• 제목/요약/키워드: ion leakage

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실시간 운영체제의 메모리 관리에서 메모리 풀의 메모리 누수 방지 기법 설계 및 구현 (The Design and Implementation ion for Prevent ing A memory leakage of Memory Pool on Memory Management of Real-Time Operating Systems)

  • 조문행;정명조;유용선;이달한;이철훈
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
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    • 한국정보과학회 2004년도 가을 학술발표논문집 Vol.31 No.2 (1)
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    • pp.628-630
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    • 2004
  • 실시간 운영체제가 탑재되는 임베디드 시스템의 공간제약 특성상 한정된 자원을 가질 수밖에 없기 때문에 자원의 효율적인 사용 및 관리가 필수적이다. 특히 CPU 와 함께 한정된 크기의 메모리는 운영체제의 중요한 자원으로, 효율적인 메모리 관리를 통해 시스템의 성능을 향상시킬 수 있다. 본 논문에서는 실시간 운영체제의 동적 메모리 관리기법 중 메모리 풀에서의 메모리 누수 방지 기법을 설계 및 구현하였다

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Dielectric properties of Pt/PVDF/Pt modified by low energy ion beam irradiation

  • Sung Han;Yoon, Ki-Hyun;Jung, Hyung-Jin;Koh, Seok-Keun
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.110-110
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    • 1999
  • Polyvinylidenefluoride (PVDF) is most used in piezoelectric polymer industry. Electrode effect on the electrical properties of PVDF has been investigated. al has been used due to fair adhesion for PVDF. Work function of metal plays an important role on the electrical properties of ferroelectrics for top and /or bottom electrode. However, Al has much lower work function than Pt or Au and so leakage current of Al/PVDF/Al may be large. Pt or Au has not been used for electrode of PVDF system due to poor adhesion. PVDF irradiated by Ar+ ion beam with O2 environment takes good adhesion to inert metal. Contact angle of PVDF to triple distilled water was reduced from 75$^{\circ}$ to 31$^{\circ}$ at 1$\times$1015 Ar+/cm2. Working pressure was 2.3$\times$10-4 Torr and base pressure was 5$\times$10-6 Torr. Pt was deposited by ion beam sputtering and thickness of pt film was about 1000$\AA$. in previous study, enhancing adhesion of Pt on PVDF was shown. in this study, effect of electrode on PVDF will be represented.

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Swelling and hydraulic characteristics of two grade bentonites under varying conditions for low-level radioactive waste repository design

  • Chih-Chung Chung;Guo-Liang Ren;I-Ting Chen;Che-Ju, Cuo;Hao-Chun Chang
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제56권4호
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    • pp.1385-1397
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    • 2024
  • Bentonite is a recommended material for the multiple barriers in the final disposal of low-level radioactive waste (LLW) to prevent groundwater intrusion and nuclear species migration. However, after drying-wetting cycling during the repository construction stage and ion exchange with the concrete barrier in the long-term repository, the bentonite mechanical behaviors, including swelling capacity and hydraulic conductivity, would be further influenced by the groundwater intrusion, resulting in radioactive leakage. To comprehensively examine the factors on the mechanical characteristics of bentonite, this study presented scenarios involving MX-80 and KV-1 bentonites subjected to drying-wetting cycling and accelerated ion migration. The experiments subsequently measured free swelling, swelling pressure, and hydraulic conductivity of bentonites with intrusions of seawater, high pH, and low pH solutions. The results indicated that the solutions caused a reduction in swelling volume and pressure, and an increase in hydraulic conductivity. Specifically, the swelling capability of bentonite with drying-wetting cycling in the seawater decreased significantly by 60%, while hydraulic conductivity increased by more than three times. Therefore, the study suggested minimizing drying-wetting cycling and preventing seawater intrusion, ensuring a long service life of the multiple barriers in the LLW repository.

미생물의 세포생리에 미치는 전이방사선의 영향에 관한 연구 (제 5 ) "-의 과성에 대한 $\gamma$-의 영향에 대하여" (Studies on the cellular metabolism in microorganisms as influenced by gamma-irradiation.(V) "On the membrane permeability changes and leakage of celluar constituents of irradiated yeast cell")

