Ra, Hyun-Wook;Park, HyungJo;Kim, Ki Ju;Kim, Wan-Young;Hahn, Yoon-Bong
Korean Chemical Engineering Research
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v.43
no.1
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pp.76-79
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2005
Dry etching of NiFe, NiFeCo, and Ta for magnetic random access memory (MRAM) by inductively coupled plasmas (ICPs) of $Cl_2/Ar$ has been carried out. NiFe and NiFeCo showed maximum etch rates at a particular ICP source power, but the etch rate of Ta increased with the ICP source power. The etch rates of the magnetic thin films increased with the RF chuck power, but decreased with the operating pressure and the $Cl_2$ concentration. To avoid a corrosion problem by chlorine, the etched samples were rinsed with de-ionized water for 5 minutes after etching. The etch profile showed a clean and smooth surface at 50% $Cl_2$ concentration.
The effect of $O_2$ partial pressure on microstructure and soft magnetic properties of as-deposited Fe-Hf-O thin film alloys, which are produced by rf magnetron sputtering method in $Ar+O_2$ mixed gas atmosphere, are investigated. Saturation magnetization ($4{\pi}M_s$) of Fe-Hf-O film were decreased with increasing $O_2$ partial pressure, the best soft magnetic properties exhibit at $O_2$ partial pressure of 10%. With further increase of $O_2$ partial pressure, soft magnetic properties decreased continuously. The $Fe_{82}Hf_{3.4}O_{14.6}$ film with $P_{O2}=10%$ exhibits good soft magnetic properties with $4{\pi}M_s=17.7kG$, $H_c=0.7Oe$ and ${\mu}_ {eff}$ (1~100 MHz)=2,500, respectively. The addition of O is effective in grain refinement. In case of $P_{O2}=15%$, it is observed that $Fe_3O_4$ compound is formed and high frequency soft magnetic properties are decrease. The electrical resistvity($\rho$) of Fe-Hf-O film is increased with increasing $O_2$ partial pressure. Electrical resistivity of $Fe_{82}Hf_{3.4}O_{14.6}$ film was 5 times higher than that of the film without oxygen. Thus, it is considered that the good magnetic properties of $Fe_{82}Hf_{3.4}O_{14.6}$ film results from decreasing the $\alpha$-Fe grain size by precipitates (Hf and O), high electrical resistivity.
Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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2002.02a
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pp.221-224
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2002
Superconducting electrical devices are under development in a national project in Korea. And KEPCO and LGIS are in charge of development of a resistive type fault current limiters(FCLs) with YBCO thin films. In order to realize FCLs, the rated power of FCLs must be increased. For this purpose, it is of great interest to increase of allowed voltage of unit component without electrical and thermal damages. So, meander lines were widely used for the conducting path to increase maximum electric field. In this research, numerical simulations on the electromagnetic behaviors of the device were carried out, especially focusing on the effect of meander line structures on the YBCO thin films. To evaluate the structures of meander lines, three types of meander lines were considered for numerical analysis using finite element method (FEM). In this simulation, both normal state and fault conditions were considered for calculation of electric field, current density, magnetic field density. And the simulation resulted are compared to find the optimum design of meander lines for resistive FCLs.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.23
no.3
s.180
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pp.163-170
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2006
Thin films play an important role in many technological applications including microelectronic devices, magnetic storage media, MEMS and surface coatings. It is well known that a thin film's material properties can be very different front the corresponding bulk properties and thus there has been a strong need for the development of a miniature tester to measure the mechanical properties of a thin film. Two testers are designed and set up in small size of 62 mm width, 20 mm depth and 90-120 mm height to fit in a chamber of scanning electron microscope (SEM). One tester has a homemade 0.2 N load cell and a low-priced electromagnetic actuator. The other has a commercial 5 N load cell, a $52{\mu}m$ piezoelectric actuator and some novel grips. Two types of 3.5 microns thick polysilicon specimen are tested to prove the testers' applicability. The strain is measured by the two ways. Firstly, it is measured by an ISDG system in the atmosphere far the reference. Secondly, the same test is repeated in a SEM chamber to monitor the strain as an in-situ experiment. The strain is evaluated by observing the gap change between two markers.
