수치해석을 통하여 고에너지물질의 초음속 화염 전파에 대한 틈새(gap)의 효과를 연구하였다. 특성음향임피던스(characteristic acoustic impedance) 이론을 적용하여, 고폭약 및 고체추진제의 틈새(gap) 실험과 관계된 반사와 투과 현상들에 대한 이해를 추구하였다. 한편, 여러 개의 틈새(gap)가 위치하고 있는 화약의 한 끝에 초음속 화염이 발생되도록 하여, 여러 틈새(gap)에 전파되나가는 연속적인 화염에 대한 이해를 시도하였다. 이러한 고차원 다물질 해석을 통해, 충격하중 하에서의 고에너지 물질의 반응 특성이 물질 간격 동특성에 의하여 어떠한 영향을 받는지 이해할 수 있다.
We explain optical and electrical properties of top and bottom-emission structured alternating-current powder electroluminescent devices (ACPELDs) with Ga-doped ZnO(GZO) transparent electrode. The top-emission ACPELDs were layered as the metal electrode/dielectric layer/emission layer/top transparent electrode and the bottom-emission ACPELDs were structured as the bottom transparent electrode/emission layer/dielectric layer/metal electrode. The yellow-emitting ZnS:Mn, Cu phosphor and the barium titanate dielectric layers were layered through the screen printing method. The GZO transparent electrode was deposited by the sputtering, its sheet resistivity is $275{\Omega}/{\Box}$. The transparency at the yellow EL peak was 98 % for GZO. Regardless of EL structures, EL spectra of ACPELDs were exponentially increased with increasing voltages and they were linearly increased with increasing frequencies. It suggests that the EL mechanism was attributed to the impact ionization by charges injected from the interface between emitting phosphor layer and the transparent electrode. The top-emission structure obtained higher EL intensity than the bottom-structure. In addition, charge densities for sinusoidal applied voltages were measured through Sawyer-Tower method.
The power of energy storage devices is characterized by capacitance and the internal resistance. The capacitance is measured on an assumption that the charges are stored at the electrode interface and the electric double layer behaves like an ideal capacitor. However, in most cases, the electric double layer is not ideal so a constant phase element (CPE) is used instead of a capacitor to describe the practical observations. Nevertheless, another problem with the use of the CPE is that CPE does not give capacitance directly. Fortunately, a few methods were suggested to evaluate the effective capacitance in the literature. However, those methods may not be suitable for supercapacitors which are modeled as an equivalent circuit of a CPE and resistor connected in series because the time constant of the equivalent circuit is not clearly studied. In this report, in order to study the time constant of the CPE and find its equivalent capacitor, AC and DC methods are utilized in a complementary manner. As a result, the time constants in the AC and DC domains are compared with digital simulation and a proper equation is presented to calculate the effective capacitance of a supercapacitor, which is extended to an electrochemical system where faradaic and ohmic processes are accompanied by imperfect charge accumulation process.
A forklift is an industrial vehicle that lifts or transports heavy objects using a hydraulically operated fork, and is equipped with an automatic transmission for the convenience of repetitive transportation, loading, and unloading work. The Transmission Control Unit (TCU) is a key component in charge of the shift control function of an automatic transmission. It consists of an electric circuit with an input/output signal interface function and firmware running on a microcontroller. To develop TCU firmware, the development process of shifting algorithm design, firmware programming, verification test, and performance improvement must be repeated. A simulator is a device that simulates a mechanical system having dynamic characteristics in real time and simulates various sensor signals installed in the system. The embedded transmission simulator is a simulator that is embedded in the TCU firmware. information related to the mechanical system that is necessary for TCU normal operation. In this study, an embedded transmission simulator applied to the originally developed forklift TCU firmware was designed and used to verify various forklift shift control algorithms.
양성자 주입과 웨이퍼접합기술을 접목한 ion-cut기술로서 SOI 웨이퍼를 제조하는 기술을 개발하였다. SRIM 전산모사에 의하면 일반 SOI 웨이퍼 (200nm SOI, 400nm BOX) 제조에는 65keV의 양성자주입이 요구된다. 웨이퍼분리를 위한 최적 공정조건을 얻기 위해 조사선량과 열처리조건(온도 및 시간)에 따른 blistering 및 flaking 등의 표면변화를 조사하였다. 실험결과 유효선량범위는 $6\~9times10^{16}H^+/cm^2$이며, 최적 아닐링조건은 $550^{\circ}C$에서 30분 정도로 나타났다. RCA 세정법으로서 친수성표면을 형성하여 웨이퍼 직접접합을 수행하였으며, IR 조사에 의해 무결함접합을 확인하였다 웨이퍼 분리는 예비실험에서 정해진 최적조건에서 이루어졌으며, SOI층의 안정화를 위해 고온열처리($1,100^{\circ}C,\;60$분)를 시행하였다. TEM 측정상 SOI 구조결함은 발견되지 않았으며, BOX(buried oxide)층 상부계면상의 포획전하밀도는 열산화막 계면의 낮은 밀도를 유지함을 확인하였다.