  • 김종협;전세열;김희자
    • 미생물학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.54-62
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    • 1968
  • The effect of gamma-ray on yeast cells Sacch. cerevisiae, and the leakage of cellular constituents such as carbohydrates, ribose, amino acids, inorganic phosphates and organic phosphates have been studied. The samples of yeast cells washed throughly and starved intensively, radiation effects were compared with those of control (un-starved), the irradiation dose rates are in the range from 24 Kr. up. to 480, Kr. The loss of 260m$\mu$. absorbing material, are also observed. Mechanisms of membrane damage by gamma-irradiation are discussed corelating to permeability changes and loss of substances, then active and passive transport process are also under considerations in discussion. The experimental results are as follows, 1. Carbohydrates of yeast cell leak out by gamma-irradiation, and amounts of loss increase proportionally as the increasing of radiation dose, curve of carbohydrates loss in starved cells is parallel with those of non-starved cells. 2. Ribose leak out less than that of carbohydrate from irradiated cell, the dose response curve of loss is straight and proportional to the increasing of radiation doses, slope of the curve is much lower than of carbohydrates. 3. Amino acids also leak out and the curve of losses to radiation is not proportional, it is revealed that there are little losses from yeast at lower doses of irradiation. 4. The losses of inorganic phosphates increase unproportionally to the increasing of irradiation doses, there are little leakage at the lower doses of irradiation. The losses of organic phosphates increase proportionally to the increasing of irradiation doses, and the amount of losses are much more than that of inorganic phosphate at lower doses of irradiation. 5. Leakage from irradiated yeast cells was shown to be due to passive transport process not an energy requiring process of ion transport. 6. Loss of 260 m$\mu$. absorbing material is little more than that of control yeast by the gamma-irradiation dose of 120K.r. and 240K.r.

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Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 (Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability)

  • 김경환;최창순;김정태;최우영
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권6호
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    • pp.390-397
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    • 2001
  • GIDL(Gate-Induced Drain-Leakage)을 줄일 수 있는 새로운 구조의 ESD(Elevated Source Drain) MOSFET을 제안하고 분석하였다. 제안된 구조는 SDE(Source Drain Extension) 영역이 들려진 형태를 갖고 있어서 SDE 임플란트시 매우 낮은 에너지 이온주입으로 인한 저활성화(low-activation) 효과를 방지 할 수 있다. 제안된 구조는 건식 식각 및 LAT(Large-Angle-Tilted) 이온주입 방법을 사용하여 소오스/드레인 구조를 결정한다. 기존의 LDD MOSFET과의 비교 시뮬레이션 결과, 제안된 ESD MOSFET은 전류 구동능력은 가장 크면서 GIDL 및 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 값은 효과적으로 감소시킬 수 있음을 확인하였다. GIDL 전류가 감소되는 원인으로는 최대 전계의 위치가 드레인 쪽으로 이동함에 따라 최대 밴드간 터널링이 일어나는 곳에서의 최대 전계값이 감소되기 때문이다.

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조건불리지역 재배를 위한 산화스트레스 내성 고구마 품종의 선발 (Selection of oxidative stress-tolerant sweetpotato cultivars for cultivation on marginal lands)

  • 김윤희;박성철;양경실;주지린;자오동란;마다이푸;정재철;이행순;곽상수
    • Journal of Plant Biotechnology
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    • 제36권3호
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    • pp.219-223
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    • 2009
  • Oxidative stress derived from excess reactive oxygen species (ROS) is a major damaging factor for plants exposed to environmental stresses. Sweetpotato [Ipomoea batatas (L.) Lam] has a relatively broad adaptability to harsh environmental conditions compared to other staple crops. In this study, to select stress-tolerant sweetpotato cultivars for sources of molecular breeding on marginal lands, we evaluated the ion leakage values in 10 different cultivars after treatment of methyl viologen (MV), an ROS-generating nonselective herbicide, to leaf discs. DPPH radical scavenging activity and the contents of total phenolics were also investigated. The ion leakage of each cultivar showed a diverse value, which is well correlated with DPPH radical scavenging activity of each cultivar. DPPH radical scavenging activity also showed a high corelation with the contents of total phenolic contents. Three cultivars of Yanshu 8, Shinhwangmi and Shinzami showed high antioxidant activity. Our results suggest that a simple and efficient DPPH radical scavenging activity would be a suitable method to select potential cultivars with enhanced tolerance to multiple environmental stress.

저선량 감마선이 채소 발아종자의 생리활성에 미치는 영향 (Influence of low dose ${\gamma}$ radiation on the physiology of germinative seed of vegetable crops)

  • 김재성;이은경;백명화;김동희;이영복
    • 한국환경농학회지
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    • 제19권1호
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    • pp.58-61
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    • 2000
  • 묵은 파와 시금치 종자에 저선량 ${\gamma}$선을 조사하여 종자 발아율과 발아종자의 생리활성 변화를 관찰하였다. 시금치 종자의 발아율은 대조구에 비해 저선량 조사구에서 증가하는 경향을 보였고 특히 2 Gy와 1 Gy에서 효과적이였으나 파종자에서는 1 Gy 조사구만이 대조구에 비해 높은 발아율을 보였다. 저선량 ${\gamma}$선이 조사된 파와 시금치종자의 ion leakage 조사에서는 대조구에 비해 저선량 ${\gamma}$선 조사구에서 감소하는 경향을 보였는데 이는 특히 배양 초기 단계에서 뚜렸하였다. 전분 분해 또한 ${\gamma}$선 조사에 의해 촉진되었고 저선량의 γ선은 glutamic acid의 decarboxylation 으로 인해 종자의 활력을 유지하는 잇점이 있는 것으로 나타났다.

