• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제2권2호
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• pp.93-96
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• 2004

The a-Si:H TFT using ferroelectric of $SrTiO_3$ as a gate insulator is fabricated on glass. Dielectric characteristics of ferroelectric are superior to $SiO_2$ and $Si_{3}N_{4}$. Ferroelectric increases on-current, decreases threshold voltage of TFT and also improves breakdown characteristics. The a-SiN:H has optical band gap of 2.61 eV, retractive index of 1.8∼2.0 and resistivity of $10^{13}$~$10^{15}$ $\Omega$cm, respectively. Insulating characteristics of ferroelectrics are excellent because dielectric constant of ferroelectric is about 60∼100 and breakdown strength is over 1MV/cm. TFT using ferroelectric has channel length of 8∼20 $\mu\textrm{m}$ and channel width of 80∼200 $\mu\textrm{m}$. And it shows that drain current is 3.4$\mu\textrm{A}$ at 20 gate voltage, $I_{on}$/$I_{off}$ is a ratio of $10^5$~$10^8$ and $V_{th}$ is 4∼5 volts, respectively. In the case of TFT without ferroelectric, it indicates that the drain current is 1.5 $\mu\textrm{A}$ at 20 gate voltage and $V_{th}$ is 5∼6 volts. With the improvement of the ferroelectric thin film properties, the performance of TFT using this ferroelectric has advanced as a gate insulator fabrication technology is realized.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권4호
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• pp.66-69
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• 2017

Physically implanted surface islands of Nano Carbon Tube (NCT) and ${\alpha}-F_2O_3$ particles have been produced on Al-doped ZnO (AZO)/glass surfaces by simple and direct ND:YAG laser beam irradiation. Sheet resistance of the reconstructed surface increased by about 3.6% of over AZO. Minimal surface damage can be repaired by ND:YAG laser beam irradiation in conjunction with proper impurities. Implanted islands of NCT, which are considered to be a good conductive impurity, on AZO increased the sheet resistance by about 1.8%, while implanted islands of ${\alpha}-F_2O_3$, an insulating impurity, on AZO increased sheet resistance by about 129% compared with a laser beam treated AZO. This study provides insight regarding surface implantations of nanowires and micro-circuits, doping effects for semiconductors and optical devices, surface area and impurity effects for catalysis.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.61-66
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• 2007

A transmission class high-temperature superconducting(HTS) power cable system is being developed in Korea. For insulation design of this cable the grading method of insulating paper is proposed. Two kinds of laminated polypropylene paper that has different thickness has been used as the electrical insulation material. The use of graded insulation gives improved mechanical bending properties of the cable. In a HTS cable technology the terminations are important components. A HTS cable termination is energized with the line-to-ground voltage between the coaxial center and outer surrounding conductors. in the axial direction. There is also a temperature difference from ambient to about 77 K. For insulation design of this termination, glass fiber reinforced plastic(GFRP) was used as the insulation material of the termination body, and the capacitance-graded method is proposed. This paper will report on the experimental investigations on impulse breakdown and surface flashover characteristics of the insulation materials for insulation design of a transmission class HTS power cable and termination. Based on these experimental data, the electrical insulation design of a transmission class HTS power cable and termination was carried out.

• 한국건축시공학회:학술대회논문집
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• 한국건축시공학회 2018년도 춘계 학술논문 발표대회
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• pp.277-278
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• 2018

Improvement of insulation performance of buildings is a major part. Adiabatic method The adiabatic method minimizes the heat loss of the building. External insulation uses insulation to prevent fire. Ambient air hazards are less prone to fire. When a fire occurs, a phenolic pattern is formed and bond strength with the wall increases. EPS insulation and phenol foam were used to compare external heat transfer and external heat transfer. The heat transfer properties of phenolic foam and styrofoam were evaluated as follows. In the mortar and styrofoam structure, the problem of styrofoam reaching the burning point occurred before the collapse of the mortar, and the phenol foam had a problem in that when the direct fire was continued on the phenol foam. The characteristics of continuous infiltration appeared. In the case of mortar and phenol foam + styrofoam, the heat penetrated into the interior due to the shrinkage due to the shrinkage of the carbon screen on the phenol foam. However, when reinforced with glass mesh on the outer surface, And to reduce infiltration.

