• 대한전자공학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.929-935
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• 1986

In this paper, we describe the physical modelling and numerical aspects of a program called PRECISE(Program for Efficient Calculation of Impurity Profile in Semiconductor by Elimination) which calcualtes a two-dimensional impurity profile in silicon due to diffusion and ion implantation steps. The PRECISE enables rapid prediction of the two-dimensional impurity profile near the mask edge-or the bird's beak during the local oxidation process. This has been developed by modifying the existing one-dimentional simulator, DIFSIM(DIFfusion SIMulator to include models for arsenic diffusion and emitter dip effect which were found out to agree fairly well with the xperimental data.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.58-64
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• 1984

이온주입형 E-IGFET에서 이온주입층내 불순물 profile을 임의의 형태로 가정하였으며, 가정한 불순물 profile을 이용하여 threshold 전압에 대한 간단한 model을 유도하였다. 유도한 model을 이용하여 Gaus-sian-profile일 때의 threshold 전압치를 구하였고, 실제의 측정 data와 비교하였을 때 일치함을 확인할 수 있었다. 더불어, box-profile일 때의 threshold 전압치의 오차를 계산해 보았다. 또한, substrate-bias에 의한 threshold 전압의 변화를 simulation하였으며. 계산과정에서 이온주입층의 깊이 D를 구하는 새로운 방법을 제시하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.51-58
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• 1985

Ion-implanted E-IGFET의 도핑 profile을 임의로 가정하여 threshold 전압을 구하였고. short-channoel에 적용할 때 correction factor K의 개념을 사용하였다. Threshold전압의 이론치는 실험치와 잘 일치하였고, 또한 I-V특성도 실험치와 잘 일치하였다. 아울러 이 program을 package화 하여 실용화시켰다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권1호
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• pp.18-22
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• 2005

We developed a new systematic calibration procedure and applied it to the calibration of the diffusivity, segregation and TED model of the indium impurity. The TED of the indium impurity was studied under 4 different experimental conditions. Although the indium proved to be susceptible to the TED, the RTA was effective in suppressing the TED effect and in maintaining a steep retrograde profile. Just as in the case of boron, indium demonstrated significant oxidation-enhanced diffusion in silicon and its segregation coefficients at the Si/SiO₂ interface were significantly below 1. In contrast, the segregation coefficient of indium decreased as the temperature increased. The accuracy of the proposed technique has been validated by SIMS data and 0.13-㎛ device characteristics such as Vth and Idsat with errors less than 5% between simulation and experiment.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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• pp.370-374
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• 1988

This paper is concerned with the investigation of the impurity redistribution process in a two step diffusion. In integrated circuit technology, two step boron diffusion involving a deposition step followed by a drive-in step in commonly encounted. The drive-in process is usually performed in oxidizing atmosphere resulting in redistribution of impurity (boron) within the semiconductor. This paper proposes a new numerical analysis method; Bounary Element Method to determine impurity profile at the arbitrary point in domain by its coordinate and boundary value.

• 한국진공학회지
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• 제12권S1호
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• pp.63-66
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• 2003

It is experimentally shown that a $TiO_2$ film on Si(111) substrate was prepared by using the technique of D.C. reaction sputter deposition with $Ar^{+}$ ion beam bombardment, and a layer-like structure was observed from the depth profile of the interface between $TiO_2$ film and Si substrate with Scanning Electron Microscopy and Electron Probe. It was also surprisingly discovered that Ti atoms could be detected at about 9 $\mu$m depth. The $TiO_2$-Si interface bombarded by $Ar^{+}$ ion beams revealed multi-layer structures, a mechanism might be caused by defect diffusion, impurity and matrix relocation. Multi-relocations of impurity and matrix atoms were as a result of profile broadening of the $TiO_2$-Si interface, and the spread due to matrix relocation in this system is shown to exceed much more the spread due to impurity relocation.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.95-102
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• 1985

