• 제목/요약/키워드: matching circuit

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매칭 회로와 구형 Stub를 이용한 Flexible T-DMB 안테나 구현에 관한 연구 (A Study of Flexible T-DMB Antenna Using Rectangular Stub and Matching Circuit)

  • 김호진;이선현;이영훈;이상석
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제22권2호
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    • pp.236-244
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    • 2011
  • 본 논문에서는, Glass 안테나의 특성과 휴대성 및 제작상의 장점이 있는 다이폴 형태의 Flexible T-DMB 안테나를 제안하였다. 차량의 전면 유리 최외각에 위치하는 안테나를 구현하기 위하여 차체의 영향에 따른 안테나의 특성과 안테나의 부착 위치에 따라 달라지는 안테나 특성을 고려하여 급전 선로 사이에 매칭 회로를 추가하여 안테나의 입력 정합 특성을 높였다. 차량의 전면 유리에서의 실험 결과, T-DMB(174~216 MHz) 대역에서 안테나의 입력 반사 손실은 -6 dB 이하를 기준으로 모두 만족하였으며, 위치 변화에도 T-DMB 대역을 만족하였다.

MF 주파수대역 무선전력전송에서 매칭회로타입에 따른 매칭특성에 대한 연구 (Study on matching characteristic according to impedance matching circuit type at MF Frequency band Wireless power transfer)

  • 김대욱;양대기;안영오;임은석;최상돈;최대규;정윤도
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.47-48
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    • 2014
  • 기본적으로 전력전송개념에서 최대의 전력이 전달하기 위해서는 전력전송단과 부하단사이의 임피던스를 맞추어 주어야 최대의 전력이 전달된다. 무선전력전송 역시 RF Source와 송수신 코일간의 임피던스를 맞추어야 최대의 전력전달과 효율을 기대할 수 있다. 따라서 송수신 코일과 부하간에 임피던스 매칭은 필수적으로 필요하다. 매칭이 원할하지 않을 경우 RF Source에 반사전력이 반사되어 심각한 손실을 발생할 수 있으며, 수신부의 부하단에 최대로 전력이 전달되지 않으며 전체 시스템 효율이 나빠지게 된다. 임피던스 매칭회로 타입에는 여러가지 타입이 사용되는데 대표적으로 L type, T Type, ${\pi}$ type이 일반적으로 사용된다. 본 연구에서는 L type, T type, ${\pi}$ type 방식을 이용하여 각 타입별 매칭범위와 매칭특성에 대한 기초실험을 수행하였다.

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새로운 형의 마이크로스트립 매직티에 관한 연구 (A Study on the New Microstrip Magic Tee)

  • 장익수;김진헌
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제17권3호
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    • pp.36-44
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    • 1980
  • 마이크로스트?에 의하여 매직티를 평면상에 구성할 수 있는 방법을 제시한다. H-아암은 병렬회로로 구성되므로 직접 병렬구성을 하였으며, E-아암의 직각결합은 이 마이크로스트릴 회로 마운트에 공간을 형성하고 이 회로의 접지면에 겝을 이용하여 등지적으로 직렬결합이 되게 한다. 특히 E-아암의 겝에서 최대의 결합이 이루어지도록 개방 및 단락 스터브를 마이크로스트립으로 만들어 주었으며, 이때 E와 H-아암에 2:1이 되는 입퍼던스 정합기를 Chewshev 이계변환기로한 결과 S-Band에서는 각 아암에서 1.25보다 작은 VSWR을 얻었으며 분잡도는 -40dB 이하로써 이론치와 잘 일치하는 결과를 얻었다.

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선택적 산화 알루미늄 기판을 이용한 소형 2.5 GHz 8 W GaN HEMT 전력 증폭기 모듈 (A Miniaturized 2.5 GHz 8 W GaN HEMT Power Amplifier Module Using Selectively Anodized Aluminum Oxide Substrate)

  • 정해창;오현석;염경환
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제22권12호
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    • pp.1069-1077
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    • 2011
  • 본 논문에서는 선택적 산화 알루미늄(SAAO: Selectively Anodized Aluminum Oxide) 기판을 이용하여 2.5 GHz 8 W급 소형 GaN HEMT 전력 증폭기 모듈을 설계, 제작하였다. SAAO 기판 공정은 최근 Wavenics사에서 제안한 특허 기술로서, 알루미늄을 웨이퍼로 이용한다. 본 연구에 사용된 능동 소자는 최근 발표된 TriQuint사의 칩 형태 의 GaN HEMT이다. 최적의 임피던스는 수동 조정 소자가 내장된 지그를 사용하여 실험적으로 결정하였다. 결정된 임피던스를 이용하여, 입 출력 임피던스 정합 회로를 EM co-시뮬레이션을 이용하여 F급으로 설계를 수행하였으며, SAAO 기판에 구현하였다. 이때, 소형의 패키지(모듈)에 집적하기 위하여 인덕터와 커패시터는 각각 spiral inductor, single layer capacitor를 사용하였다. 소형으로($4.4{\times}4.4\;mm^2$) 패키지된 전력 증폭기 모듈의 경우, 출력은 8 W, 효율은 40 % 그리고 2차 및 3차 고조파에 대한 고조파 억제는 30 dBc 이상의 특성을 보였다.

