• 자원리싸이클링
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• 제24권1호
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• pp.66-72
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• 2015

재활용을 위한 LCD TV 분해 시 영상 신호 송신, 전원 공급, 화상 구현 등을 위한 다양한 종류의 PCB가 발생한다. PCB에는 금이나 구리와 같은 유가금속이 다량 함유 되어 있으나 사용용도, PCB 패키징 방법에 따라 함유 되어 있는 유가금속의 종류와 함유량에 차이가 있다. 본 연구에서는 PCB 종류에 따른 구조 분석을 통하여 PCB에 함유 된 금과 구리의 함유량에 따라 PCB를 등급별로 분류 하고자 하였으며 금 회수 효율이 높은 PCB, 금 회수 효율이 낮은 PCB, 금이 함유되어 있지 않은 PCB 세 종류로 분류를 하였다. 또한 실제 LCD TV를 분해하여 발생된 PCB에 대한 함유량 분석을 통하여 PCB 내 금과 구리 함유량을 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.312-312
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• 2013

GaN based light emitting diodes (LEDs) are important devices that are being used extensively in our daily life. For example, these devices are used in traffic light lamps, outdoor full-color displays and backlight of liquid crystal display panels. To realize high-brightness GaN based LEDs for solid-state lighting applications, the development of p-type ohmic electrodes that have low contact resistivity, high optical transmittance and high refractive index is essential. To this effect, indiumtin oxide (ITO) have been investigated for LEDs. Among the transparent electrodes for LEDs, ITO has been one of the promising electrodes on p-GaN layers owing to its excellent properties in optical, electrical conductivity, substrate adhesion, hardness, and chemical inertness. Sputtering and e-beam evaporation techniques are the most commonly used deposition methods. Commonly, ITO films on p-GaN by sputtering have better transmittance and resistivity than ITO films on p-GaN by e-bam evaporation. However, ITO films on p-GaN by sputtering have higher specific contact resistance, it has been demonstrated that this is due to possible plasma damage on the p-GaN in the sputtering process. In this paper, we have investigated the advanced sputtering using plasma damage-free p-electrode. Prepared the ITO films on the GaN based LEDs by e-beam evaporation, normal sputtering and advanced sputtering. The ITO films on GaN based LEDs by sputtering showed better transmittance and sheets resistance than ITO films on the GaN based LEDs by e-beam evaporation. Finally, fabricated of GaN based LEDs by using advanced sputtering. And compared the electrical properties (measurement by using C-TLM) and structural properties (HR-TEM and FE-SEM) of ITO films on GaN based LEDs produced by e-beam evaporation, normal sputtering and advanced sputtering. As a result, It is expected to form plasma damage free-electrode, and better light output power and break down voltage than LEDs by e-beam evaporation and normal sputter.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제20권8호
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• pp.6-14
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• 2006

본 논문은 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비 공정용 챔버(Chamber) 세정을 위한 새로운 플라즈마 세정방법에 적합한 플라즈마 발생방법과 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원장치의 전력회로에 관한 연구이다. 세정에 요구되는 고밀도 플라즈마는 안테나 형태의 기존 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식에 강자성체인 페라이트 코어를 적용하므로 써 $1{\times}10^{11}[EA/cm^3]$이상의 고밀도 플라즈마 발생을 가능하게 하였다. 플라즈마 발생을 위한 400[kHz] 고주파 전력 변환장치의 경우 범용 HB(Half Bridge) 인버터 방식을 적용하여 플라즈마 부하에서도 안정적인 영전압 스위칭 동작을 확인 하였다. 변압기 직렬결합 방식을 사용한 10[kW] 고출력을 통해 $A_r$과 $NF_3$가스 분위기하에서 플라즈마의 밀도와 $NF_3$가스 분해율을 측정하므로서 고주파 전력 변환 장치의 성능을 입증하였다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제13권8호
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• pp.1115-1127
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• 2010

