• 제목/요약/키워드: memory access time

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Design and Implementation of HomeTDMA: a TDMA Protocol for Home Networks

  • Casaquite, Reizel;Hwang, Won-Joo
    • 한국멀티미디어학회논문지
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    • 제10권12호
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    • pp.1612-1621
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    • 2007
  • In this paper, we introduced our designed TDMA (Time Division Multiple Access) based MAC (Medium Access Control) protocol for Home Networks called HomeTDMA. We have implemented and tested it in a test bed using crossbow motes and TinyOS. We also have compared HomeTDMA and CSMA (Carrier Sense Multiple Access) in terms of space and time complexity, channel access time, delivery success ratio, and throughput. Based on our results, HomeTDMA has an advantage over CSMA on channel access time, throughput and delivery success ratioIn the case of complexity, HomeTDMA is more complex compared to CSMA. Thus, CSMA is more appropriate in wireless sensor networks (WSNs) where memory, energy, and throughput are important parameters to be considered. However, HomeTDMA has a natural advantage of collision free medium access and is very promising for home networks where a reliable transmission or data transfer and congestion control is highly preferred.

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MPEG-2 비디오 부호화기의 프레임 메모리 인터페이스 개선에 관한 연구 (A Study on the Improvement of Frame Memory Interface of MPEG-2 Video Encoder)

  • 이인섭;임순자;김환용
    • 한국컴퓨터산업학회논문지
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    • 제2권2호
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    • pp.211-218
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    • 2001
  • 본 논문에서는 동영상 부호화기에서 프레임 메모리 인터페이스의 하드웨어 구현을 위해 기존의 DRAM이 아닌 SDRAM을 사용하여 효율적인 메모리 맵의 구조를 제안한다. 동일한 버스에서도 효과적인 메모리 맵과 내부 버퍼 크기를 줄여 하드웨어 복잡도을 개선하고 내부 로직을 간략화하여 면적을 최소화하였다. 기존의 시스템은 매크로 블록 단위로 메모리에 저장하고 다시 출력을 위해서 랜덤하게 저장되어 있는 데이터를 액세스하여 많은 시간을 소비한다. 따라서 데이터를 라인 단위로 저장 및 처리하므로 메모리의 엑세스 시간을 효과적으로 줄일 수 있는 방법을 제시하였다.

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지역성을 이용한 하이브리드 메모리 페이지 교체 정책 (Page Replacement Policy of DRAM&PCM Hybrid Memory Using Two Locality)

  • 정보성;이정훈
    • 대한임베디드공학회논문지
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    • 제12권3호
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    • pp.169-176
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    • 2017
  • To replace conventional DRAM, many researches have been done on nonvolatile memories. The DRAM&PCM hybrid memory is one of the effective structure because it can utilize an advantage of DRAM and PCM. However, in order to use this characteristics, pages can be replaced frequently between DRAM and PCM. Therefore, PCM still has major problem that has write-limits. Therefore, it needs an effective page management method for exploiting each memory characteristics dynamically and adaptively. So we aim reducing an average access time and write count of PCM by utilizing two locality for an effective page replacement. We proposed a page selection algorithm which is recently requested to write in DRAM and an algorithm witch uses two locality in PCM. According to our simulation, the proposed algorithm for the DRAM&PCM hybrid can reduce the PCM write count by around 22% and the average access time by 31% given the same PCM size, compared with CLOCK-DWF algorithm.

상변화 메모리 응용을 위한 Sb-doped $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ 박막의 특성 (The properties of Sb-doped $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ thin films application for Phase-Change Random Access Memory)

  • 남기현;최혁;구용운;정홍배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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    • pp.1329-1330
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    • 2007
  • Phase-change random access memory(PRAM) has many advantages compare with the existing memory. For example, fast programming speed, low programming voltage, high sensing margin, low power consume and long cyclability of read/write. Though it has many advantages, there are some points which must be improved. So, we invented and studied new constitution of $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ chalcogenide material. Actually, the performance properties have been improved surprisingly. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. In this paper, we studied in order to make set operation time and reset operation voltage reduced. In the present work, by alloying Sb in $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$. we could confirm that improved its set operation time and reset operation voltage. As a result, the method of Sb-alloyed $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ can be solution to decrease the set operation time and reset operation voltage.