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초저이온 농도범위에서 혼합층 이온교환능과 온도의 영향 - 2. 온도의 영향 - (The Mixed-Bed Ion Exchange Performance and Temperature Effects at Ultra-Low Concentrations - 2.Temperature Effects -)

  • 윤태경;노병일;이창원;문병현;이강춘;조명찬
    • 공업화학
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    • 제10권2호
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    • pp.206-211
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    • 1999
  • 본 연구에서는 NaCl수용액의 초저이온 농도범위 ($1.0{\times}10^{-4}M$ 이하)에서 양이온 교환수지 대 음이온 교환수지의 비, 수지량, 계의 온도를 함수로 한 혼합층 이온교환의 거동을 실험적으로 연구하였다. 실험실 크기의 연속흐름 칼럼을 통하여 양이온 교환수지와 음이온 교환수지의 교환능이 소모될 때까지의 유출농도를 처리된 유량의 함수로 측정하여 파과곡선을 구하였다. 초기누출은 수지량이 적은 경우 양이온과 음이온의 파과곡선에 나타났으나, 선택도계수가 낮은 양이온의 파과곡선에 현격하게 크게 나타났다. 선택도계수는 파과곡선의 기울기에 영향을 미쳤으며, 계수값이 큰 음이온의 파과곡선의 기울기가 급격하였다. 온도변화는 파과곡선의 기울기에 영향을 미쳤으며, 온도가 증가할수록 이온교환속도가 증가하였다. 이 온도효과는 수지비에 관계없이 수지총량이 증가할수록 또는 이온교환수지의 교환능이 감소하여 파과곡선이 평형에 가까워질수록 감소하였다.

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Studies on the Sorption and Fixation of Cesium by Vermiculite (II)

  • Lee, Sang-Hoon
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제6권2호
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    • pp.97-111
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    • 1974
  • 천연 점토 광물질의 ion교환능은 비교적 낮지만, 여러가지 황성화법에 의하여 교환능의 개설이 기대된다. 본 연구에 있어서는 점토 광물질 중에서도 교환 흡착능이 비교적 큰 vermiculite를 사용하여 저준위 방사성 액체 폐기물을 처리하는데 있어서 효과적인 이용 방법을 검토하기 위하여 vermiculite의 이온교환 기능에 관한 기초 연구를 실험하였다. Cs 이온의 교환능 및 분배계수는 Cs-l37의 방사능도를 Scintillation counter로 측정하였고, 천연 및 활성화된 vermiculite에 대한 특성은 X-ray회절과 전자회절에 의한 분석 및 열시차 분석과 아울러 전자 현미경에 의한 검사에 의거 해석하였다. Na-vermiculite에 의한 Cs이온의 교환 및 흡착에 있어서는 결정격자의 C-axis spacing의 수축을 초래하게 되고, Cs이온의 교환능은 주로 C-axis spacing의 크기에 좌우된다고 본다. Na-vermiculite에 의한 Cs이온의 교환 및 흡착 연구를 수행함으로서 저준위 방사성 핵종의 처리 분만 아니라, 고 방사성 폐액 저장 tank의 외각 충진 물질로서 Cs-137과 같이 반감기가 긴 핵종의 leakage로 인한 지하수 오염을 방지할 수 있는 재질로서도 적합하다.

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고전압 정전기 보호용 DDDNMOS 소자의 더블 스냅백 방지를 위한 최적의 이온주입 조건 결정 (Determination of optimal ion implantation conditions to prevent double snapback of high voltage operating DDDNMOS device for ESD protection)

  • 서용진
    • 전기전자학회논문지
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    • 제26권3호
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    • pp.333-340
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    • 2022
  • 고전압용 정전기 보호소자인 DDDNMOS(double diffused drain N-type MOSFET) 소자의 더블 스냅백 방지를 위한 최적의 이온주입 조건을 결정하기 위해 공정 및 소자 시뮬레이션이 수행되었다. HP-Well, N- 드리프트 및 N+ 드레인 이온주입량의 변화가 더블 스냅백 및 애발란치 브레이크다운 전압에 미치는 영향을 고찰함으로써 더블 스냅백을 방지하여 정전기 보호 성능 개선할 수 있었다. HP-Well 영역보다는 N- 드리프트 영역의 이온주입 농도를 최적으로 설계할 경우, 1차 on 상태에서 2차 on 상태로 전이하는 것을 막아주므로 비교적 양호한 정전기 보호 성능을 얻을 수 있었다. 또한 드리프트 이온주입 농도는 누설전류 및 애발란치 브레이크다운 전압에도 영향을 미치므로 동작전압이 30V보다 큰 공정기술에서는 DPS와 같은 새로운 구조를 적용하거나, 대안으로 여러 공정 변수들을 종합(colligation)하여 적용할 경우 향상된 정전기 보호 성능을 실현할 수 있을 것이다.