TFT-LCD 생산 과정에서 발생하는 결함을 정확하게 분류하여 결함 유형에 따라 폐기, 사용가능 등의 의사결정을 적절하게 내리는 것은 수율 증가 및 생산성 향상에 필수적인 요소이다. 본 논문에서는 TFT-LCD 생산 라인에서 획득한 결함 영상에 대하여 명암도 분포(intensity distribution) 및 결함 영상의 형태 특징(shape feature)을 분석하여 효과적으로 필름 결함 유형을 분류하는 기법을 제시한다. 본 연구에서는 먼저 필름 결함 영상을 결함 영역과 결함이 아닌 배경 영역으로 이진화하고, 결함 영역에서 결함의 선형성(linearity), 명암도 분포를 고려한 형태 특징 등의 여러 가지 특징을 분석하여 기준 영상(referential image) 데이터베이스를 구축하였으며, 분류하고자 하는 결함 영상과 데이터베이스에 저장된 기준 영상과의 매칭 비용 함수(matching cost function)를 정의하여 적절히 매칭시킴으로써 결함의 유형을 결정하였다. 제시한 기법의 성능을 검증하기 위하여 실제 TFT-LCD 생산 라인에서 획득한 결함 영상들을 대상으로 분류 실험을 수행하였으며, 실험 결과 생산 라인에서 이용할 수 있을 정도의 상당한 수준의 분류 정확도를 달성하였음을 보여주었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
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• pp.403-406
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• 1999

고상결정화(SPC)로 제작된 다결정 박막의 전기적 특성 변화를 측정함으로서 다결정 박막 트랜지스터(poly-Si TFT's)에 대한 온도 변화 (25～1$25^{\circ}C$)의 영향을 연구하였다. 채널 길이가 각각 1.5, 10 $\mu\textrm{m}$인 SPC로 제작된 n-채널 poly-Si TFT는 온도 변화에도 불구하고 높은 전계 효과 이동도 ($\mu$$_{FE}$ : 1.5와 10$\mu\textrm{m}$에서 각각 $\geq$82 and $\geq$60$\textrm{cm}^2$/V-s), 낮은 문턱전압 (V$_{th}$ : 1.5 와 10$\mu\textrm{m}$에서 각각 $\leq$ 1.52 and $\leq$ 2.75V), 낮은 Subthreshold swing (S$_{t}$), 그리고 양호한 ON-OFF 특성이 나타났다. 따라서, SPC로 제작된 poly-Si TFT는 액정표시장치의 주변회로에 적용할 수 있다.

• 한국광학회지
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• 제21권6호
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• pp.225-229
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• 2010

레이저로 가공된 평면산란패턴을 가지는 도광판은 도광판 상부로 방출되는 광이 광원과 가까운 부분에 편중되는 문제로 인해서 전체적인 휘도 분포가 균일하지 않은 문제점을 가지고 있었다. 이를 해결하기 위해 도광판 후면에 레이저를 이용하여 도광판 내부에서 특징적인 기울기를 가지는 산란패턴을 만듬으로써 도광판 상부로 방출되는 광의 균일도를 향상시키고자 하였다. 본 논문에서는 도광판 후면의 산란패턴을 간격과 가공 깊이를 다르게 조절하여 설계하고 이에 따른 도광판의 성능의 차이점을 가공전에 분석하고자 전산모사를 수행하였다. 본 논문에서 제안한 산란패턴을 가지는 도광판은 기존의 도광판의 휘도와 균일도에 비해 높은 향상을 가질 것으로 예상되는 바이다.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.239-242
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• 2006

LCD-BLU (Liquid Crystal Display - Back Light Unit) is one of kernel parts of LCD unit and it consists of several optical sheets(such as prism, diffuser and protector sheets), LGP (Light Guiding Plate), light source (CCFL or LED) and mold frame. The LGP of LCD-BLU is usually manufactured by forming numerous dots with $50{\sim}200$ um in diameter on it by etching process. But the surface of the etched dots of LGP is very rough due to the characteristics of the etching process during the mold fabrication, so that its light loss is high along with the dispersion of light into the surface. Accordingly, there is a limit in raising the luminance of LCD-BLU. In order to overcome the limit of current etched dot patterned LGP, optical pattern design with 50um micro-lens was applied in the present study. The micro-lens pattern fabricated by modified LiGA with thermal reflow process was applied to the optical design of LGP. The attention was paid to the effects of different aspect ratio (i.e. $0.2{\sim}0.5$) of optical pattern conditions to the brightness distribution of BLU with micro-lens patterned LGP. Finally, high aspect ratio micro-lens patterned LGP showed superior results to the one made by low aspect ratio in average luminance.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제41권6호
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• pp.19-24
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• 2004