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NUMA(non-uniform memory access) 모델 시스템을 위한 cost-effective한 다단계 상호연결망 (Cost-effective multistage interconnection network for UNMA model system)

  • 최창훈;김성천
    • 전자공학회논문지C
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    • 제34C권5호
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    • pp.19-32
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    • 1997
  • So far, the multiple path MINs to provide redundant paths in the traditional UPP MINs have been realized by adding additional hardware such as extra stages, duplicated data links, or multiple copies of sthe MIN. And the traditional MINs do not exploit locality: communication with all processor-memory paris takes the same amount of time. Also so far there has been little progress for exploiting locality of reference in MINs. In this paper, we present a new topology MIN, hybrid MIN that is constructed with 2N-3 SEs which is far fewer SEs than that of traditional MINs. Although the hybrid MIN is constructed with 2N-3 SEs, the hybrid MIN satisfies full access capability (FAC) and has redundant paths(but providing single path for 2 memory modules of each processor). Moreover the has redundant paths (but providing single path for 2 memory modules of each processor). Moreover the Hybrid MIN provides shortcut path between pairs which have frequent dat acommunication (locality of reference). Its performance under varing degrees of localized communication is analyzed.

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Multi-Access Memory System(MAMS)의 속도 향상을 위한 아키텍처 설계 (Architecture design for speeding up Multi-Access Memory System(MAMS))

  • 고경식;김재희;이스라엘;박종원
    • 전자공학회논문지
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    • 제54권6호
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    • pp.55-64
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    • 2017
  • 대용량 고화질의 영상 응용분야에서는 많은 양의 데이터를 고속으로 처리하는 기술이 필요하며, 이를 위해 고속화된 병렬처리 시스템이 요구된다. 2004년 park은 병렬처리 메모리의 충돌 없이 여러 처리기에 데이터를 접속할 수 있는 방법을 제안하였다. 제안된 MAMS(Multi-Access Memory System) 는 이후 MAMS-PP16 및 MAMS-PP64 등으로 추가적인 연구가 이루어졌다. MAMS는 병렬처리를 위한 메모리 아키텍처로써 One-chip으로 구성되어야하기 때문에 기존 MAMS와 동일한 기능을 수행하면서 아키텍처의 최소화 하는 방법의 연구가 필요하다. 주소 계산 (ACR : Address Calculation and Routing) circuit과 MMS(Memory Module Selection)circuit의 아키텍처는 메모리에 있는 데이터를 병렬처리기(Prossing Elements)들에게 전달한다. 본 논문에서는 MMS circuit을 사용하지 않고 ACR circuit 내부에 1개의 쉬프트와 메모리 모듈의 개수만큼의 조건문으로 구성하는 방법을 통해 아키텍처를 최소화 하는 방법을 제안한다. 구현한 아키텍처의 검증을 위해 Image correlation 실험을 하였다. 실험을 통하여 제안된 MAMS-PP64의 처리시간을 측정 하였으며, 그 결과 Ratio가 평균 1.05향상 된 결과를 확인 할 수 있었다.

라인 스캔 카메라를 위한 고속 영상 처리 시스템 설계 (Design of High-Speed Image Processing System for Line-Scan Camera)

  • 이운근;백광렬;조석빈
    • 제어로봇시스템학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.178-184
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    • 2004
  • In this paper, we designed an image processing system for the high speed line-scan camera which adopts the new memory model we proposed. As a resolution and a data rate of the line-scan camera are becoming higher, the faster image processing systems are needed. But many conventional systems are not sufficient to process the image data from the line-scan camera during a very short time. We designed the memory controller which eliminates the time for transferring image data from the line-scan camera to the main memory with high-speed SRAM and has a dual-port configuration therefore the DSP can access the main memory even though the memory controller are writing the image data. The memory controller is implemented by VHDL and Xilinx SPARTAN-IIE FPGA.

