• 제목/요약/키워드: hysteresis curves

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작동기 히스테리시스를 고려한 유연피에조빔의 위치추적제어 (Position Tracking Control of Flexible Piezo-beam Considering Actuator Hysteresis)

  • 프엉박;최승복
    • 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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    • 한국소음진동공학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.415-420
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    • 2009
  • This paper presents a position tracking control of a flexible beam using the piezoelectric actuator. This is achieved by implementing both feedforward hysteretic compensator of the actuator and PID feedback controller. The Preisach model is adopted to develop the feedforward hysteretic compensator. In the design of the compensator, estimated displacement of the piezoceramic actuator is used on the basis of the limiting triangle database that results from collecting data of the main reversal curve and the first order ascending curves. Experimental implementation is conducted for position tracking control and performance comparison is made between a PID feedback controller without considering the effect of hysteresis, and a PID feedback controller integrated with the feedforward hysteretic compensator.

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A Improved Method of Determining Everett Function with Logarithm Function and Least Square Method

  • Hong, Sun-Ki
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제22권7호
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    • pp.16-21
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    • 2008
  • For Preisach model, Everett function from the transient curves is needed to simulate the hysteresis phenomena. However it becomes very difficult to get the function if the it would be made only from experiments. In this paper, a simple and stable procedure using least square method and logarithm function to determine the Everett function which follows the Gauss distribution for interaction field axis is proposed. The characteristics of the parameters used in this procedure are also presented. The proposed method is applied to implement hysteresis loops. The simulation for hysteresis loop is compared with experiments and good agreements could be shown.

PLZT 세라믹의 전기광학 특성 (Electrooptic Characteristics of PLZT Ceramics)

  • 박창엽;박태곤;정익채
    • 대한전기학회논문지
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    • 제34권10호
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    • pp.399-406
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    • 1985
  • In this paper transparent PLZT ceramics for the composition of 9/65/35 (La/Zr/Ti ) are fabricated using hotpress and the possibility of application to optical shutter is examined by obtaining the On-Off characteristics of specimens. The ferroelectric E-P hysteresis loop exhibits slim loop suitable for the quadratic electrooptic effect. Measurements of the electrooptic effect show that specimens have the quadratic electrooptic effect but the light intensities as functions of electric field exhibit butterfly type hysteresis curves because of its slightly large saturation remanent polarization and coercive field. On-Off characteristics are obtained by electric fields of-6 kv/cm and +2kv/cm. As a result of experiments, 9/65/35 PLZT ceramics can be applied to optical shutter but construction with other composition which has more slim hysteresis loop is desired for obtaining the Off state by zero electric field.

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CVD증착에 의한 인버티드 스태거형 TFT의 전압 전류 특성 (Current and voltage characteristics of inverted staggered type amorphous silicon thin film transistor by chemical vapour deposition)

  • 이우선;박진성;이종국
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권10호
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    • pp.1008-1012
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    • 1996
  • I-V, C-V characteristics of inverted staggered type hydrogenerated amorphous silicon thin film transistor(a-Si:H TFT) was studied and experimentally verified. The results show that the log-log plot of drain current increased by voltage increase. The saturated drain current of DC output characteristics increased at a fixed gate voltage. According to the increase of gate voltage, activation energy of electron and the increasing width of Id at high voltage were decreased. Id saturation current saturated at high Vd over 4.5V, Vg-ld hysteresis characteristic curves occurred between -15V and 15V of Vg. Hysteresis current decreased at low voltage of -15V and increased at high voltage of 15V.

