• 한국결정성장학회지
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• 제21권1호
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• pp.1-5
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• 2011

본 논문에서는 먼저 저온에서의 초전도 결정의 비열 점프를 임계 온도의 함수로 구하였다. 다음에, 구한 비열 점프의 부호와 크기 등을 분석하여 여러 가지 실험적인 사실들을 예측하였다. 마지막으로 우리가 예측한 실험 사실과 실제의 실험이 일치하는지 비교하였다. 이론적으로 구한 비열점프는 $YNi_2B_2C$ 결정의 비열 점프 업 과 비열 점프 다운 현상을 비교적 잘 설명한다. 특히 매우 낮은 온도에서는 상전도-초전도 전이 시에 비열이 점프 다운된다는 주목할 만한 이론적 예측을 실험 결과를 통해 확인할 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제13권3호
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• pp.182-187
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• 2004

The fluorinated amorphous carbon thin films (a-C:F) were deposited by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition). The precursors were $C_{4}F_{8}$ which had a similar ratio of target film's carbon to fluorine ratio, and $Si_{2}H_{6}$/He for capturing excessive fluorine ion. We varied deposition condition of temperature and working pressure to survey the effect of each changes. We measured dielectric constant, composition, and etc. At low temperature the film adhesion to substrate was very poor although the growth rate was very high, the growth rate was very low at high temperature. The EDS(energy dispersive spectroscopy) result showed carbon and fluorine peak for films and Si peak for substrate. There was no oxygen peak.

• 열처리공학회지
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• 제16권2호
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• pp.83-89
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• 2003

As a research for developing fine-grained high strength low carbon steels, the effects of austenitization temperature and hot deformation on microstructure was investigated in 0.15 wt.% carbon steels with microalloying elements such as Nb and Ti. When the steels were reheated at $1250^{\circ}C$, Nb containing steel showed very coarse austenite grain size of $200{\mu}m$ whereas Nb-Ti steel did fine one of $70{\mu}m$ because Ti carbonitrides could suppress the austenite grain growth. In case of 50% reduction at $850^{\circ}C$, the austenite grains in the Nb steel partially recrystallized while those in the Nb-Ti steel fully recrystallized probably due to finer prior austenite grains.For the Nb-Ti steel, ferrite grain size was not sensitively changed with austenitization temperature and compression strain and, severe deformation of 80% reduction was not essentially necessary to refine ferrite grains to about $3{\mu}m$ which could be obtained through lighter deformation of 40% reduction.

• 한국결정성장학회지
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• 제2권1호
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• pp.76-85
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• 1992

열전 재료로 사용되는 $Ag_2S$의 단결정을 밀폐된 석영관내에서 고상의 $Ag_2S$가 분해되면서 성장 계면에 $Ag^+$이온과 전자를 공급하고, 휘발성이 강한 황은 vapour 상태로 전송되면서, $Ag_2S$ 계면에서부터 단결정이 성장하는 고상에서의 전기 화학적인 방법을 이용한 vapour 성장법으로 성장시켰다. 고상에서의 $Ag^+$ 이온의 확산이 성장을 지배하는 온도 영역에서는 bulk $Ag_2S$ 단결정을 얻었으며, Ag 분해 온도가 높을수록, Ag분해 온도와 성장 계면의 온도 차이가 클수록 성장속도가 빠름을 확인하였다. 한편 기상으로의 황의 확산이 성장을 지배하는 영역에서는 whisker Ag$_2$S가 성장되었으며 황의 포화 압력이 증가할수록 성장속도는 증가하였다. 또한, 열전재료의 효율을 결정하는 물성치인 전기 전도도를 측정한 결과 고온상에서 다결정의 전기 전도도가 단결정보다 크게 나타나며, 따라서 열전 효율은 다결정이 우수하다고 생각된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.990-994
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• 2005

II-VI족 화합물 반도체를 성장하기 위한 MBE 성장 조건으로서 성장 온도, flux 율, 성장률에 대해 연구하였다. 성장 온도, flux 율, 성장률은 각각 290 $^{\circ}C$, 2, 0.6 ${\mu}m$/hr로 조절되었다. 위와 같이 설정된 성장 조건에서 단결정 성장을 확인하기 위하여 ZnSe 박막을 성장하였다. 성장된 박막의 AFM 측정 결과, 박막의 표면은 비교적 거칠었으며 (RMS ${\sim}$ 2.9 nm) 이는 낮은 성장 온도, 빠른 성장률로 인한 것임을 알 수 있었다. 그리고 XRD 측정 결과는 박막의 두께가 임계 두께를 넘어서 격자 정수의 부정합이 완화되었음을 보여주었다. XRD를 이용한 비파괴 방법으로 전위 밀도를 구하기 위해 (002), (004), (115), (006) 면에 대해 XRD를 측정하여 박막 내 전위밀도를 구하였다. XRD 측정 결과를 이용하여 계산한 결과 전위 밀도는 8.30${\times}10^8$ dis/cm$^2$로 종래의 연구와 비슷한 수준의 박막이 구현되었음을 알 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제25권5호
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• pp.144-148
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• 2015