• Journal of Ceramic Processing Research
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• 제23권4호
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• pp.535-540
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• 2022

Atmospheric pressure plasma (APP) systems operate at atmospheric pressure and low temperatures, eliminating the need forvacuum systems such as vacuum chambers and pumps. In this paper, we studied that silicon dioxide thin films were formedat room temperature (25 oC) and 400 oC by APP processes on silicon wafers. A mixture of hexamethyldisilazane, oxygen,helium, and argon was supplied to the plasma apparatus to form the SiO2 layer. It was observed that a heat insulating layerhaving a thickness of about 22 nm at 25 oC and about 75 nm at 400 oC was formed. Although the surface was clean in samplestreated at 400 oC, small grains were observed in samples processed at room temperature. However, no void or defect in allsamples is observed inside the thin film from the surface. The physical property of the SiO2 thin film carried out by measuringrefractive index and density. The experimental refractive index of silicon dioxide grown by applying heat can be fitted to theSellmeier equation. Also, the film density of the sample at 400 oC using a XRR was observed to be 2.25 g/cm3, similar to thatof the glass, but that of the sample treated at room temp. was very low at 1.68 g/cm3. We also investigated the voltagedependentcurrent change in the oxide material. The SiO2 layer coated at room temperature showed a breakdown electricalfield of 2.5 MV/cm, while oxides deposited at 400 oC showed a characteristic of 9.9 MV/cm.

• 한국음향학회지
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• 제42권5호
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• pp.412-421
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• 2023

초음파 뇌 자극술을 통하여 뇌 심부의 국소 지역에 있는 뇌 세포의 활성화를 유도할 수 있으며, 이를 통하여 저하된 뇌 기능을 치료하는데 효과가 있음이 보고되어 왔다. 반면, 초음파 자극의 종류에 따라 신경 변조의 효율과 방향이 달라질 수 있음이 알려져 있어, 적절한 초음파 자극의 종류를 확립하는 연구가 중요하다. 따라서, 본 논문에서는 이를 효과적으로 최적화 하기 위해 세포 배양시 사용되는 커버슬립 기반의 초음파 변환자를 제안하고자 한다. 균일한 초음파 자극을 전도하기 위해서 폴리머 압전소자(Poly-vinylidene fluoride-trifluorethylene, PVDF-TrFE)를 스핀 코팅하고 패를린 절연층을 상단에 적층시켜 음압 출력을 극대화 시켰다. 개발된 초음파 변환자 융합 커버슬립은 초음파자극기 표면에 배양된 수십개의 신경세포에 균일하고 정확한 초음파 자극을 전달 할 수 있고, 자극에 따른 세포의 반응을 형광 현미경으로 실시간 관찰 가능하다. 따라서, 동일한 초음파 자극에 대한 세포의 반응 신호를 최대 수십개 세포로부터 동시에 획득 가능하므로, 반응 신호를 평균 한다면 낮은 강도의 초음파 자극에 따른 뇌 세포의 미세한 반응을 검출할 수 있을 뿐만 아니라, 초음파 변환자와 물의 표면 등에서 발생하는 정현파에 의한 자극의 왜곡 현상을 줄일 수 있어서 사용자가 원하는 초음파 자극을 정확하게 세포로 전달 가능하다. 이렇게 개발된 초음파 변환자를 통해 변환자 표면에 배양된 별세포에서 6 MHz, 0.2 MPa의 저강도 초음파 자극에 의해 유도된 칼슘 반응을 성공적으로 관찰할 수 있었다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제39권11호
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• pp.1175-1181
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• 2015

일반적으로 산업현장에서 많이 사용되고 있는 단열재는 유리섬유와 같은 열전도도가 낮은 재료를 사용함으로써 단열성능을 확보하고 있다. 이와 달리 원전용 금속단열재의 경우 높은 열전도도를 가진 TP 304 스테인리스 박판을 재료로 한정하고 있어 단열성능을 확보하기 위해서는 구조적 측면에서의 접근이 필요하다. 본 연구에서는 금속단열재 내부구조에 대한 설계인자를 전도, 대류, 복사로 구성된 3가지 열전달 모드를 고려해 추출하고 각 인자들이 열전달에 미치는 영향과 각각의 열전달이 전체 열전달에 차지하는 비율을 열 유동해석을 이용하여 파악하고자 하였다. 본 연구를 통해 단열재 내부에서 발생되는 대류현상을 최소화하기 위해 다수의 박판을 삽입함과 동시에 증가하는 전도 비율을 비교하여 내부형상결정을 위한 세 가지 열전달 모드 하에서의 단열성능을 분석하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권4호
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• pp.95-99
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• 2018

