• 전자공학회지
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• 제22권2호
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• pp.37-50
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• 1995

This paper reviews NTT Laboratories' research and development of x-ray lithography during the last ten years since the application of synchrotron orbital radiation(SOR). First, the historical background of x-ray lithograhpy research, NTT's research programs on synchrotron x-ray lithography(SOR lithography), and the current status of NTT's SOR lithography system are overviewed. Then, the key elements of SOR lithography system are reviewed, including the electron storage ring, the x-ray stepper, and the x-ray mask. Finally the appilcation of SOR lithography technology to device fabrication is reported.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.676-679
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• 2005

Nano imprint Lithography (NIL) is regarded as one of the next-generation lithography technologies with EUV lithography, immersion lithography, Laser interference lithography. Because a Si wafer stamp and a quartz stamp, used to imprinting usually are very expensive and easily broken, it is suggested that master stamp is duplicated by PDMS and the PDMS stamp uses to imprint .For using the PDMS stamp, a thermally curable monomer resin was used for the imprinting process to lower pressure and temperature. As a result, NIL patterns were successfully fabricated.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.699-702
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• 2004

Next generation lithography technologies, such as EBL(Electron Beam Lithography), X-ray lithography, SPL(Scanning Probe Lithography), have been studied widely for getting over line width limitation of photolithography. Among the next generation lithography technologies, SPL has been highlighted because of its high resolution advantage. But is also has problem which are slow processing time and sample size limitation. The purpose of this study is complement of present SPL system. Brand new SPL system was made. SPL test was performed with the system in ultra thin PMMA(polymethlymethacrylate) film.

• 한국정밀공학회지
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• 제23권7호
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• pp.138-145
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• 2006

A nanopatterning technique was proposed and demonstrated for low cost and mass productive process using the scanning probe lithography (SPL) and soft lithography. The nanometer scale structure is fabricated by the localized generation of oxide patterning on the H-passivated (100) silicon wafer, and soft lithography was performed to replicate of nanometer scale structures. Both height and width of the silicon oxidation is linear with the applied voltagein SPL, but the growth of width is more sensitive than that of height. The structure below 100 nm was fabricated using HF treatment. To overcome the structure height limitation, aqueous KOH orientation-dependent etching was performed on the H-passivated (100) silicon wafer. Soft lithography is also performed for the master replication process. Elastomeric stamp is fabricated by the replica molding technique with ultrasonic vibration. We showed that the elastomeric stamp with the depth of 60 nm and the width of 428 nm was acquired using the original master by SPL process.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
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• pp.201-207
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• 2005

디스플레이 장치를 제조함에 있어 Lithography 공정은 매우 중요한 공정으로 인식되고 있으나 아직까지 Lithography 장비의 국내 기술개발 수준은 선진사에 비해 많이 뒤져있다고 볼 수 있다. 최근 디스플레이 산업의 폭발적인 성장과 더불어 보다 확실하고 안정적인 생산을 위해서는 Lithography 장비의 국산화 기술개발이 시급한 상황이다. 본 연구는 Lithography 장비를 구성하는 핵심기술요소 중 Stage 최적화에 대하여 현재 국내외에서 개발된 또는 개발중인 제품들을 비교 분석하고, 최적화 설계를 위해 필요한 조건들에 대하여 고찰해보았다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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• pp.222-226
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• 1990

This paper represents the construction of laser beam writing system, laser lithography, using new method that guarantees convenience and accuracy in laser focusing. The X, Y translation stage using DC motors was controlled by the computer. Minimum line width of 1.6${\mu}{\textrm}{m}$ was obtained by the laser lithography system.