스피넬 결정구조를 지니는 $CoMn_2O_4$ 박막을 증착하였으며 이들 박막의 물리적 특성을 후열처리 이전과 이후로 비교 조사하였다. 증착온도인 $720^{\circ}C$보다 낮은 $700^{\circ}C$에서의 후열처리 과정 이후, 열처리 이전의 불분명했던 tetragonal 결정구조가 분명하여졌으며 이는 곧 표면상태의 변화로도 관측되었다. 자성특성의 경우 약 100 K에서 다결정 형태의 벌크에서는 측정할 수 없었던 상전이가 관측되었다. 상전이온도 이상의 온도에서는 전형적인 강자성 특성을 보이는 반면 상전이온도 이하에서는 페리자성 특성을 보였다. 특히 열처리 이후에는 페리자성 특성은 매우 뚜렷하여졌다. 이와 같은 결과는 후열처리과정이 $CoMn_2O_4$ 박막의 물리적 특성을 결정짓는데 필수적임을 의미한다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권4호
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• pp.79-85
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• 2017

The crack-free AlGaN template has been successfully grown by using selective area growth with triangular GaN facet. The triangular GaN stripe structure was obtained by vertical growth rate enhanced mode with low growth temperature of $950^{\circ}C$ and high growth pressure of 500 torr. The lateral growth rate enhanced mode of AlGaN for crack-free and flat surface was also investigated. Low pressure of 30 torr and high V/III ratio of 4400 were favorable for lateral growth of AlGaN. It was confirmed that the $4{\mu}m$ -thick $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$ was crack-free over entire 2-inch wafer. The dislocation density of $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$ was as low as ${\sim}7.6{\times}10^8/cm^2$ measured by cathodoluminescence. Based on the high quality AlGaN with low dislocation density, the ultraviolet laser diode epitaxy with cladding, waveguide and GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) was grown by metalorganic chemical vapor deposition. The stimulated emission at 349 nm with full width at half maximum of 1.8 nm from the MQW was observed through optical pumping experiment with 193 nm KrF laser. We also have fabricated the deep ridge type ultraviolet laser diode (UV-LD) with $5{\mu}m-wide$ and $700{\mu}m-long$ cavity for electrical properties. The turn on voltage was below 5 V and the resistance was ${\sim}55{\Omega}$ at applied voltage of 10 V. The amplified spontaneous emission spectrum of UV-LD was also observed from pulsed current injection.

• 한국균학회지
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• 제34권2호
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• pp.88-91
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• 2006

가평에서 낮은 생산성을 보이는 저온성 품종과 고온성 품종의 균사상태 및 골목 표면에 형성된 해균에 대한 조사를 시도했다. 순수배지에서의 균사생장력을 조사한 결과, 저온성 균주는 분리균에 비해 보존균의 생장력이 1.1% 정도 떨어지는 것으로 나타났으며, 고온성 균주는 분리균의 생장력이 보존균의 생장력에 비해 8.0% 정도 떨어지는 것으로 나타났다. 톱밥배지에서의 균사생장력을 조사한 결과, 고온성 분리균은 보존균에 비해 10.8%정도 생장력이 떨어졌으며, 저온성 분리균은 보존균에 비해 25.1% 떨어지는 것으로 나타났다. 중량감소율 조사결과, 고온성 분리균은 보존균에 비해 20.1% 정도 중량감소율이 낮았으며, 저온성 분리균도 보존균에 비해 19.0%정도 낮은 것으로 나타났다. 무처리에 비해서는 고온성 보존균이 107.0%, 고온성 분리균이 49.5%, 저온성 보존균이 85.4%,저온성 분리균이 50.0% 더 감소된 것으로 나타났다. 대치배양한 결과, 고온성 분리균과 저온성 분리균 모두 각각의 해당 보존균들과 동일한 균주임을 확인할 수 있었다. 또한 골목에서 검은혹버섯(Hypoxylon truncatum), 구름버섯(Coriolus versicolor), 기와층버섯(Inonotus xeranticus), 삼색도장버섯(Daedaleopsis tricolor), 이중껍질버섯(Graphostroma platystoma), 점균류(Myxomycetes) 2종, 푸른 곰팡이(Trichoderma sp.), Hypoxylon fragiforme, Hypoxylon howeianum, Nitschkia confertula 등 총 11종의 해균이 발견되었으며, 골목들의 상태는 좋지 않았다.

