The ACF(Anisotropic Conductive Film) is used for bonding Drive IC and OLED display device panel. If ACF bonding process is problem, a malfunction of line defect can occur. Because electric resistance increase between the panel and drive IC after a period of time, drive IC can not supply enough current to the panel. This paper is studied on a method of test for line defect.
Cucumber mosaic virus (CMV) is one of the most important viral diseases in pepper (Capsicum annuum L.), and several genes for resistance were reported in Capsicum spp. In Korea, a single dominant gene that is resistant to $CMV_{Fny}$ and $CMV_{P0}$ has been used for breeding. Recently, a new strain ($CMV_{P1}$) was reported that could infect cultivars resistant to both $CMV_{Fny}$ and $CMV_{P0}$. Therefore, breeding of more robust CMV-resistant cultivars is required. In this study, we surveyed the inheritance of $CMV_{P1}$ resistance and analyzed the location of the resistance loci. After $CMV_{P1}$ inoculation of various germplasms and breeding lines, one accession (ICPN18-8) showed no visual symptoms at 15 dpi (days post inoculation) but was susceptible after 45 dpi, and one resistant line (I7339) showed resistance until at 45 dpi. The latter line was used for tests of resistance inheritance. A total of 189 $F_2$ plants were examined, with 42 individuals showing resistance at 15 dpi and a phenotype segregation ratio close to 1:3 (resistant:susceptible plants). In a lateral ELISA test at 45 dpi, 11 plants showed resistance, and the segregation ratio was changed to 1:15. These results indicate that resistance in C. annuum 'I7339' is controlled by two different recessive genes; we named these resistance genes 'cmr3E' and 'cmr3L,' respectively. To locate these two resistant loci in the pepper linkage map, various RAPD, SSR, and STS markers were screened; only nine markers were grouped into one linkage group (LG). Only one RAPD primer (OPAT16) was distantly linked with cmr3E (22.3 cM) and cmr3L (20.7 cM). To develop more accurate markers for marker-assisted breeding, enriching for molecular markers spanning two loci will be required.
Recently, many researches have been conducted to improve the performance and wearability of smart wearables. In this study, we designed and fabricated the signal and power transmission textile cables for smart wearables which have excellent wearability, durability and reliability. For the signal transmission textile cables, conductive yarns for the signal line and the ground line were developed. Three types of signal transmission textile cables have been developed using the conductive yarns. Linear density, tensile properties, electrical resistance and RF characteristics were tested to characterize the physical and electrical properties of three signal transmission textile cables. The conductive yarns have the very low resistance of $0.05{\Omega}/cm$ and showed excellent uniformity of electric resistance. Therefore, the electrical resistance of the signal transmission fiber cable can be reduced by increasing the number of conductive yarns used in signal and ground lines. However, the radio frequency (RF) characteristics of the signal transmission textile cables were better as the number of strands of the conductive yarns used was smaller. This is because the smaller the number of strands of conductive yarn used in signal transmission textile cables, the narrower and more parallel the distance between the signal line and the ground line. It is expected that the signal and power transmission textile cable for signal and power transmission will be utilized in smart wearable products.
We perform the physical analysis such that Si/W composition ratios and phosphorus distribution change in the W/S $i_{x}$ thin films according to phosphorus concentration of polysilicon and W $F_{6}$ flow rate for the formation of WS $i_{x}$ polycide used as a gate electrode. We report that these physical characteristics have effects on the contact resistance between word line and bit line in DRAM devices. RBS measurements show that for the samples having phosphorus concentrations of 4.75 and 6.0${\times}$10$^{2-}$ atoms/㎤ in polysilicon, by applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, Si/W composition ratio has increases to 2.05∼2.24 and 2.01∼2.19, respectively. SIMS analysis give that phosphorus concentration of polysilicon for both samples have decreases after annealing, but phosphorus concentration of WS $i_{x}$ thin film has increases by applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm. The contact resistance between word line and bit line in the sample with phosphorus concentration of 6.0 ${\times}$ 10$^{20}$ atoms/㎤ in polysilicon is lower than the sample with 4.75 ${\times}$ 10$^{20}$ atoms/㎤ After applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, the contact resistance has been improved dramatically from 10.1 to 2.3 $\mu$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$.
Hepatitis B virus (HBV) infection is contagious with transmissiobn vertically or horizontally by blood products and body secretions. Over 50% of Iranian carriers contracted the infection prenatally, making this the most likely route of transmission of HBV in Iran. To evaluate the resistance to adefovir (ADV) therapy in patients with chronic hepatitis B infection, a study was conducted on 70 patients (63 males and 7 females), who had received in first line lamivudine and second line adefovir. All were tested for the presence of hepatitis B surface antigen (HBsAg), hepatitis B envelope antigen (HBeAg), serum alanine amino transferase (ALT) level and HBV DNA load before and after treatment with ADV. In all samples, resistance to lamivudine and ADV was tested with real time PCR. Among seventy patients with chronic hepatitis B infection, 18 (25.7%) were resistant to LAM and 8 (11.4%) were resistant to ADV. Only one patient was negative for the presence of HBS-Ag (5.6%) and two were negative for HBe-Ag (11.1%). In this study we used a new method (ALLGIO probe assay) that has high sensitivity in detection of adefovir resistance mutants, which we recommend to other researchers. Mutant strains of the YMDD motif of HBV polymerase can be found in some patients under treatment with lamivudine and ADV. ADV has been demonstrated to be efficient in patients with lamivudine resistant HBV.
