• Progress in Superconductivity
• /
• 제6권1호
• /
• pp.13-18
• /
• 2004

High-.ate in-situ$ YBa_2$Cu$Cu_3$$O_{7-x}$ (YBCO) film growth was demonstrated by means of the electron beam co-evaporation. Even though our oxygen pressure is low, ∼$5 ${\times}$10^{-5}$ Torr, we can synthesize as-grown superconducting YBCO films at a deposition rate of around 10 nm/s. Relatively high temperatures of around 90$0^{\circ}C$ was necessary in this process so far, and it suggests that this temperature at a given oxygen activity allows a Ba-Cu-O liquid formation along with an YBCO epitaxy. Local critical current density shows a clear correlation with local resistivity. Homogeneous transport properties with a large critical current density ($4 ∼ 5 MA/\textrm{cm}^2$ at 77K, 0T) are observed in top faulted region while it is found that the bottom part carries little supercurrent with a large local resistivity. Therefore, it is possible that thickness dependence of critical current density is closely related with a topological variation of good superconducting paths and/or grains in the film bodies. The information derived from it may be useful in the characterization and optimization of superconducting films for electrical power and other applications.

• Carbon letters
• /
• 제13권1호
• /
• pp.34-38
• /
• 2012

Successful application of graphene requires development of various tools for its chemical modification. In this paper, we present a Raman spectroscopic investigation of the effects of UV light on single layer graphene with and without the presence of $O_2$ molecules. The UV emission from a low pressure Hg lamp photolyzes $O_2$ molecules into O atoms, which are known to form epoxy on the basal plane of graphene. The resulting surface epoxy groups were identified by the disorder-related Raman D band. It was also found that adhesive residues present in the graphene samples prepared by micro-mechanical exfoliation using adhesive tape severely interfere with the O atom reaction with graphene. The UV-induced reaction was also successfully applied to chemical vapor deposition-grown graphene. Since the current method can be readily carried out in ambient air only with UV light, it will be useful in modifying the surfaces of graphene and related materials.

• 한국화재소방학회논문지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.32-36
• /
• 2005

고전력 변압기에 설치되어있는 가스계 소화설비는 초기 화재에는 대응할 수 있지만 소화후 다시 발화되는 화재에 대하여는 아무런 대책이 될 수 없다. 따라서 초기 소화와 재발화된 화재의 소화 또는 재발화 방지가 가능한 소화 및 냉각시스템이 변압기에 필요할 것이다. 이러한 시스템으로 미분무수 설비가 선택되었으며, 본 연구에서는 주로 소화특성에 대하여 기술한다. 시험 대상으로 특정한 고압과 저압시스템을 선정하여 그 소화능력을 비교하였다. 변압기실은 약 $10m\times10m\times$의 공간이며 변압기의 크기는 이 공간의 $7\%$정도이다. 실물규모의 소화실험이 6개의 화재시나리오 (2개의 분무화재, 3개의 풀 화재, 1개의 흐름화재)에 의하여 수행되었으며, 고압시스템이 저압시스템에 비하여 산소희석 및 냉각효과 측면에서 우수한 소화특성을 나타내었다.

• 한국추진공학회지
• /
• 제26권2호
• /
• pp.60-71
• /
• 2022

최근 발사체 시장의 저비용·재사용 발사체 개발 움직임은 여러 방향으로 세분화되고 있으며, 그중 하나는 가변추력 엔진 개발이다. 또한, 우주 선진국들은 그 청정성 때문에 차세대 우주발사체 추진제로 메탄을 선택하여 연구개발을 진행하고 있다. 본 연구에서는 이에 기체메탄과 액체산소를 추진제로 사용하는 가변추력 핀틀 분사기를 개발했고, 고압 수류시험과 고압 연소시험을 통해 분무 및 연소 특성을 분석했다. 개발된 가변추력 핀틀 분사기는 이중 슬리브 구조를 가졌으며, 반복적인 상압수류, 고압수류 및 연소시험에서 기밀성과 작동성 등에 문제없음을 확인할 수 있었다. 그러나 목표했던 추력 조절 범위는 연소시험에서 달성치 못하는 등 설계상의 문제점이 발견되어 보완이 필요하다.