반도체소자의 접합특성에 따라서 분극의 특성이 달라지는 원인을 조사하였다. 반도체소자의 접합특성은 최종적인 반도체소자의 효율과 관련되기 때문에 중요한 요소이며, 효율을 높이기 위해서는 반도체접합 특성을 이해하는 것은 매우 중요하다. 다양한 성질의 접합을 얻기위하여 n형의 실리콘 위에 절연물질인 carbon doped silicon oxide (SiOC) 박막을 증착하였으며, 아르곤 (Ar) 유량에 따라서 반도체기판의 특성이 달라지는 것을 확인하였다. 전도체인 tin doped zinc oxide (ZTO) 박막을 절연체인 SiOC 위에 증착하여 소자의 전도성을 살펴보았다. SiOC 박막의 특성은 플라즈마에 의하여 이온화현상이 일어날 때 Ar 유량에 따라서 이온화되는 경향이 달라지면서 반도체 계면에서의 공핍현상이 달라졌으며, 공핍층 형성이 많이 일어나는 곳에서 쇼키접합 특성이 잘 형성되는 것을 확인하였다. 아르곤 가스의 유량이 많은 경우 이온화 반응이 많이 일어나고 따라서 접합면에서 전자 홀쌍의 재결합반응에 의하여 전하들이 없어지게 되면 절연특성이 좋아지고 공핍층의 전위장벽이 증가되며, 쇼키접합의 형성이 유리해졌다. 쇼키접합이 잘 이루어지는 SiOC 박막에서 ZTO를 증착하였을 때 SiOC와 ZTO 사이의 계면에서 전하들이 재결합되면서 전기적으로 안정된 ZTO 박막을 형성하고, ZTO의 전도성이 증가되었다. 두께가 얇은 반도체소자에서 흐르는 낮은 전류를 감지하기 위해서는 쇼키접합이 이루어져야 하며, 낮은 전류만으로도 전기신호의 품질이 우수해지고 또한 채널층인 ZTO 박막에서의 전류의 발생도 많아지는 것을 확인하였다.
본 연구에서는 전자-선 증발법으로 제조된 비정질의 텅스텐 산화물 박막과 전해질 계면에서 진행되는 전기화학반응을 1 M $LiCLO_4/PC$유기 전해질 계면에서 비정질의 텅스텐 산화물 박막 내부로 삽입된 리튬의 양론 값과 박막 전위의 변화에 대하여 연구하였다. 특히 복소수 임피던스 스펙트럼으로부터 제안된 박막과 전해질 계면의 등가 회로는 리튬의 층간 반응 기구가 텅스텐 산화물 박막/유기 전해질 계면에서 리튬 이온의 전하 전달 현상, 텅스텐 산화물 박막에 리튬의 흡착현상 및 박막 내부로의 리튬의 흡수 및 확산 현상으로 구성되어 있다는 것을 알 수 있었다. 또한 CNLS fitting법에 의하여 시뮬레이션된 $R_{ct},\;C_{dl},\;D$, 및 $\sigma_{Li}$ 등의 열역학 및 속도론적 변수 값 등의 상관 관계로부터,비정질의 텅스텐 산화물 박막의 소. 발색 특성은 이들 변수값과 관련이 있었으며, 특히 $Li_y,WO_3$, 박막 내의 리튬의 몰비 y=0.167및 전극 전위 E=2.25 V(vs. Li)에서 전기 발색의 한계값을 갖는 것으로 조사되었다.
본 연구는 Parylene C 유전체 표면에 유기 자기조립단분자막(self-assembled monolayer, SAM) 중간층을 도입함으로써 표면특성을 제어하고 최종적으로 유기전계효과 트랜지스터(organic field-effect transistors, OFETs)의 전기적 안정성을 향상시킨 결과를 제시하였다. 유기 중간층을 적용함으로써, Parylene C 게이트 유전체의 표면 에너지를 제어하였으며, OFET의 가장 중요한 성능변수인 전계효과 이동도(field-effect transistor, μFET)와 문턱 전압 (threshold voltage, Vth)의 성능향상과 구동 안정성을 증대시켰다. 단순히 Parylene C 유전체를 적용한 Bare OFET에서 μFET 값은 0.12 cm2V-1s-1가 측정되었으나, hexamethyldisilazane (HMDS)과 octadecyltrichlorosilane (ODTS)를 중간층으로 적용된 소자에서는 각각 0.32과 0.34 cm2V-1s-1로 μFET가 증가하였다. 또한 1000번의 transfer 특성의 반복측정을 통해 ODTS 처리한 OFET의 μFET와 Vth의 변화가 가장 작게 나타남을 확인하였다. 이 연구를 통해 유기 SAM 중간층, 특히 ODTS는 효과적으로 Parylene C 표면을 알킬 사슬로 덮어 극성도를 낮춤과 함께 전하 트래핑을 감소시켜 소자의 전기적 구동 안정성을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.
