ CMOS ensuring ten-year retention and imprint at 125^{\circ}C$ have been successfully developed. These superior reliabilities have resulted from steady integration schemes free from the degradation, due to layer stress and attacks of process impurities. The resent results of research and development for ferroelectric memories at Hynix Semiconductor Inc. are summarized in this invited paper.

• 디지털산업정보학회논문지
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• 제5권4호
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• pp.169-177
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• 2009

In come cases, people differently respond on the same joke or thoughtless behavior - sometimes like it and laugh, another time feel annoyed or angry. This fact is explained that experiences which we had in the past are remembered by emotional memory, so they cause different responses. When people face similar situation or feel similar emotion, they evoke the emotion experienced in the past and the emotional memory affects current emotion. This paper suggested the mechanism of the emotional memory using SOM through the similarity between the emotional memory and SOM learning algorithm. It was assumed that the mechanism of the emotional memory has also the characteristics of association memory, long-term memory and short-term memory in its process of remembering emotional experience, which are known as the characteristics of the process of remembering factual experience. And then these characteristics were applied. The mechanism of the emotional memory designed like this was applied to toy hammer game and I measured the change in the power of toy hammer caused by differently responding on the same stimulus. The mechanism of the emotional memory suggest in above is expected to apply to the fields of game, robot engineering, because the mechanism can express various emotions on the same stimulus.

• 생물정신의학
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• 제12권2호
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• pp.207-215
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• 2005

Objectives:This study was to compare verbal memory ability among patients with schizophrenia, bipolar manic patients and unipolar depressive patients, and to understand their charicteristics of memory process. Methods:All subjects were hospitalized patients and had been interviewed by using the Structured Clinical Interview for DSM-IV(SCID). Schizophrenic patients(N=40), bipolar manic patients(N=17), and unipolar depressive patients(N=20) were assessed with K-AVLT for verbal memory and with K-WAIS for verbal IQ. Three groups were compared regarding total immediate recall, delayed recall, delayed recognition, learning curve, memory retention, and retrieval efficiency under controlled verbal IQ. Multiple regression analysis was performed to find which clinical factors have an influence on verbal memory ability. Results:In MANCOVA, differences of verbal memory test scores among the groups were statistically significant(F=1.800, p<.05). In post hoc analysis, Patients with schizophrenia and bipolar mania showed poorer performance in immediate recall, delayed recall, delayed recognition, retrieval efficiency than unipolar depres- sive patients. And schizophrenics performed poorly in delayed recall, delayed recognition, retrieval efficiency than nonpsychotic affective disorder group, but no difference in total immediate recall, delayed recall, delayed recognition, retrieval efficiency between the schizophrenic group and the psychotic affective group. Conclusions:These results partially confirm previous reports of verbal memory ability among major psychiatric disorders. Our results showed that psychotic symptoms were related with verbal memory, and longer duration of illness was related with poorer performance in schizophrenia and unipolar depression.

• 정보과학회 논문지
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• 제44권2호
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• pp.132-138
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• 2017

본 연구에서는 뉴메모리 기반 컴퓨팅 시스템의 신뢰성을 높이기 위해 프로세스 단위로 체크포인팅하는 시스템을 설계하고 구현한다. 프로세스 체크포인팅을 위하여 일반적인 프로세스 실행에서 문맥전환이 일어나는 시점마다 결함이 발생하기 이전의 안전한 상태로 되돌아갈 수 있는 롤백 시점을 만든다. 본 연구에서는 롤백 시점의 안전한 프로세스 상태에 대한 새로운 프로세스를 만들며 이를 P-process(Persistent-process)라고 명명한다. P-process를 만드는 주기를 세밀한 간격인 문맥전환 때마다 만들기 때문에 결함이 발생하였을 때 롤백으로 인한 프로세스 실행시간 손실을 작게 만들 수 있다. P-process를 만드는 오버헤드를 줄이기 위하여 프로세스의 메모리 상태에서 변경된 부분만 저장할 수 있도록 COW(Copy-On-Write) 메커니즘을 이용하였다. 문맥전환 때마다 P-process를 생성하였을 때 PARSEC 벤치마크의 11개 워크로드 중 8개의 워크로드에서 5% 내의 실행 시간 오버헤드가 발생하였으며 오버헤드가 많이 발생한 워크로드도 P-process의 생성 주기의 조정으로 오버헤드를 감소시킬 수 있었다.