We have performed the electrochemical method to fabricate high temperature superconducting (TlPbBi) -(SrBa)-Ca-Cu-O films. The precursors of the superconducting sample were codeposited at a periodic pulsed-potential cycle (1 second at -4V and 1 second at -1V) on a silver substrate. The variation of structure, microstructure and element were analysed by ICP and SEM techniques. The specimens were consisted predominantly of the Tl-1212 phase and have a transition temperature of 80~87 K in low magnetic field. It was showed that each grain has the stoichiometric ratio of $T1_{0.7}$Pb_$Bi_{0.3}$$_Sr{0.1}$$Ba_{2.4}$$Ca_{0.2}$$Cu_{1.2}$$2.5/O_{x}$ by EDX analysis.sis.
Here, we review the various methods for the preparation of vanadium dioxide ($VO_2$) films and nanowires, and their potential applications to the sensors such as gas sensor, strain sensor, and temperature sensor. $VO_2$ is an interesting material on account of its easily accessible and sharp Mott metal-insulator transition (MIT) at ${\sim}68^{\circ}C$ in the bulk. The MIT is also triggered by the electric field, stress, magnetic field etc. This paper involves exceptionally sensitive hydrogen sensors based on the catalytic process between hydrogen molecules and Pd nanoparticles on the $VO_2$ surface, and fast responsive sensors based on the self-heating effects which leads to the phase changes of the $VO_2$. These features will be seen in this paper and can enable strategies for the integration of a $VO_2$ material in advanced and complex functional units such as logic gates, memory, FETs for micro/nano-systems as well as the sensors.
The general requirements of recording media include recording performance, environmental stability, runnability on the drive or deck, and manufacturability. CoCrMo thin films were prepared using RF sputtering system for a study on chemical stability. Surface degradation of the CoCrMo thin film was studied by SEM, XPS and AES. Surface degradation was found to be dependent of sputtering condition and Mo content. Addition of Mo to CoCr thin film improved dramatically its surface degradation resistance in dilute sulfuric acid, as indicated by active-passive transition appeared in electrochemical polarization curve. Futhermore, the passive current density was decreased with increasing Mo content. The reduction in a number density of corrosion sites by Mo addition vms observed, after accelerated corrosion test. AES survey indicated that corrosion occured on the site with Cr depletion and highly concentrated chloride ions.
Kim, D.H.;Kim, H.Y.;Hwang, T.J.;Lee, S.H.;Seong, W.K.;Kang, W.N.
Progress in Superconductivity
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v.9
no.2
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pp.173-176
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2008
[ $MgB_2$ ] films grown by hybrid physical chemical vapor deposition under appropriate growth conditions commonly exhibit columnar grain structure. The grain boundaries between adjacent columnar grains have been reported to be good flux pinning centers. In this work, we measured the angular dependence of critical current density ($J_c$) and observed the enhanced flux pinning when an external magnetic field was aligned parallel to the columnar direction. This $J_c$ was almost comparable to the $J_c$ for intrinsic pinning case up to 1 T at low temperatures, indicating that grain boundary pinning is very effective. At high fields, however, $J_c$ decreased rapidly resulting from the fact that the density of flux pinning centers provided by grain boundaries was outnumbered by the flux density.
Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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2003.11a
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pp.360-367
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2003
Diamond-like carbon(DLC) films are considerable research interest because of their widespread applications as protective coatings in areas such as optical windows, magnetic storage disks, car parts, biomedical coatings and as micro-electromechanical devices(MEMs). DLC films were deposited on WC-Co by PECVD using Ar, $C_2H_4$ gas. Tribological tests were conducted using a ball-on-disk type tribometer in dry air. Three kinds of counter-bodies balls were used. The counter-bodies balls are SM45C, SUJ2 and $ZrO_2$(3.17mm in diameter). Wear rate of the samples were calculated after measuring the worn-out volume of the wear track. As results wear test, the higher hardness of counter-bodies, friction coefficient low. As result of XPS estimation, wear debris generated as an oxide lower the friction coefficient.
Kim, Gyeong-Hyeon;Park, Jong-Hun;Kim, Byeong-Du;Kim, Do-Jin;Kim, Hyo-Jin;Im, Yeong-Eon;Kim, Chang-Su
Korean Journal of Materials Research
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v.12
no.3
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pp.195-199
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2002
Planar Hall effect of ferromagnetic GaMnAs thin films was investigated for the first time. The films were grown in an optimized growth condition via molecular beam epitaxy at low temperatures. For the optimization of the growth conditions, we used reflection high-energy electron diffraction, electrical conductivity, double crystal x-ray diffraction, and superconducting quantum interference device measurements techniques. We observed that the difference between the longitudinal resistance and the transverse resistance matches the planar Hall resistance. The ratio of the planar Hall resistance at saturation magnetic field to that at zero reached above 500%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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