• 한국진공학회지
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• 제5권4호
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• pp.309-314
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• 1996

VLSI 공정에 평탄화를 위하여 사용되는 SOG과 AFM lithography에 resist 재료로서 이용되는 것이 확인되었다. 이에 기초하여, 본 연구는, SOG가 VLSI lithography 공정에 이용되기 위한 coating막 두께의 가변, 현상을 위한 etching time 및 etching selectivity의 가변, 패턴의 크기에 따르는 적정 공급전압을 선택 등으로 공정의 여유도를 크게 개선하였다. 공급전압 60V, FE 전류량 5nA로서 800$\AA$의 fine 패턴을 얻었다. 차세대 DRAM 제작공정 기술을 위한 AFM lithography에 있어서, SOG의 사용은 공정 여유도가 양호함에 의하여 크게 전망되는 기술이 될 것이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.37.2-37.2
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• 2011

반도체공정에서 Photo-lithography는 특정 광원을 사용하여 구현하고자 하는 패턴을 기판상에 형성하는 기술이다. 이러한 Photo-lithography 공정에서는 패턴이 형성되어 있는 마스크가 핵심적인 역할을 하며 반도체소자의 전체적인 성능을 결정한다. 이에 따라 Photo-lithography용 마스크에 사용되는 Blank 마스크는 Defect의 최소화 및 우수한 평탄도 등의 조건들이 요구되고 있다. 이러한 Blank 마스크 재료로 광원을 효율적으로 투과시키는 성질이 우수하고 다른 재료에 비해 열팽창계수가 작은 석영기판이 사용되고 있다. 석영 기반의 마스크는 UV Lithography에서 주로 사용되고 있으며 그 밖에 UV-NIL (Nano Imrpint Lithography), EUVL (Extreme Ultra Violet Lithography) 등에도 이용되고 있다. 석영기판을 가공하여 Blank 마스크로 제작하기 위해 석영기판의 Lapping/Polishing 등이 핵심기술이며 현재 일본에서 전량 수입에 의존하고 있어, 이에 대한 연구의 필요성이 절실한 상황이다. 본 연구에서는 Blank 마스크제작을 위한 석영기판의 Polishing 공정에 사용되는 Ceria Slurry의 특성 연구 및 이에 따른 연마평가를 실시하였으며 첨가제의 조건에 따른 pH/Viscosity/Stability 등의 물리적인 특성을 관찰하여 석영기판 Polishing에 효율적인 Ceria slurry의 최적조건을 도출했다. 또한, 조건에 따른 Slurry의 정확한 분석을 위해 Zeta Potential Analyzer를 이용하여 연마입자의 크기 및 Zeta Potential에 대한 평가를 실시한 후 연마제와 석영기판의 Interaction force를 측정하였다. 상기 실험에 의해 얻어진 최적화된 연마 공정 조건하에서 Ceria slurry를 사용하여 연마평가를 실시함으로써 Removal Rate/Roughness 등의 결과를 관찰하였다. 본 연구를 통해 반도체 photo mask 제작을 위한 Ceria slurry의 주요특성을 파악하고 석영기판의 Polishing에 효율적인 조건을 도출함으로써 Lithography 마스크를 효율적으로 제작할 수 있을 것으로 예상된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.277-280
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• 2001

국내 반도체 산업계의 메모리 반도체 생산규모는 세계 최대이지만 반도체 생산 장비는 대부분 수입에 의존하고 있다. 특히 lithography는 반도체 공정의 핵심일 뿐 아니라 반도체 기술 분야에서 국가의 총체적인 기술력을 대표한다. 2001년 7월에 과학 기술부가 나노급 lithography 장비 개발을 21세기 프론티어 사업으로 추진하기 위한 준비 작업에 착수하였다. 본 논문에서는 차세대 lithography로 채택된 EUV (Extreme Ultra Violet) lithography 장비 기술의 개요와 국내외 기술 개발 현황에 대하여 설명한다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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• pp.123-126
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• 2004

We have demonstrated the fabrication of patterned 3D photonic crystals by holographic lithography in conjunction with soft lithography. Holographic lithography created 3D ordered macroporous structures and soft lithography made tailored defects. Because the hard baked photoresist pattern possessed high resistance against the uncured photoresist solution and the refractive index did not change appreciably by hard baking, a crosslinked photoresist was used as a relief pattern for the holographic fabrication of patterned 3D photonic crystals. More complicated defect geometries might be easily obtained with more complicated patterns on PDMS stamps. Moreover, the present results might be used as templates for 3D PCs of highindex defects that can be exploited as optical waveguides and optical circuits.