MEMS 스위치 기반 재구성 고출력 증폭기를 갖는 재구성 능동 배열 안테나 시스템 (A Reconfigurable Active Array Antenna System with Reconfigurable Power Amplifiers Based on MEMS Switches)

  • 명성식;엄순영;전순익;육종관;;임규태
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권4호
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    • pp.381-391
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    • 2010
  • 본 논문에서는 상용 초고주파 MEMS 스위치를 이용하여 세 개의 주파수 대역에서 재구성 동작이 가능한 주파수 재구성 능동 배열 안테나 시스템(Reconfigurable Active Array Antenna System: RAA System)을 제안하였다. MEMS 스위치는 삽입 손실 및 선형성 특성이 우수하고 격리도가 높아 주파수 재구성 시스템 구현 시, 재구성을 위한 스위치로 인한 성능 열화가 거의 없다는 장점이 있다. 제안된 주파수 재구성 능동 배열 안테나 시스템은 간단한 구조의 임피던스 매칭 회로(Reconfigurable impedance Matching Circuit: RMC)를 갖는 주파수 재구성 증폭기(Reconfigurable Front-end Amplifier: RFA)가 집적화 되어 있으며, 안테나 방사체(Reconfigurable Antenna Element: RAE)와 재구성 제어 보드(Reconfiguration Control Board: RCB)로 구성되어 있다. 본 논문에서 제안한 RAA 시스템은 850 MHz, 1.9 GHz, 3.4 GHz의 세 개 주파수로 재구성되어 동작하며, 안테나 방사체는 $2{\times}2$ 배열을 가지고 각각의 방사체는 광대역 다이폴 형태를 갖는다. 제작된 RAA 시스템은 실험을 통하여 그 타당성을 확인하였다.

LCD 백라이트용 외부전극 형광램프의 인버터 회로 해석 (Analysis of Inverter Circuit with External Electrode Fluorescent Lamps for LCD Backlight)

  • 정종문;신명주;이미란;김가을;김정현;김상진;이민규;강미조;신상초;안상현;길도현;유동근;구제환
    • 한국진공학회지
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    • 제15권6호
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    • pp.587-593
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    • 2006
  • 외부전극 형광램프를 광원으로 하는 백라이트의 저항$(R_L)$과 전기용량(C), 그리고 인버터의 트랜스포머 인덕턴스(L)로 구성된 회로를 분석하였다. 램프의 저항과 전기용량은 램프에 흐르는 전류와 전압의 위상차 및 Q-V 그래프에서 결정된다. 32인치용 EEFL 램프 하나의 저항 값은 $66\;k\Omega$이고 전기용량은 21.61 pF이다. 20 개의 EEFL을 병렬 연결한 백라이트의 저항은 $3.3\;k\Omega$이고 전기용량은 402.1 pF이다. 램프 및 트랜스포머 회로에서 임피던스 매칭 주파수는 2 차 코일의 인덕턴스 $L_2$와 결합계수 k로 나타내며, $\omega_M=1/\sqrt{L_2C(1-k^2)}$ 이다. 램프 시스템의 전류와 전압은 임피던스 매칭 주파수에서 최대값을 갖는다. 이러한 해석 해의 결과는 실험 결과와 잘 일치한다.

내부정합된 GaN-HEMT를 이용한 2.65 GHz Doherty 전력증폭기 (A 2.65 GHz Doherty Power Amplifier Using Internally-Matched GaN-HEMT)

  • 강현욱;이휘섭;임원섭;김민석;이형준;윤정상;이동우;양영구
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제27권3호
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    • pp.269-276
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    • 2016
  • 본 논문에서는 내부 정합된 GaN-HEMT를 이용하여 2.65 GHz에서 동작하는 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 패키지 내부의 정합회로는 고조파 임피던스를 정합하기 위해 적용되었다. 동시에 기본주파수 임피던스가 부분적으로 정합되기 때문에 입력 및 출력 외부 정합회로는 간단해진다. 트랜지스터 패키지의 본드 와이어와 기생 성분은 EM 시뮬레이션을 통해 예측되었다. Doherty 전력증폭기는 48 V의 동작 전압을 인가하였으며, 6.5 dB의 PAPR을 갖는 LTE 신호에 대해 2.65 GHz에서 13.0 dB의 전력이득, 55.4 dBm의 포화전력, 49.1 %의 효율 및 -26.3 dBc의 ACLR 특성을 얻었다.