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Ge 나노입자가 형성된 MOS 캐패시터의 캐패시턴스와 전압 특성 (Capacitance-Voltage Characterization of Ge-Nanocrystal-Embedded MOS Capacitors)

  • 박병준;최삼종;조경아;김상식
    • 전기전자학회논문지
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    • 제10권2호통권19호
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    • pp.156-160
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    • 2006
  • Al2O3 층의 유무에 따른 Ge 나노입자가 형성된 MOS 구조의 캐패시터의 전압에 대한 캐패시턴스 (C-V)의 특성을 측정하였다. Al20O층이 형성된 MOS 캐패시터의 C-V 곡선은 전압의 변화에 대해 나타나는 반시계 방항의 히스테리시스 특성은 Si 기판과 Ge 나노입자 사이를 전자가 터널링하여 Ge 나노입자에 저장되었기 때문이다. Al2O3 층이 없는 MOS 캐패시터의 경우, 시계 방향의 히스테리시스 특성과 좌측으로 이동한 플랫-밴드 전압 값을 볼 수 있다. 이것은 SiO2 층에 존재하는 산소 결원 (oxygen vacancy) 으로 인한 전하 트랩이 이러한 특성을 나타냈다 할 수 있다. 또, 백색광이 C-V 특성에 미치는 영향에 대하여 논하였다.

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디스크 스프링의 적층 배열에 따른 완충장치의 감쇠에 관한 연구 (On the Damping of A Shock Absorption Device Composed of Disk Spring Stacks)

  • 최명진;고석훈
    • 한국가스학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.46-51
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    • 2008
  • 본 연구에서는 비선형 디스크 스프링과 고무링으로 구성된 완충장치의 감쇠에 관하여 연구하였다. 고무링의 마찰력과 디스크 스프링의 이력현상을 측정하여, 디스크 스프링의 적층 배열에 따른 이력곡선을 근사하고, 소산되는 에너지의 양을 추산하였다. 마찰력과 소산 에너지에 근거하여 네 종류의 감쇠 해석모델을 제시하였으며, 각각의 모델에 대한 충격응답을 고찰하였다. 고무링의 마찰력보다는 디스크 스프링의 이력현상이 완충장치의 감쇠거동에서 더 큰 영향을 미치었다. 가장 실용적인 감쇠 모델로는 소산되는 총 에너지의 양에 근거한 등가 점성 감쇠 모델이 다른 감쇠 모델보다 적합하다는 결론을 얻었다.

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기존 철근콘크리트 골조의 반복거동 예측을 위한 이력모델 (Hysteresis Model for the Cyclic Response of Existing Reinforced Concrete Frames)

  • 손주기;이창환
    • 한국공간구조학회논문집
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    • 제20권3호
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    • pp.81-89
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    • 2020
  • As the damage caused by earthquakes gradually increases, seismic retrofitting for existing public facilities has been implemented in Korea. Several types of structural analysis methods can be used to evaluate the seismic performance of structures. Among them, for nonlinear dynamic analysis, the hysteresis model must be carefully applied because it can significantly affect the behavior. In order to find a hysteresis model that predicts rational behavior, this study compared the experimental results and analysis results of the existing non-seismic reinforced concrete frames. For energy dissipation, the results were close to the experimental values in the order of Pivot, Concrete, Degrading, and Takeda models. The Concrete model underestimated the energy dissipation due to excessive pinching. In contrast, the other ones except the Pivot model showed the opposite results with relatively little pinching. In the load-displacement curves, the experimental and analysis results tended to be more similar when the column axial force was applied to columns.

시험도로 노상토의 불포화 함수특성 및 이력현상 (Soil-Water Characteristics and Hysteretic Behaviors on Unsaturated Pavement Subgrades in Test Roads)