• 대한화학회지
• /
• 제29권6호
• /
• pp.608-614
• /
• 1985

$ZrO_2$가 10, 20, 30, 40, 그리고 50 mol% 포함된 $ZrO_2-Sm_2O_3$계의 전기전도도를 500 ~ 1000$^{\circ}C$와 $10^{-5}~10^{-1}Po_2$ atm에서 측정하였다. 전기전도도를 온도의 함수로 도시한 결과 650$^{\circ}C$ 근처에서 온도의존성이 큰 고온영역과 적은 저온영역으로 구분되었으며 두 개의 각기 다른 결함구조를 보여 주었다. 전기전도도가 산소분압의 증가에 따라 증가하므로 P형의 전자성 반도체이며 고온영역에서 산소압력의존성은 ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/5.3}$, 저온영역에서 ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/6}$에 가까운 값을 나타냈다. ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/5.3}$인 영역에서의 defect는 Oi"이며 ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/6}$인 영역에서의 defect는 $Vs_m$"'이다. 고온영역에서 carrier type은 electron hole이며 저온영역에서는 이온성의 기여도가 있다. 이러한 이온성의 기여는 dopant의 양이 증가할 수록 커진다. 60mol% 가 포함된 $ZrO_2-Sm_2O_3$계에서는 전기전도도는 산소압력이 감소함에 따라 증가하였다.

• 한국자기학회지
• /
• 제5권2호
• /
• pp.128-133
• /
• 1995

YIG 단결정 소재가 주로 circulator, isolator, filter 및 resonator 등의 고주파 협대역 이동통신용 소자에 사용되고 있으나, 최근 소형/경량화에 따른 YIG 박막의 소요가 예상되면서 에피택셜 박막성장 기술이 많이 연구되고 있다. 본 연구에서 KrF excimer laser 를 사용하고, 산소분압을 20~500 mTorr로 조절하면서 박막을 제조하여 산소분압과 박막두께가 박막의 조직, 조성 및 자기특성에 미치는 영향을 조사하였다. 기판으로는 GGG(111)을 사용하였고 $700^{\circ}C$에서 증착을 실시하였다. 사용한 laser beam의 에너지 밀도는 $7.75\;J/cm_{2}$였다. 20 mTorr 산소분압 하에서 증착한 박막은 항상 에피택셜 성장을 보이고, $2.75\;{\mu}$ 두께의 시편은 $800\;^{\circ}C/20분$ 열처리 후에 $4{\pi}M_{s}$가 1500 Gauss, $H_{c}$는 3 Oe의 값을 보였고, 특히 $0.8\;\mu\textrm{m}$ 두께의 시편은 열처리 없이 $4{\pi}M_{s}$ 값이 1730 Gauss, $H_{c}$는 7 Oe의 우수한 특성을 보여, YIG 단결정의 자기특성에 육박하는 값을 보였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제10권2호
• /
• pp.111-115
• /
• 2000

Ba과 Ti의 금속 유기 화합물을 이용하여 (100) $SrTiO_3$ 기판 위에 $BaTIO_3$ 박막을 코팅-열분해법으로 제조하였다. $450^{\circ}C$에서 사전 열처리한 비정질상의 박막은 $2\times 10^{-4}$ atm으로 조정된 산소 분압 하에서 $700^{\circ}C$ 이상의 온도로 열처리함으로써 결정화되었다. $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 기판에 수직한 면의 격자상수는 cubic $BaTIO_3$의 a 값에 가까우면 $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 tetragonal $BaTIO_3$ 의 a 값에 가까 웠다. 박막과 기판의 정렬상태를 XRD $\beta$ scan과 pole-figure로 분석한 결과 $BaTIO_3$ 박막은 $SrTiO_3$ 기판과 에피택시 관계가 있었다. $800^{\circ}C$에서 열처리한 박막의 표면은 0.4${\mu}m$ 정도의 섬 형태의 입자로 구성되어 있었고 약 0.8$\mu\textrm{m}$의 두께를 가진 단면은 구형의 입자가 층을 이루고 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.208-208
• /
• 2010