반도체 내에서의 불순물 분포를 구하기 위한 2차원 확산문제를 푸는 효과적인 수치 해법을 제시하였다. ADI(Alternating Direction Implicit) 방법과 Gauss 소거법의 조합에 의한 수치해법을 사용하므로써 SOR(Successive Over-Relaxation)이나 stone 방법에 비하여 전산기의 메모리 사용량을 중가시키지 않 고도 거의 모든 확산 조건에 대하여 CP비시간을 1/3 이하로 줄일 수 있었다. 상대오차의 크기를 0.01%이내로 하고 1차원과 2차원 문제에 대하여, 여러가지 수치해법의 CPU를 비교하였다. 1차원 계산결과와 실험결과가 잘 일치하였고, 2차원 계산결과를 1차원 계산결과와 잘 비교한 결과, 일치함을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.17-26
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• 1984

Predeposition, 질소분위기 drive-in과 산소분위기 drive-in 공정에 의한 실리콘내에서의 boron과 Phosphorus의 일차원적 분포를 implicit 방법과 SOR(successive over-relaxation)방법을 이용하여 산출해 내는 컴퓨터 프로그램 (DIFSIM)을 작성하였다. 확산공정의 모델로는 vacancy mechanism을 사용하였으며, 특히 phosphorus의 경우에는 Fair와 Tsai의 이론을 이용하였다. 불순물 농도에 따른 산화막의 성장속도는 vacancy mechanism에 의하였으며, 산화에 의한 확산공정에의 영향(OED ; oxidation-enhanced diffusion)은 Watkins replacement mechanism으로 modelling하였다. DIFSIM을 이용한 결과는 실험결과와 상당히 잘 일치하였으며, SUPREM II외 결과와도 비교하여 보았다.

• KSBB Journal
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• 제15권5호
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• pp.537-540
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• 2000

일반적으로 paclitaxel과 유사한 구조를 가진 복잡한 유도체의 분리나 최종 제품에서의 엄격한 규정 등으로 인하여 한 단계의 HPLC system으로 정 제하는 것은 상당히 어렵다. 이러한 이유로 두 단계 HPLC system으로 식물세포 배양액으로 부터 paclitaxel의 대량 정제를 수행하였다. 즉, 첫번째 단계에 서 reverse-phase HPLC column, 두번째 단계에서 normal­p phase HPLC column을 사용하여 최종 제품을 얻었다. 또한 최종 정 제 된 paclitaxel 내 에 포함되어 있는 불순물 profile 확 언, 함량 분석, 그리고 이들 물질들에 대한 분리, 정제 및 동 정을 실시하였다 이들 불순물들 중에서 0.1% 이상되는 것은 모두 6종 (side chain derivative, baccatin III, 10-deacetyltaxol, cephalomannine, taxane derivative, 7-epitaxol)이며 NMR과 MS를 사용하여 화학구조를 분석한 결과 이미 알려진 pacli­t taxel 유도체 또는 전구체와 동일한 물칠로 밝혀 졌다. 본 연구 결과는 결국 paclitaxel 생산을 위한 품질관리 (quality con­t tr이)와 허가를 위한 자료로 유용하게 사용되어 진다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권6호
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• pp.211-214
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• 2004

We developed a new systematic calibration procedure which was applied to the calibration of the diffusivity, segregation and TED model of the indium impurity. The TED of the indium impurity has been studied using 4 different groups of experimental conditions. Although the indium is susceptible to the TED, the RTA is effective to suppress the TED effect and maintain a steep retrograde profile. Like the boron, the indium shows significant oxidationenhanced diffusion in silicon and has segregation coefficients at the $Si/SiO_2$ interface much less than 1. In contrast, however, the segregation coefficient of indium decreases as the temperature increases. The accuracy of the proposed technique is validated by SIMS data and $0.13 {\mu}m$ device characteristics such as $V_{th}$ and $Id_{sat}$ with errors less than $5 \%$ between simulation and experiment.