Stick type ignition coil is new development that connect directly with ECU(Electronic control unit), without needing a spark plug cable and distributor. Glass-fiber reinforced ploymeric composites provide the desirable properties of high stiffness and strength as well as low specific weight. Stick type ignition coil jacket is using PBT CF30 resin. PBT CF30 resin is a kind of electric insulation which is a superior engineering plastic that is used to prevent the leakage of the electrical current. If PET receive a mistake of design or excessive force when HV terminal oppress on jacket, it can happen to crack. Local stress concentrations occurring on the contact surface, the contact phenomenon becomes a direct cause to the wear and failure of mechanical structures. When it is cracked, it can allow a leakage of the electrical current. So, in this study, we analyze the contact stress to PBT jacket using ANSYS program, when HV terminal oppress on jacket. We suppose PBT to be Jacket and we analyzed contact stress that happens in PET like PBT analysis method. We compared the use of PBT and PET.
The bedding zone which influence directly to the safety of dam is supporting the face slab under hydraulic load in concrete faced rockfill dam. In case that leakage is developed due to various ruptured joint or cracks of face slab and etc., the bedding zone should limit the leakage by low permeability and keep the internal stability. In this study for the proper coefficient of permeability various properties, such as gradation, dry density, performance of embankment work and etc. were analysed. The results from the large scale test of permeability and density are summerized as follows : 1. Coefficient of permeability is decreased clearly by increase of dry density. 2. The particles smaller than the No.4 strive( p,) greatly influences the permeability under dry density of 2.24t 1 m3. 3. In case of C.40 and p,40%, even if dry density decreased to 2.0t/m3, the permeability coefficient is assumed to u x1-scm/s and internal stability is abtained. 4. Generally in dam construction since dry density and uniformity coefficient of bedding zone were higher than 2.2t/m3 and 50 respectively p, of 30~40% is assumed to be suitable and permeability coefficient of below 1$\times$10-3cm l s is expectable.
This paper deals with the dead operation characteristics of the earth leakage circuit breaker(ELB) caused by impulse voltages. The surge protective devices for electronic circuit and AC power lines are becoming more widely used. It is possible to give rise to the malfunction of ELB due to the operation of surge protective devices, and the interruption of AC power lines brings about several disadvantages such as low reliability of electronic and informational systems, economical loss, and etc. The dead operation characteristics of the ELB from impulse voltages were measured under the conditions of KS C 4613 and the test circuit with a varistor. As a result, the peak current value of the zero-phase sequence circuit of the ELB is increased as the surge voltage and stray capacitance increase. All of the ELBs used in this work were satisfied with the lightning impulse dead operation test condition defined in KS C 4613. However one specimen only did not cause dead operation in the condition of the test circuit with a varistor. There is high possibility that a large portion of the ELBs connected with the AC power lines having the surge protective devices bring about the dead operation.
$As^+$ was ion-implanted onto $CoSi_{2}$ thin films formed by rapidly thermal-annealed Co/Ti bilayers. Then the specimens were drive-in annealed at 500~100$0^{\circ}C$ to form ultra-shallow $n^+$p junction diodes and to measure their 1- V characteristics. When drive-in annealed at 50$0^{\circ}C$ for 280 sec., 50 nm thick ultra-shallow junctions were formed and di¬odes showed the best 1- V characteristics with low leakage current. In particular. the leakage current was 2 orders lower than that of diodes formed by using Co monolayer. It was attributed to uniform $CoSi_{2}$/Si interfaces.
Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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v.6
no.2
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pp.175-182
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2002
The cement injection technology on the purpose of ground reinforcement and cut-off has been used in construction sites until now. However, recently it is applied to prevent leakage of underground structure. In this study, applicability of the back side waterproof grouting method was verified through performing field model tests and reviewing case histories. From the results of this study, injection shape of the back side waterproof grouting method was appeared to be root type, and waterproof effect by injection of cement grout material was excellent because grout material infiltrated into boundary between wall of structure and back side ground to be waterproof layer. Components influencing infiltration of injection material are type of soil and degree of compaction. For effective injection, injection pressure has to vary gradually from high pressure to low pessure and small quantity of injection material has to be injected for long times. Also, spacing of injection hole must be designed considering condition of back side ground, injection area, W/C ratio, the number of injection and injection pattern properly.