• 한국작물학회지
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• 제68권2호
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• pp.47-58
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• 2023

본 연구는 최근 빈번한 고온 노지 재배 피해가 빈번함에 따라 팥 대표 품종 '아라리'의 2021과 2022년 고온구배온실에서 수행된 고온 반응 실험이다. 적정 온도 보다 높은온도 범위에서 팥의 노지 재배시 고온 연구로 국내 품종 '아라리'의 생육 반응, 수량, 화분 활력, 종실 성분 등을 최초로 비교분석 하였다. 1. 세부적인 기상 조건은 2021과 2022년의 최저, 평균, 최고기온 연차간 차이는 2022년 보다 2021년이 전생육기는 0 - 1.0℃로 차이가 적었고 영양생장기 0 - 3.7℃, 개화기는 0.4 - 2.4℃로 높았다. 2021년 보다 2022년에서 등숙기는 최저, 평균 온도는 낮았지만 최고온도는 1.7 - 3.9℃로 높아 연차별 온도에 따라 생육특성이 다르게 나타났다. 2. 연차별 생육기간을 비교해 보면 개화기는 평균 기온차에 의해 2021년 13일, 2022년 27일로 차이가 있었으며 등숙기는 2021년 30일, 2022년 19일로 차이가 있었다. 영양생장기에는 최고 온도가 40.3서도 생육이 양호하였지만 개화기 고온 처리는 평균온도가 27.0℃ 이상이 되면 생육이 불량하여 수량이 낮아지는 경향을 보였다. 2021년에 비해 2022년 등숙기 온도가 최저 온도 1.6 - 1.9℃ 낮고 최고 온도 1.7 - 3.9℃로 높고 기간이 늘어나니 팥의 수량성이 높았다. 3. 전생육기와 영양생장기의 고온 스트레스시 총폴리페놀과 총플라보노이드 함량이 증가하였고 화분 형태와 활력은 대조구와 전생육기T1에서는 통계적으로 차이가 없었지만 T4 (최저온도 22.9℃; 평균온도 28.8℃; 최고온도 36.9℃)에서는 비정상 화분 형태가 45.62%, 급격히 화분 활력이 40.75%로 떨어졌다. 4. 고온 스트레스시 수량은 2021년 개화기 T4 (최저온도 23.6℃; 평균온도 28.5℃; 최고온도 35.8℃)에 2022년은 수량과 화분 임성은 전생육기 T4 (최저온도 22.9℃; 평균온도 28.8℃; 최고온도 36.9℃)에 가장 낮았으며 반면 총폴리페놀과 총플라보노이드는 영양생장기 T4 고온 스트레스가 높은 시기일 때 가장 높았다.

• 한국수산과학회지
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• 제49권6호
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• pp.845-848
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• 2016

The effects of temperature and irradiance on the growth of Ulva prolifera O.F. $M{\ddot{u}ller$ (Chlorophyta), which has been used commercially as food in Korea, were examined in laboratory culture to conserve the strain. Experiments were conducted under combined factors of temperatures of 5, 10, 15, 20 and $25^{\circ}C$ and irradiances of 30, 50, 80 and $100{\mu}mol\;m^{-2}s^{-1}$. The maximum growth of the U. prolifera germlings was observed at $20^{\circ}C$ and $80{\mu}mol\;m^{-2}s^{-1}$, and the minimum growth was recorded at $5^{\circ}C$ and $100{\mu}mol\;m^{-2}s^{-1}$. Considering these results, the species appears to survive under wide ranges of temperature and irradiance, although growth is inhibited by high irradiances of over $100{\mu}mol\;m^{-2}s^{-1}$. This appears to be due to the in situ habitat niche of Ulva prolifera, which is the middle to lower intertidal zone. In conclusion, optimal conditions for the long-term conservation of Ulva prolifera can be established under relatively low temperatures ($5^{\circ}C$) and high irradiance ($100{\mu}mol\;m^{-2}s^{-1}$), while the optimal conditions for mass production are $20^{\circ}C$ and $80{\mu}mol\;m^{-2}s^{-1}$.