최근에 소개된 Plasma arc lamp를 이용한 고광도 광조사기는 조사되는 광도를 크게 증가시켜 필요한 조사시간을 단축시키고자하는 연구의 결과중 하나이다. 교정 임상에서 브라켓의 접착시 고광도 광조사기를 사용하여 시술시간을 줄인다면 환자뿐만 아니라, 술자에게도 시간적이나 경제적으로 많은 도움을 줄 것이다. 이 연구의 목적은 Plasma arc light를 사용하여 접착시킨 브라켓의 치면에 대한 전단강도를 측정하고 이를 기존의 할로겐 램프를 이용한 광중합 방법과 비교해보기 위함이다. I군은 할로겐 램프를 사용하는 $XL3000^{(R)}$을 이용하여 총 50초간 광중합하였고 II군은 plasma arc lamp를 사용하는 $Flipo^{(R)}$를 이용하여 2초간 광중합하였으며 III군도 $Flipo^{(R)}$를 이용하여 총 5초간 광중합하여 전단강도 측정을 시행한 결과는 다음과 같다. 1. 세 군의 전단강도의 평균은 비슷한 수치를 나타내었다. 2. 세 군간의 통계학적 유의 차가 없었다(p>0.05).
배광 분포 제어가 용이한 높이 분할방식 반사컵 설계를 수행함에 있어서, 배광 설계시 배광 분포의 설계오차를 줄이기 위하여, LED 칩 표면상의 광량 분포 변화에 따른 반사컵의 배광 특성 변화 경향성을 파악하여 최적 설계에 적용하였다. LED 패키지의 반사컵을 높이에 따라 2단 분할하여 최적 설계한 결과, 교차형과 비교차형의 조합 설계를 통해서 최대 광도와 균일도를 조절하거나 암흑 영역을 없애는 등 다양한 기능성 설계가 가능했다.
This paper performed the basic study for developing the Photodynamic Therapy Equipment for medical treatment. We developed the equipment palpating cell proliferation using a high brightness LED. This equipment was fabricated using a micro-controller and a high brightness LED, and designed to enable us to control light irradiation time, intensity, frequency and so on. Especially, to control the light irradiation frequency, FPGA was used, and to control the change of output value, TLC5941 was used. Control stage is divided into 30 levels by program. Consequently, the current value could be controlled by the change of level in Continue Wave(CW) and Pulse Width Modulation(PWM), and the output of a high brightness LED could be controlled stage by stage. And then, each experiment was performed to irradiation group and non-irradiation group for both Rat bone marrow and Rat tissue cells. MTT assay method was chosen to verify the cell increase of two groups and the effect of irradiation on cell proliferation was examined by measuring 590 nm transmittance of ELISA reader. As a result, the cell increase of Rat bone marrow and tissue cells was verified in irradiation group as compared to non-irradiation group. The fact that specific wavelength irradiation has an effect on cell vitality and proliferation is known through this study.
본 논문은 적외선 센서의 광 강도 및 효율을 증가시키기 위해 새로운 오목한 반사 벽면(curved mirror surface)과 기존의 수직 반사 벽면(vertical mirror surface)구조와의 모의해석 및 실험 결과에 대해 기술하였다. 모의해석 결과 수직 반사 벽면을 사용했을 때 적외선 센서 필터 표면에 도달하는 광의 분포는 타원 형상으로 적외선 센서 표면에 도달함을 볼 수 있고, 오목한 반사 벽면을 사용하는 경우에는 광이 원형상으로 집광되는 것을 볼 수 있었다. 따라서 초기 평행광의 면적보다 작은 면적으로 집광됨으로 인해 단위면적당 광 강도는 향상되고, 이에 따라 광학적 센서의 출력전압은 향상될 것이라 예측되었다. 이 모의해석을 근간으로 하여 $25^{\circ}C$, 45%R.H.에서 이산화탄소를 0 ppm에서 2500 ppm까지 250 ppm 간격으로 주입시켰을 때, 오목한 반사 벽면의 광 공동이 수직 반사 벽면의 광 공동보다 출력전압이 약 200 mV 증가하였다.
가시광 무선통신은 전송하고자 하는 데이터를 빠른 ON/OFF 속도를 갖는 LED를 이용해 고속의 무선 데이터 전송 수단으로 사용하는 통신 방식이다. VLC 시스템이 발전함에 따라 기본적인 연구 문제는 통신 신뢰성 확보와 성능을 향상시키는 것이다. 가시광 무선통신의 특성 상 빛의 도달 범위에만 통신이 이루어지며, 이는 빛의 발광각도에 따라서 큰 차이를 나타낸다. 이에 본 논문에서는 일반적인 실내 환경의 경우, 여러 개의 LED가 장착되어 있는 속성을 이용하여 MIMO (Multiple Input Multiple Output) 통신 시스템 적용하였으며, 송신기의 발광각도를 변화시켜 수신단에서 얻는 총 전력과 SNR성능을 분석하였다. 이에 대해 시뮬레이션을 실행한 결과, 송신기의 발광 각도에 따라서 SNR 성능과 BER성능에 많은 영향을 끼침을 확인하였다.