• 수면정신생리
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• 제4권1호
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• pp.29-38
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• 1997

치매는 기억력을 포함한 다양한 영역의 인지기능의 손상을 특징으로 하는 질병군으로 정의된다. 그러므로 현재 치매진단을 위하여 사용되고 있는 대부분의 진단기준들은 치매의 진단에 있어 기억 장애를 필수요소로 포함하고 있다. 기억력의 감퇴는 노화과정의 결과로서 나타날 수 있다. 치매와는 달리 노화에서의 기억력의 감퇴는 노화에 따른 정상으로 간주되며 사회적 그리고 직업적 기능의 영역에서 심각한 어려움이나 손상을 초래하지 않는다. 우울증 또한 기억장애를 동반할 수 있다. 하지만 치매와는 달리 우울증에서는 언어성 지연회상과 재인기억의 감소는 나타내지 않는다. 치매환자들에서의 기억장애도 병소의 위치에 따라 다른양상으로 나타날 수 있다. 피질성치매에서의 기억장애는 정보의 부호화와 기억강화과정의 이상에 의해 초래된 것인데, 피질하치매에서의 기억장애는 인출의 장애에 의한 것이다.

• 정보보호학회논문지
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• 제27권5호
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• pp.1013-1022
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• 2017

최대 절전 모드는 물리 메모리의 데이터를 비휘발성 매체에 저장하였다가 시스템에 전원이 들어오면 메모리 데이터를 비휘발성 매체로부터 물리 메모리에 복구하는 기능이다. 최대 절전 모드 파일은 메모리 데이터를 정적 상태로 가지기 때문에 공격자가 이를 수집할 경우에 시스템의 물리 메모리에 있던 사용자 아이디와 패스워드 및 디스크 암호화키 등의 주요 정보들이 유출될 수 있는 위험성이 존재한다. 윈도우에서는 최대 절전 모드 파일만을 위한 보호기능을 지원하지 않기 때문에 최대 절전 모드 파일에 기록되는 메모리 데이터 내용들을 보호하는 방법이 필요하다. 본 논문에서는 최대 절전 모드 파일에 기록되는 프로세스의 메모리 데이터를 보호하기 위해서 최대 절전 모드 파일 내의 물리 메모리 데이터를 암호화하는 방법을 제안한다. 최대 절전 모드 처리 시에 메모리 데이터를 암호화하기 위해 최대 절전 모드 처리 절차를 분석하고, 최대 절전 모드 파일에 기록되는 메모리 데이터에 대한 암호화 과정이 프로세스 각각에 대해 투명하게 동작하도록 구현하였다. 실험을 통해 구현한 최대 절전 모드 파일 내 프로세스 메모리 데이터 암호화 도구는 암복호화 비용으로 약 2.7배의 오버헤드를 보였다. 이런 오버헤드는 전체 디스크 암호화 도구가 지속적으로 10% 이상의 속도저하를 유발하는 상황과 비교해 볼 때, 공격자에게 프로세스의 평문 메모리 데이터가 노출되지 않기 위해 필요한 비용으로 충분히 감내할 수 있다고 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.192.1-192.1
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• 2015

We demonstrated the nonvolatile memory functionality of nano-crystalline silicon (nc-Si) and InGaZnOxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) using mobile protons that are generated by very short time hydrogen neutral beam (H-NB) treatment in gate insulator (SiO2). The whole memory fabrication process kept under $50^{\circ}C$ (except SiO2 deposition process; $300^{\circ}C$). These devices exhibited reproducible hysteresis, reversible switching, and nonvolatile memory behaviors in comparison with those of the conventional FET devices. We also executed hydrogen treatment in order to figure out the difference of mobile proton generation between PECVD and H-NB CVD that we modified. Our study will further provide a vision of creating memory functionality and incorporating proton-based storage elements onto a probability of next generation flexible memorable electronics such as low power consumption flexible display panel.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2006년도 추계학술발표대회 및 제11회 신소재 심포지엄
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• pp.14.1-14.1
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• 2006

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2006년도 춘계학술발표대회 및 제10회 신소재 심포지엄 논문개요집
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• pp.21.1-21.1
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• 2006