수정된 전역통과 필터를 이용한 2~6 GHz 광대역 GaN HEMT 전력증폭기 MMIC (2~6 GHz Wideband GaN HEMT Power Amplifier MMIC Using a Modified All-Pass Filter)

  • 이상경;김동욱
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제26권7호
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    • pp.620-626
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    • 2015
  • 본 논문에서는 2차 전역통과 필터를 이용하여 입력정합을 수행하고, LC 병렬공진 회로를 이용하여 트랜지스터의 출력 리액턴스를 최소화하는 기법을 적용함으로써 2~6 GHz에서 동작하는 광대역 GaN 전력증폭기 MMIC를 설계 및 제작하였다. 광대역 손실정합을 위해 사용된 2차 전역통과 필터는 트랜지스터의 채널 저항 효과를 보상하기 위해 비대칭적 구조를 사용하였다. Win Semiconductors사의 $0.25{\mu}m$ GaN HEMT 파운드리 공정으로 제작된 MMIC 칩은 크기가 $2.6mm{\times}1.3mm$이며, 주파수 대역 내에서 약 13 dB의 평탄한 이득 특성과 10 dB 이상의 우수한 입력정합 특성을 보였다. 포화출력 조건에서 측정된 출력전력은 2~6 GHz에서 38.6~39.8 dBm의 값을 보였고, 전력부가효율은 31.3~43.4 %을 나타내었다.

HMM(Hidden Markov Model) 기반의 견고한 실시간 립리딩을 위한 효율적인 VLSI 구조 설계 및 FPGA 구현을 이용한 검증 (Design of an Efficient VLSI Architecture and Verification using FPGA-implementation for HMM(Hidden Markov Model)-based Robust and Real-time Lip Reading)

  • 이지근;김명훈;이상설;정성태
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제11권2호
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    • pp.159-167
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    • 2006
  • 립리딩은 잡음이 있는 환경에서 음성 인식 시스템의 성능 향상을 위한 한 방법으로 제안되었다. 기존의 논문들이 소프트웨어 립리딩 방법을 제안하는 것에 반하여, 본 논문에서는 실시간 립리딩을 위한 하드웨어 설계를 제안한다. 실시간 처리와 구현의 용이성을 위하여 본 논문에서는 립리딩 시스템을 이미지 획득 모듈, 특징 벡터 추출 모듈, 인식 모듈의 세 모듈로 분할하였다. 이미지 획득 모듈에서는 CMOS 이미지 센서를 사용하여 입력 영상을 획득하게 하였고, 특징 벡터 추출 모듈에서는 병렬 블록매칭 알고리즘을 이용하여 입력영상으로부터 특징벡터를 추출하도록 하였고, 이를 FPGA로 코딩하여 시뮬레이션 하였다. 인식 모듈에서는 추출된 특징 벡터에 대하여 HMM 기반 인식 알고리즘을 적용하여 발성한 단어를 인식하도록 하였고, 이를 DSP에 코딩하여 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션 결과 실시간 립리딩 시스템이 하드웨어로 구현 가능함을 알 수 있었다.

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메타구조의 CRLH를 이용한 이중대역 전력증폭기 설계 (Design of Dual-band Power Amplifier using CRLH of Metamaterials)

  • 고승기;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제47권12호
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    • pp.78-83
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    • 2010
  • 본 논문에서는 메타구조를 이용하여 하나의 RF GaN HEMT로 새로운 이중대역에 전력증폭기를 구현하였다. CRLH 전송선로는 이중- 대역 조절 특성을 갖는 메타물질 전송 선로를 만들 수 있다. CRLH 전송 선로의 이중 대역 동작은 전력증폭기의 정합 회로를 구현을 위하여 주파수 오프셋과 CRLH 전송 선로의 비선형 위상 기울기에 의해 얻을 수 있다. 이중대역에서 CRLH 전송 선로를 이용하여 이중대역에서 오직 2차, 3차 고조파 성분만을 조절하였다. 또한, 제안된 전력증폭기의 효율을 향상 시키기 위하여 출력 정합 회로뿐만 아니라 입력 정합회로도 고조파 조절 회로를 이용하여 구현하였다. 두 동작 주파수는 900MHz와 2140MHz로 정하였다. 전력증폭기의 측정된 출력 전력은 각각 900MHz에서 39.37dBm, 2140MHz에서 38.87 dB이다. 이 지점에서 얻은 전력효율 및 IMD는 900MHz에서 PAE 60.2%, IMD는 -23.17dBc, 2140MHz에서 PAE 67.3%, IMD -25.67dBc이다.