Lee Jang Hee;Na Keeyeol;Kim Kwang-Ho;Lee Hyung Gyoo;Kim Yeong-Seuk
Proceedings of the IEEK Conference
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summer
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pp.343-347
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2004
High oxidation temperature of SiC shows a tendency of carbide formation at the interface which results in poor MOSFET transfer characteristics. Thus we developed oxidation processes in order to get low interface charge densities. N-type 6H-SiC MOS capacitors were fabricated by different oxidation processes: dry, wet, and dryreoxidation. Gate oxidation and Ar anneal temperature was $1150^{\circ}C.$ Ar annealing was performed after gate oxidation for 30 minutes. Dry-reoxidation condition was $950^{\circ}C,$ H2O ambient for 2 hours. Gate oxide thickness of dry, wet and dry-reoxidation samples were 38.0 nm, 38.7 nm, 38.5 nm, respectively. Mo was adopted for gate electrode. To investigate quality of these gate oxide films, high frequency C- V measurement, gate oxide leakage current, and interface trapped charge densities (Dit) were measured. The interface trapped charge densities (Dit) measured by conductance method was about $4\times10^{10}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry and wet oxidation, the lowest ever reported, and $1\times10^{11}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry-reoxidation
Twin target sputtering (TTS) system with a configuration of vertically parallel facing Al targets and a substrate holder perpendicular to the Al target plane has been designed to realize a direct Al cathode sputtering on organic light emitting diodes (OLEDs). The TTS system has a linear twin target gun with ladder type magnet array for effective and uniform confinement of high density plasma. It is shown that OLEDs with Al cathode deposited by the TTS show a relatvely lower leakage current density $({\sim}1{\times}10^{-5}mA/cm^2)$ at reverse bias of -6V, compared to that ($1{\times}10^{-2}{\sim}10^{-3}$$mA/cm^2$ at -6V) of OLEDs with Al cathodes grown by conventional DC magnetron sputtering. In addition, it was found that Al cathode films prepared by TTS were amorphous structure with nanocrystallines due to low substrate temperature. This demonstrates that there is no plasma damage caused by the bombardment of energetic particles. This indicates that the TTS system with ladder type magnet array could be useful plasma damage free deposition technique for direct Al cathode sputtering on OLEDs or flexible OLEDs.
Son, Myung-Sik;Song, Min-Soo;Yoo, Keon-Ho;Jang, Jin
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.1
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pp.20-28
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2003
In this paper, we present results of the comparative analysis of the flicker phenomena in the poly-Si TFT-LCD and a-Si:H TFT-LCD arrays for the development and manufacturing of wide-area and high-quality TFT-LCD displays. We used four different types of TFTs; a-Si:H TFT, excimer laser annealed (ELA) poly-Si TFT, silicide mediated crystallization (SMC) poly-Si TFT, and counter-doped lateral body terminal (LBT), poly-Si TFT. We defined the electrical quantity of the flicker so that we could compare the flickers quantitatively for four different 40" UXGA TFT-LCDs. We identify three factors contributing to the flicker, such as charging time, kickback voltage and leakage current, and analyze how much each of three factors give rise to the flincker in the different TFT-LCD arrays. In addition, we suggest and show that, in the case of the poly-Si TFT-LCD arrays, the low-level (minimum) gate voltages should be carefully chosen to minimize the flicker because of their larger leakage currents compared with a-Si TFT-LCD arrays.
The scan type magnetic camera is proposed to improve the limited spatial resolution due to the size of the packaged magnetic sensor. An image of the scan type magnetic camera, ${\partial}B/{\partial}x$ image, is useful for extracting the crack information of a specimen under a large inclined mag netic field distribution due to the poles of magnetizer. The ${\partial}B/{\partial}x$ images of the cracks of different shapes and sizes are calculated by using the improved dipole model proposed in this paper. The improved dipole model uses small divided dipole models, the rotation and relocation of each dipole model and the principle of superposition. Also for a low carbon steel specimen, the experimental results of nondestructive testing obtained by using multiple cracks are compared with the modeling results to verify the effectiveness of ${\partial}B/{\partial}x$ modeling. The improved dipole model can be used to simulate the LMF and ${\partial}B/{\partial}x$ image of a specimen with complex cracks, and to evaluate the cracks quantitatively using magnetic flux leakage testing.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05c
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pp.71-74
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2003
Photoconductor for direct detection fiat-panel imager present a great materials challenge, since their requirement include high X-ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition, CdTe is practical material. We report studies of detector sensitivity, That is an CdTe with $5{\mu}m$ thickness on glass. That is hybrid layer of depositting ZnS:AgCl phosphor with $100{\mu}m$ on CdTe. The leakage current of hybrid is similar to it of a-Se, but photocurrent is larger than a-Se. Both of them have high spatial resolution, but hybrid has higher sensitivity than a-Se at comparable bias voltage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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