본 논문에서는 LCD (liquid crystal display) 생산라인에서 컴퓨터 비전에 의한 BLU (back light unit)의 고해상도 정밀검사를 원활하게 하기 위해 SIMD (single instruction stream and multiple data stream)형 병렬 구조의 다중 프로세서를 이용하여 계산 집약적인 NTGST (noise-tolerant generalized symmetry transform) 검사 알고리즘을 병렬구현 하였다. 먼저 알고리즘 자체의 속도향상을 위해 C 코드의 최적화를 거친 후, 순차형 프로그램을 N개의 데이터를 동시에 처리하는 SIMD형 언어로 변환하고, 검사영상 데이터를 SIMD형 다중프로세서에서 P개의 각 쓰레드에 분할 할당함으로써 O(NP)의 속도향상이 가능하도록 하였다. Dual Pentium Ⅲ 프로세서를 사용하여 실험한 결과, 제안한 병렬시스템은 기존보다 Sp=8 배 이상 고속 처리가 가능하여, 다양한 크기의 BLU에 대한 고해상도 정밀검사장비에도 신축적으로 확장적용 가능함을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.504-508
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• 2003

New banana-shaped achiral compounds, 4-chloro-1,3-phenylene bis [4-4(3-fluoro-9-alkenyloxy) phenyl-iminomethylbenzoate]s and 4-chloro-1,3-phenylene bis [4-4-(3-fluoro-10-alkanyloxy) phenyliminomethyl benzoate]s were synthesized by varying the substituent (X=H, F, or Cl); their electrooptical properties are described. The smectic phases, including a switchable chiral smectic C ($SmC^{\ast}$) phase, were characterized by differential scanning calorimetry, polarizing optical microscopy, and triangular method. The presence of vinyl end group at the terminals of linear side wings in the banana-shaped molecules induced a decrease in melting temperature. The smectic phase having the undecenyloxy group such $as-(CH_2)_9CH=CH_2$ showed ferroelectric switching, and its value of spontaneous polarization on reversal of an applied electric field was 2250 $nC/cm^2$, while the value of spontaneous polarization of the smectic phase having the decanyloxy group such as $-(CH2)_9CH_3$ was 3700 $nC/cm^2$. We could obtain the ferroelectric phase with low isotropic temperature by varying the end group at the terminals of linear side wings in the banana-shaped achiral molecules.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권12호
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• pp.761-767
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• 1999

Poly-Si TFTs(polycrystalline silicon thin film transistors) fabricated on a low cost glass substrate have attracted a considerable amount of attention for pixel elements and peripheral driving circuits in AMLCS(active matrix liquid crystal display). In order to apply poly-Si TFTs for high resolution AMLCD, a high operating frequency and reliable circuit performances are desired. A new poly-Si TFT with CLBT(counter doped lateral body terminal) is proposed and fabricated to suppress kink effects and to improve the device stability. And this proposed device with BC(buried channel) is fabricated to increase ON-current and operating frequency. Although the troublesome LDD structure is not used in the proposed device, a low OFF-current is successfully obtained by removing the minority carrier through the CLBT. We have measured the dynamic properties of the poly-Si TFT device and its circuit. The reliability of the TFTs and their circuits after AC stress are also discussed in our paper. Our experimental results show that the BC enables the device to have high mobility and switching frequency (33MHz at $V_{DD}$ = 15 V). The minority carrier elimination of the CLBT suppresses kink effects and makes for superb dynamic reliability of the CMOS circuit. We have analyzed the mechanism in order to see why the ring oscillators do not operate by analyzing AC stressed device characteristics.