최근 고집적 고출력 전자 패키지의 효율적인 열전달을 위한 기판 및 방열소재로서 절연성 고열전도 필름의 수요가 커지고 있어, 알루미나, 질화알루미늄, 질화보론, 탄소나노튜브 및 그래핀 등의 고열전도 필러소재를 사용한 고방열 복합소재에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다. 그 중에서도 육방정 질화보론(h-BN) 나노시트가 절연성 고열전도 필러 소재로서 유력한 후보 물질로 선택되고 있다. 본 연구는 이 h-BN 나노시트와 PVA로 된 세라믹/폴리머 복합체 필름의 방열특성 향상에 관한 것이다. h-BN 나노시트는 h-BN 플레이크 원료 분말을 유기용매를 사용한 볼밀링과 초음파 처리에 의한 물리적 박리공정으로 만들었으며, 이를 사용한 h-BN/PVA 복합 필름을 제조한 결과 성형된 복합필름의 면방향과 두께방향 열전도도는 50 vol%의 필러함량에서 각각 $2.8W/m{\cdot}K$ 및 $10W/m{\cdot}K$의 높은 열전도도가 나타났다. 이 복합필름을 PVA의 유리전이온도 이상에서 일축 가압하여 h-BN 판상분말의 얼라인먼트를 향상시킴으로써 면방향 열전도도를 최대 $13.5W/m{\cdot}K$까지 증가시킬 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권4호
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• pp.1298-1302
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• 2011

This study describes the development of an electrochemical array immunochip for the detection of IgG. Interdigitated immunochip platforms were fabricated by sputtering gold on a glass wafer by using MEMS process and then were coated with Eudragit S100, an enteric polymer, forming an insulating layer over the working area of immunochips. The breakdown of the polymer layer was exemplified by the catalytic action of urease which, in the presence of urea, caused an alkaline pH change. This subsequently caused an increase of the double layer capacitance of the underlying electrode. Used in conjunction with a competitive immunoassay format, this allowed the ratio of initial to final electrode capacitance to be directly linked with the concentration of analyte, i.e. IgG. Responses to IgG could be detected at IgG concentration as low as $250\;ngmL^{-1}$ and showed good linearity up to IgG concentration as high as $20\;{\mu}gmL^{-1}$.

• 한국자기학회지
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• 제13권3호
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• pp.91-96
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• 2003

본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터를 사용하여 Cr/Co/Al-Ox/Co/Ni-Fe 다층박막에 다양한 두께의 Cr 하지층을 삽입함에 따른 자기적 특성 및 전기적 특성에 관하여 연구하였다. 3 nm 두께의 Cr 하지층 증착시 자기저항비의 변화는 관찰할 수 없었고 적정한 Cr두께가 증가함에 따라 Co의 보자력이 크게 증가되었다 또한, 산화시간이 길수록 두 강자성층간에 보자력 차이 및 절연층의 저항이 점차 증가하였는데, 이는 산화시간에 따라 상부층 계면의 평탄성의 증가에 기인하는 것으로 생각되며 TEM을 통하여 확인할 수 있었다. Cr 하지층 유무에 관계없이 최고 자기저항비가 나타나는 절연층의 산화시간은 60~70초로 비슷하였지만 Cr 두께가 증가할수록 자기저항비는 감소하였다. 이는 전극간 계면의 거칠기의 증가로 인해 미반응 Al의 잔존 확률이 상대적으로 커짐에 따라 터널 전자의 산란이 증가함으로써 나타나는 것으로 생각된다. 이러한 결과로 Cr하지층의 두께는 3 nm로 고정하였으며 하지층의 증착 및 적정산화를 통하여 두 강자성층간에 큰 보자력 차이를 유도할 수 있었다. 이는 재현성에 있어서 가장 큰 문제점을 지닌 TMR 소자에 매우 긍정적인 해결방안을 제시할 수 있게 된다.̄