Indium zinc tin oxide (IZTO) thin films were studied as a possible alternative to indium tin oxide (ITO) films for providing low-cost transparent conducting oxide (TCO) for thin film photovoltaic devices. IZTO films were deposited onto glass substrates at room temperature. A dc/rf magnetron co-sputtering system equipped with a ceramic target of the same composition was used to deposit TCO films. Earlier studies showed that the resistivity value of $In_{0.6}Zn_{0.2}Sn_{0.2}O_{1.5}$ (IZTO20) films could be lowered to approximately $6{\times}10^{-4}ohm{\cdot}cm$ without sacrificing optical transparency and still maintaining amorphous structure through the optimization of process variables. The growth rate was kept at about 8 nm/min while the oxygen-to-argon pressure ratio varied from 0% to 7.5%. As-deposited films were always amorphous and showed strong oxygen pressure dependence of electrical resistivity and electron concentration values. Influence of forming gas anneal (FGA) at medium temperatures was also studied and proven effective in improving electrical properties. In this study, the chemical composition of the targets and the films varied around the $In_{0.6}Zn_{0.2}Sn_{0.2}O_{1.5}$ (IZTO20). It was the main objective of this paper to investigate how off-stoichiometry affected TCO characteristics including electrical resistivity and optical transmission. In addition to the composition effect, we have also studied how film properties changed with processing variables. IZTO thin films have shown their potential as a possible alternative to ITO thin films, in such way that they could be adopted in some applications where currently ITO and IZO thin films are being used. Our experimental results are compared to those obtained for commercial ITO thin films from solar cell application view point.

• 항공우주기술
• /
• 제8권2호
• /
• pp.140-148
• /
• 2009

발사체 추진시스템에서 CC(Combustion Chamber) 산화제 개폐밸브는 액체산소를 연소기로 공급 및 차단함으로써 연소를 개시 및 중단시킬 뿐만 아니라, 정상운영 상태에서는 연소기 내 안정된 연소가 가능하도록 일정한 유량의 액체산소를 공급한다. CC 산화제 개폐밸브 개발과 관련하여, TM(Technology Model)의 극저온 산화제 개폐밸브를 제작하여, 밸브의 정상적인 작동성능을 이미 확인한 바 있다. 반면 TM의 유량계수, Cv가 설계기준 값보다 상당히 작았기 때문에, 차기 개발 단계인 CC 산화제 개폐밸브 EM(Engineering Model)의 설계/제작을 통해 충분히 개선된 Cv 특성을 확보하기 위해 CFD 해석을 수행하였다. CFD 해석 결과, 밸브 출구 각도를 120o로 변경하고, 밸브의 부분적인 크기 증가와 스트록 길이를 증가시킴으로써 EM의 Cv를 상당히 향상시킬 수 있는 것으로 확인되었다. 유량시험을 통해 측정된 EM의 개선된 Cv는 최소 212로써, 기존 TM의 Cv값인 161보다 32%가량 증가된 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제26권8호
• /
• pp.602-607
• /
• 2013

Concern for the TOS (Transparent Oxide Semiconductor) is increasing with the recent increase in interest for flexible device. Especially MgZnO has attracted a lot of attention. $Mg_xZn_{1-x}O$, which ZnO-based wideband-gap alloys is tuneable the band-gap ranges from 3.36 eV to 7.8 eV. In particular, the flexible substrate, the crystal structure of the amorphous as well as the surface morphology is not good. So research of MgZnO thin films growth on flexible substrate is essential. Therefore, in this study, we studied on the effects of the oxygen partial pressure on the structural and crystalline of $Mg_{0.1}Zn_{0.9}O$ thin films. MgZnO thin films were deposited on PES substrate by using pulsed laser deposition. We used XRD and AFM in order to observe the structural characteristics of MgZnO thin films. UV-visible spectrophotometer was used to get the band gap and transmittance. Crystallization was done at a low oxygen partial pressure. The crystallinity of MgZnO thin films with increasing temperature was improved, Grain size and RMS of the films were increased. MgZnO thin films showed high transmittance over 80% in the visible region.