Kim, Jeong-Ho;Kim, Du-Hwi;Jin, Liyan;Ha, Pan-Bong;Kim, Young-Hee
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제11권2호
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pp.88-94
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2011
In this paper, we design a 1-kb OTP (Onetime programmable) memory IP in consideration of BCD process based EM (Electro-migration) and resistance variations of eFuse. We propose a method of precharging BL to VSS before activation of RWL (Read word-line) and an optimized design of read NMOS transistor to reduce read current through a non-programmed cell. Also, we propose a sensing margin test circuit with a variable pull-up load out of consideration for resistance variations of programmed eFuse. Peak current through the non-programmed eFuse is reduced from 728 ${\mu}A$ to 61 ${\mu}A$ when a simulation is done in the read mode. Furthermore, BL (Bit-line) sensing is possible even if sensed resistance of eFuse has fallen by about 9 $k{\Omega}$ in a wafer read test through a variable pull-up load resistance of BL S/A (Sense amplifier).
In this study, five different specimen preparation methods were introduced and their advantages and disadvantages were presented. One of them, an epoxy mounting method has advantages of constant exposure area, ease of surface preparation without touching the specimen surface during polishing or cleaning, use of small amount of material and ease of specimen reuse by polishing or etching. However, in order to eliminate unexpected errors resulting from preferable reaction at the specimen/epoxy interface and contact resistance between the specimen and copper conducting line for electrical connection, it is recommended to cover the wall side of the specimen with porous anodic oxide films and to remain the contact resistance lower than 1 ohm. The increased contact resistance between the specimen and Cu conducting line appeared to result in increases of anodizing voltage and solution temperature during anodizing by which thickness and hardness of anodizing film on Al2024 alloy were drastically decreased and color of the films became more brightened.
후면 패시베이션, back contact의 가변, 후면 접촉면적의 가변 등으로 Laser Fired Contact 태양전지의 효율을 증가 시킬 수 있다. 이 중 spacing의 가변으로 후면 접촉 면적을 가변 할 수 있으며, 이로 인하여 LFC 태양 전지의 효율을 높일 수 있을 것으로 전망된다. 본 연구에서는 후면 접촉 면적을 가변하였으며 이에 따른 효과를 확인하였다. series resistance가 작고, open circuit voltage 가 높은 최적의 조건을 찾는 것에 그 목적을 두었다. 실험 순서는 texturing 후, 후면에 SiNx를 10nm 증착하였으며, drive-in 방법으로 $POCl_3$을 도핑하였다. ARC후, spacing 조건 가변으로 접촉 면적을 가변시키면서 소자의 특성 변화를 비교하였다. 접촉 면적 및 spacing 조건은 5개의 set에 대하여 reference, 50%의 접촉 면적을 가지는 $150{\mu}m$ line, 10%의 접촉 면적을 가지는 $700{\mu}m$ line, 1%의 접촉 면적을 가지는 $700{\mu}m$ dot, 그리고 0.2%의 접촉 면적을 가지는 $1500{\mu}m$ dot으로 하였다. 각각의 경우에 대한 short circuit current density, fill factor, seris resistance, sheet resistance, open circuit voltage를 측정하였으며, 특히 series resistance는 각각의 경우에 대하여 $6.1m{\Omega}$, $5.1m{\Omega}$, $7.8m{\Omega}$, $10.1m{\Omega}$, 그리고 $15.7m{\Omega}$으로 측정되었다. wafer의 외각 테두리를 접촉 면적이 증가함에 따라서 sheet resistance가 증가하는 것을 확인 할 수 있었다.
To lower the earth resistance shall be one of the most effective method for the prevention of lightening damage on power transmission line. In this report, in order to investigate various characteristic necessary to lowering the earth resistance, the following experiments have been made at 154KV U1San-PoHang T/L, 154KV YoSu-SoonChun T/L and so on. 1. Measurement of Earth specific resistance, 2. Efficiency of Earthing of concrete foundation for steel structure., 3. Efficiency of Earthing with counter poise., 4. Compound impulse test with foundation of steel structure and counter poise. With the above investigate a guidance have been prepared for the effective work-performance of steel structure.
대한약학회 2003년도 Proceedings of the Convention of the Pharmaceutical Society of Korea Vol.2-2
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pp.167.2-168
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2003
Anticancer drug resistance occasionally occurs in malignant hematologic diseases such as acute myelocytic leukemia (AML) treated with chemotherapy and is a major problem to complete remission. Malignant cells primarily induce intrinsic resistance to treatment of anticancer drug, but gradually obtain acquired resistance to cytotoxic activities of chemotherapy. In this study, we monitored the expression profiles of doxorubicin resistance-related genes in AML-2/DX100, a doxorubicin-resistant human acute myelocytic leukemia cell line. (omitted)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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