  • 박성완;신길호;김병수
    • 한국도로학회논문집
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    • 제8권2호
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    • pp.95-104
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    • 2006
  • 일반적으로 도로의 하부인 노상층은 불포화토 상태로 존재하기 때문에 함수비의 변동을 예측하기 위해서는 불포화 함수특성곡선(soil-water characteristic curve)의 추정은 필수적이다. 따라서, 국내 대표적인 노상토인 다짐된 화강풍화계열 노상토를 대상으로 함수특성을 정량화하기 위하여 pressure plate 장치를 활용하여 건조 및 습윤 이력과정의 실험을 각각 수행한 후 이를 토대로 불포화토 함수특성에 대한 해석을 수행하였다. 실험결과, 화강 풍화 노상토의 함수비를 좌우하는 흡수력이 건조와 습윤 과정에 있어 서로 다른 수치를 나타내었고 흡수력에 따른 불포화 투수계수와 습윤용적 그리고 확산 등의 흐름특성을 통하여 이력(hysteresis)을 확인하였다. 이를 토대로 도로하부의 연중흡수력을 추정하였다.

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함수특성곡선 이력현상이 지반 내 모관흡수력에 미치는 영향 (Effect on Matric Suction in Soils due to Hysteretic Soil Water Characteristic Curves)

  • 김재홍;황웅기;송영석;김태형
    • 한국지반공학회논문집
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    • 제28권4호
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    • pp.91-100
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    • 2012
  • 부분포화토의 물리적 특징 중 하나인 함수특성곡선(soil-water characteristic curve)은 모관흡수력과 체적함수비의 관계를 나타낸다. 함수특성곡선은 지반의 습윤과정과 건조과정의 이력현상을 보여줄 수 있으나, 일반적으로 함수특성 곡선을 표현하는 방법은 이러한 이력현상을 무시한다. 또한 함수특성곡선의 고유한 형태는 흙의 간극비와 토립자들의 변형을 유발할 수 있는 외부의 여러 가지 하중들에 의해 언제든지 변화될 수 있다. 그러므로 여러 흙들이 가지고 있는 함수특성곡선과 토립자들 변형 사이의 관계에 대해서 실험적인 측면과 해석적인 측면의 차이점에 대해 이해가 필요하다. 실험적으로 1차 건조과정, 습윤과정 그리고 2차 건조과정으로 그려지는 전형적인 함수특성곡선들이 얻어진다. 이러한 이력현상을 갖는 함수특성곡선에서 습윤과정의 실험은 어려운 시험방법과 많은 시간소요가 필요하기 때문에 일반적으로 첫 번째 건조과정의 실험 결과를 불포화 투수계수와 전단강도 함수를 예측하기 위한 부분포화토의 물리적 특성으로 결정한다. 본 연구는 화강풍화토와 실트질 흙을 대상으로 유한요소해석 프로그램을 이용하여 부분포화토의 중요한 물리적 특성을 갖는 함수특성곡선의 1차 건조과정과 습윤과정 차이인 흙의 체적 변형과 이력현상에 대한 수리학적-역학적 흙의 거동특성을 비교 검토하였다.

Capacitance-voltage Characteristics of MOS Capacitors with Ge Nanocrystals Embedded in HfO2 Gate Material

  • Park, Byoung-Jun;Lee, Hye-Ryeong;Cho, Kyoung-Ah;Kim, Sang-Sig
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권8호
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    • pp.699-705
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    • 2008
  • Capacitance versus voltage (C-V) characteristics of Ge-nanocrystal (NC)-embedded metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with $HfO_2$ gate material were investigated in this work. The current versus voltage (I-V) curves obtained from Ge-NC-embedded MOS capacitors fabricated with the $NH_3$ annealed $HfO_2$ gate material reveal the reduction of leakage current, compared with those of MOS capacitors fabricated with the $O_2$ annealed $HfO_2$ gate material. The C-V curves of the Ge-NC-embedded MOS capacitor with $HfO_2$ gate material annealed in $NH_3$ ambient exhibit counterclockwise hysteresis loop of about 3.45 V memory window when bias voltage was varied from -10 to + 10 V. The observed hysteresis loop indicates the presence of charge storages in the Ge NCs caused by the Fowler-Nordheim (F-N) tunneling. In addition, capacitance versus time characteristics of Ge-NC-embedded MOS capacitors with $HfO_2$ gate material were analyzed to investigate their retention property.