본 연구에서는 강교 도장재료로 사용될 수 있는 에폭시 하도 도료를 도포한 시험편을 촉진시험을 통해 열화시킨 후 도막의 외관 평가 및 EIS에 의한 평가를 실시하고, 그 2가지 방법에 대한 비교 분석을 실시하였다. 화상처리 기법에 의해 구한 총 열화 면적율과 열화도 평점 산정 결과를 상호 비교해 본 결과 녹이 발생한 경우가 그렇지 않은 경우보다 열화도 평점이 높게 나타났다. 이는 강교 도장의 열화도 평가 기준에서 단위 열화 면적율당 부여하는 열화도 평점이 박리의 경우보다 녹의 경우가 더 크기 때문이다. 열화 면적율과 EIS 측정 데이터를 비교해 본 결과 녹의 면적율 약 0.1% 이상, 블리스터링의 면적율 약 3% 이상만 되어도 도막의 임피던스는 약 $10^4{\Omega}{\cdot}cm^2$ 혹은 그 이하로 크게 저하되었다. 2개의 시험편을 제외한 모든 시험편에 대해 전하전달저항(charge transfer resistance, $R_{ct}$)과 이중층 정전용량(double layer capacitance, $C_{dl}$) 값이 나타났으며, 이 결과로부터 이들 시험편들은 도막과 강재 계면에 수분이 축적되어 부식이 진행되고 있음을 알 수 있었다. 열화도 평점과 EIS 측정결과를 상호 비교해 본 결과 저주파수(10 mHz)에서의 임피던스 값이 $10^6{\Omega}{\cdot}cm^2$ 이하로 떨어진 경우는 모두 열화도 평점이 10점 이상으로 나타났으며, NORSOK cyclic test 과정에 의해 열화시킨 경우 열화도 평점이 높지 않음에도 불구하고 임피던스는 가장 낮게 나타났다. 이것은 도장계와 열화조건이 주 시험편과 다르기 때문인 것으로 판단되며, 열화조건이 더 가혹하거나 복합적일 경우 외관 상태에 비해 도막의 저항이 더 크게 저하될 가능성이 있다고 생각된다.
glutamin산 발효용 균 Brevibacterium flavum을 phenol유도체인 guaiacol, o-vanillin의 처리 및 존재하에서 발효를 행한 결과를 요악하면 다음과 같다. 1) glutamin산 축적량은 guaiacol 및 o-vanillin을 처리하였을 때에는 각각 12.5g/l와 14.2g/l이 었으며 비 처리균에서는 7.0g/l이었다. 2) 발효중 세균의 단위량의 호흡계수(r)는 guaiacol 처리균, o-vanillin 처리균의 순서로 각각 2.1, 1.7mol/UOD.hr 이었으며, 비 처리균에서는 1.6mol/UOD.hr였다. 3. 발효중 산소의 용량계수는 guaiacol 처리균이 0.28/hr, o-vanillin 처리균이 0.40/hr였으며 비 처리균에서는 0.20/hr로서 o-vanillin 처리때가 가장 컸다. 4) Brevibacterium flavum의 개스교환배율은 guaiacol 300ppm의 존재시 0.85, o-vanillin 20ppm의 존재시에는 1.0이 되어 비 처리균의 0.75보다 큼으로서 phenol 유도체의 존재에 의해 RQ가 증가하였다. 5) $5%$의 포도당을 기질로 하여 발효를 행하였을 때 glutamin산의 최고농도에 달하는 시간은 guaiacol 처리 및 o-vanillin 처리때는 각각 52시간과 48시간이었으며 비 처리때에는 56시간이었다. 6) glutamin산 최고농도에 달했을 때의 세균농도는 guaiacol 처리균, o-vanillin 처리균, 비 처리균의 순서로 8.91, 9.41 UOD/ml 및 8.82 UOD/ml이었다. 7) $5\%$의 포도당은 기질로 했을 때 축적되는 glutamin산의 포도당에 대한 전이비율을 guaiacol 처리균에서는 $25\%$, o-vanillin 처리균에서는 $28.5\%$, 비 처리균에서는 $14.0\%$의 전이율을 나타내었다. 8) phenol유도체 처리로 발효능이 증가되는 현상이 phenol 유도체가 산소와 전자이동착체를 형성하여 원골한 산소공급을 배양계에 해주는 때문이라 생각된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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