Functional and morphological characteristics of the exocrine pancreas in genetic model BB rat of insulin dependent diabetes medllitus(IDDM) were carried out. Wistar rat was used as control animal. Flow rate of pancreatic juice, output of amylase and protein, and plasma glucose and insulin levess were examined. Also light and ultrastructural characteristics of the exocrine pancreas were observed. Pancreatic flow rate, output of amylase and protein, and insulin level were lower;glucose level was higher comparing with those of the control Wistar rat. In Wistar rat, exocrine pancreas was typical light microscopically. Zymogen granules and cell organelles were well developed in fine structure. Cell size of the periinsular acini was larger, and number of zymogen granules were more than those of the teleinsular acini. Most acinar cells were dark cells which containe well-developed RER in their cytoplasm. On the other hand, some light cells which have the dilated RER cisterns were found. In BB rat exocrine pancreas, cell size of per-and tele-insular acini similar to that of Wistar rat. The number of light cells occupied 40-50% compairing with that of Wistar rat. Zymogen granules were lower in number than that of Wistar rat and divied into three types in morphological characteristics ; type I showing normal structure, type II showing the wide hallo and small electron dense core in center of the zymogen granule and type III not having the electron dense core in the zymogen granule. The present ratio of type I, type II and type III are less than 5%, 30-40% and more than 50%, respectively.
In this paper, we studied a p-type reflector based on indium tin oxide (ITO) for vertical-type ultraviolet light-emitting diodes (UV LEDs). We investigated the reflectance properties with different deposition methods. An ITO layer with a thickness of 50 nm was deposited by two different methods, sputtering and e-beam evaporation. From the measurement of the optical reflection, we obtained 70% reflectance at a wavelength of 382 nm by means of sputtering, while only 30% reflectance resulted when using the e-beam evaporation method. Also, the light output power of a $1mm{\times}1mm$ vertical chip created with the sputtering method recorded a twofold increase over a chip created with e-beam evaporation method. From the measurement of the root mean square (RMS), we obtained a RMS value 1.3 nm for the ITO layer using the sputtering method, while this value was 5.6 nm for the ITO layer when using the e-beam evaporation method. These decreases in the reflectance and light output power when using the e-beam evaporation method are thought to stem from the rough surface morphology of the ITO layer, which leads to diffused reflection and the absorption of light. However, the turn-on voltage and operation voltage of the two samples showed identical results of 2.42 V and 3.5 V, respectively. Given these results, we conclude that the two ITO layers created by different deposition methods showed no differences in the electric properties of the ohmic contact and series resistance.
The solar cell is a device to convert light energy into electric, which supplies power to the external load when exposed to the incident light. The photocurrent and voltage occurred in the device are significant factors to decide the output power of solar cells. The crystalline silicon solar cell module has photocurrent loss due to light reflections on the glass and EVA(Ethylene Vinyl Acetate). These photocurrent loss would be a hinderance for high-efficiency solar cell module. In this paper, the quantitative analysis for the photocurrent losses in the 300-1200 wavelength region was performed. The simulation method with MATLAB was used to analyze the reflection on a front glass and EVA layer. To investigate the intensity of light that reached solar cells in PV(Photovoltaic) module, the reflectance and transmittance of PV modules was calculated using the Fresnel equations. The simulated photocurrent in each wavelength was compared with the output of real solar cells and the manufactured PV module to evaluate the reliability of simulation. As a result of the simulation, We proved that the optical loss largely occurred in wavelengths between 300 and 400 nm.
Kim, Youngju;Kim, Byoungwook;Kwon, Youngman;Kim, Jongyul;Kim, MyungSoo;Cho, Gyuseong;Jun, Hong Young;Thap, Tharoeun;Lee, Jinseok;Yoon, Kwon-Ha
Journal of the Optical Society of Korea
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제18권3호
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pp.256-260
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2014
Columnar-structured cesium iodide (CsI) scintillators doped with thallium (Tl) are frequently used as x-ray converters in medical and industrial imaging. In this study we investigated the imaging characteristics of CsI:Tl films with various reflective layers-aluminum (Al), chromium (Cr), and titanium dioxide ($TiO_2$) powder-coated on glass substrates. We used two effusion-cell sources in a thermal evaporator system to fabricate CsI:Tl films on substrates. The scintillators were observed via scanning electron microscopy (SEM), and scintillation characteristics were evaluated on the basis of the emission spectrum, light output, light response to x-ray dose, modulation transfer function (MTF), and x-ray images. Compared to control films without a reflective layer, CsI:Tl films with reflective layers showed better sensitivity and light collection efficiency, and the film with a $TiO_2$ reflective layer showed the best properties.
To increase the light-emission efficiency of LED, we increased the internal and external quantum efficiency by suppressing the defect formation in the quantum well and by increasing the light extraction efficiency in LED, respectively. First, the internal quantum efficiency was improved by investigating the effect of a low temperature (LT) grown p-GaN layer on the In$\sub$0.25/GaN/GaN MQW in green LED. The properties of p-GaN was optimized at a low growth temperature of 900oC. A green LED using the optimized LT p-type GaN clearly showed the elimination of blue-shift which is originated by the MQW damage due to the high temperature growth process. This result was attributed to the suppression of indium inter-diffusion in MQW layer as evidenced by XRD and HR-TEM analysis. Secondly, we improved the light-extraction efficiency of LED. In spite of high internal quantum efficiency of GaN-based LED, the external quantum efficiency is still low due to the total internal reflection of the light at the semiconductor-air interface. To improve the probability of escaping the photons outside from the LED structure, we fabricated nano-sized cavities on a p-GaN surface utilizing Pt self-assembled metal clusters as an etch mask. Electroluminescence measurement showed that the relative optical output power was increased up to 80% compared to that of LED without nano-sized cavities. I-V measurement also showed that the electrical performance was improved. The enhanced LED performance was attributed to the enhancement of light escaping probability and the decrease of resistance due to the increase in contact area.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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