레지스터 프로모션을 이용한 내장형 소프트웨어의 성능 향상 (Performance Enhancement of Embedded Software Using Register Promotion)

  • 이종열
    • 정보처리학회논문지A
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    • 제11A권5호
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    • pp.373-382
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    • 2004
  • 이 논문에서는 내장형 소프트웨어의 성능 향상을 위하여 사용될 수 있는 레지스터 프로모션의 새로운 기법을 제안한다. 레지스터 프로모션은 프로그램 내의 메모리 접근 연산(memory access)을 레지스터 접근 연산(register access)으로 바꾸어서 프로그램의 성능 향상을 꾀하는 최적화 방법 중의 하나이다. 제안된 방법에서는 프로파일링(profiling)을 통하여 주어진 소스 코드 내에서의 메모리 접근 연산에 대한 트레이스(trace)를 얻는다. 그리고 각 함수의 수행 횟수에 대한 프로파일링 결과로부터 높은 동적 호출 횟수를 가지는 대상 함수를 선정하여 제안된 레지스터 프로모션 기법을 적용한다. 이와 같이 최적화의 대상이 되는 함수의 수를 줄임으로써 컴파일 시간을 줄일 수 있다. 최적화 대상 함수의 메모리 트레이스를 탐색하여 레지스터 접근 연산으로 변경될 경우 수행 사이클을 줄일 수 있는 메모리 접근 연산을 찾는다. 찾아진 메모리 접근 연산에 대해서는 컴파일러의 중간단계 코드를 수정하여 프로모션 레지스터를 할당한다. 이와 같은 과정을 거쳐 메모리 접근 연산이 프로모션 레지스터에 대한 접근 연산으로 대체되고 이로부터 성능향상을 얻을 수 있다. 제안된 레지스터 프로모션 기법을 ARM과 MCORE 프로세서용 컴파일러에 적용한 후 MediaBench와 DSPStone 벤치마크을 이용하여 실험한 결과 ARM과 MCORE 프로세서에 대하여 각각 평균 14%와 18%의 성능향상을 얻을 수 있었다.

ASIC용 메모리 컴파일러 설계 (Design of a memory compiler for ASIC)

  • 김정범;권오형;홍성제
    • 전자공학회논문지C
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    • 제35C권8호
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    • pp.23-32
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    • 1998
  • In this paper, we propose a memory compiler to genrate embedded RAMs and ROMs for ASIC chips. We design the leaf cells to be compsoed of memory blocks. The compiler is built using tile-based method to simplify routing. The compiler can genrate any memory layouts to satisfy 64 to 4096 words and 4 to 256 bits per word. The technology we used here is 0.8.mu.m single poly double metal CMOS process. The address access time and power consumption are verifie dthrough the HSPICE simulation.

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낸드 플래시 메모리 상에서 효율적인 MR-트리 동작을 위한 지연 연산 기법 (Delay Operation Techniques for Efficient MR-Tree on Nand Flash Memory)

  • 이현승;송하윤;김경창
    • 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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    • 제14권8호
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    • pp.758-762
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    • 2008
  • 플래시 메모리 중 저장장치로 사용되는 낸드 플래시 메모리는 유비쿼터스 및 모바일 환경에 적합한 특성으로 다양한 분야의 저장장치로 이용되고 있으며 효율적인 활용을 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 모바일 환경에서 이용할 수 있는 멀티미디어 데이타베이스 시스템을 위한 인덱스로써 공간 데이타 액세스가 가능한 R-트리의 검색 성능을 향상시킨 MR-트리는 메인 메모리 데이터베이스 시스템에서 캐쉬 미스를 줄이고 중간 노드의 이용률을 높임으로써 연산 성능을 높일 수 있는 특성을 가진다. 본 논문에서는 검색 성능이 좋은 MR-트리를 활용하여 낸드 플래시 메모리 기반에서 효율적인 동작을 위한 지연 연산 기법을 제안하였다. MR-트리의 노드 크기를 낸드 플래시 메모리의 쓰기 연산 단위에 맞추고 인덱스 수정 연산 시 노드 크기만큼 지연 연산하여 쓰기 연산으로 인한 플래시 메모리에서의 추가적인 비용을 줄이고 연산 횟수를 줄여 인덱스 성능을 향상 시켰다.