• 제목/요약/키워드: hspice

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저 전력용 논리회로를 이용한 패리티체커 설계 (A Design of Parity Checker/Generator Using Logic Gate for Low-Power Consumption)

  • 이종진;조태원;배효관
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제38권2호
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    • pp.50-55
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    • 2001
  • 저 전력을 소모하는 새로운 방식의 논리회로를 설계하여 이의 성능실험을 위해 패리티체커를 구성하여 시뮬레이션 하였다. 기존의 저전력 소모용으로 설계된 논리회로(CPL, DPL, CCPL 등)들은 패스 트랜지스터를 통과하면서 약해진 신호를 풀 스윙 시키기 위해서 인버터를 사용하는데, 이 인버터가 전력소모의 주원인이 되고 있음이 본 논문에서 시뮬레이션 결과 밝혀졌다. 따라서 본 본문에서는 인버터를 사용하지 않고 신호를 풀스윙 시킬 수 있는 회로를 고안하였다. 기존의 CCPL게이트로 구성한 패리티체커에 비해 본 논문에서 제안한 게이트로 구성된 것이 33%의 전력을 적게 소모하는 것으로 시뮬레이션 결과 나타났다.

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루프 대역폭 조절기를 이용한 빠른 위상 고정 시간을 갖는 이중 루프 위상고정루프 (A Fast Locking Dual-Loop PLL with Adaptive Bandwidth Scheme)

  • 송윤귀;최영식
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권5호
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    • pp.65-70
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    • 2008
  • 본 논문에서는 루프 대역폭을 조절하여 빠른 위상 고정 시간을 갖는 새로운 구조의 이중 루프 위상고정루프를 제안하였다. 위상고정루프가 out-lock 상태일 때는 채널 간격의 1/10보다 더 큰 대역폭을 갖도록 하였으며, in-lock 부근에서는 채널 간격의 1/10 보다 더 작은 좁은 대역폭을 갖도록 하였다. 제안된 위상고정루프는 표준 CMOS $0.35{\mu}m$ 공정으로 HSPICE를 이용하여 설계 하였다. 시뮬레이션 결과 PLL의 대역폭을 200KHz 채널 간격 보다 14배 크게 하여 80MHz의 주파수를 변화시키는데 $50{\mu}s$의 빠른 위상고정 시간을 갖는 것으로 나타났다.

ADSL 송수신단용 저역통과 능동필터 설계 (A Design of Lowpass Active Filter for ADLS Tx/Rx Stage)

  • 이근호
    • 한국음향학회지
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    • 제24권1호
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    • pp.38-42
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    • 2005
  • 기존의 음성신호와 다른 주파수 대역을 사용하여 데이터 통신이 가능한 ADSL 모뎀 송수신단의 CMOS 아날로그 저역 능동필터를 각각 설계하여 제안하였다. 설계된 필터는 2.5V의 저전압 동작이 가능하며, 각각의 설계사양에 따라 송신단에서는 138kHz의 차단주파수값을 갖는 저역통과 능동필터가 수신단에서는 1,100kHz의 차단주파수 특성을 갖는 저역통과능동필터가 설계 되었다. 이득과 단위이득주파수 특성 면에서 개선된 high-swing cascode방식의 저전압 능동소자가 필터를 설계하기 위한 기본 블록으로 이용되었다. 제안된 소자와 설계 제안된 필터는 $0.251{\mu}m\;CMOS\;n-well$ 공정 파라미터를 이용하여 그 특성이 검증되었다.

Design of a CMOS On-chip Driver Circuit for Active Matrix Polymer Electroluminescent Displays

  • Lee, Cheon-An;Woo, Dong-Soo;Kwon, Hyuck-In;Yoon, Yong-Jin;Lee, Jong-Duk;Park, Byung-Gook
    • Journal of Information Display
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    • 제3권2호
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    • pp.1-5
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    • 2002
  • A CMOS driving circuit for active matrix type polymer electroluminescent displays was designed to develop an on-chip microdisplay on the single crystal silicon wafer substrate. The driving circuit is a conventional structure that is composed of the row, column and pixel driving parts. 256 gray scales were implemented using pulse amplitude modulation method. The 2-transistor driving scheme was adopted for the pixel driving part. The layout was carried out considering the compatibility with the standard CMOS process. Judging from the layout of the driving circuit, it turns that it is possible to implement a high-resolution display about 400 ppi resolution. Through the HSPICE simulation, it was verified that this circuit is capable of driving a VGA signal mode display and implementing 256 gray levels.

Ternary Content Addressable Memory with Hamming Distance Search Functions

  • Uchiyama, Hiroki;Tanaka, Hiroaki;Fukuhara, Masaaki;Yoshida, Masahiro;Suzuki, Yasoji
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -3
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    • pp.1535-1538
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    • 2002
  • The flexibility of content addressable mem-ory (CAM) can greatly be extended through the use of trits (ternary digits) Trits consist of binary logical values “0” and “1” with addition of “x” (“dont’t care”). The “dont’t care“is extremely useful for providing com- pact representation of sets of bit strings. In this paper, we propose a new ternary CAM with Hamming distance search functions. Each memory cell in the CAM consists of a pair of lambda diodes which can store trits, namely, a logical “0”, “1” and “x” (“dont’t care“). The CAM can compare stored data and an input data in parallel, and find stored data with Hamming distance within a certain range (“near match“). Also, the interrogation characteristics of the ternary CAM are analyzed in detail. Furthermore, the results obtained these analyses are fully confirmed by simulation using the circuit analysis program HSPICE.

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유기 박막 트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상하기 위한 새로운 구조의 AMOLED 화소 회로에 관한 연구 (A New AMOLED Pixel Circuit Compensating for Threshold Voltage Shift of OTFT)

  • 최종찬;심아람;이재인;윤봉노;성만영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.95-96
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    • 2008
  • A new voltage-driven pixel circuit using soluble-processed organic thin film transistors (OTFTs) for an active matrix organic light emitting diode (AMOLED) is proposed. The proposed circuit is composed of four switching TFTs, one driving TFT and one storage capacitor. The proposed circuit can compensate for the degradation of OLED current caused by the threshold voltage shift of the OTFT. The simulation results show that the variation of OLED current corresponding to a 3V threshold voltage shift is decreased by 30% compared to the conventional 2TlC structure.

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개선된 동작 주파수 특성을 갖는 차동 전압 클램프 VCO 설계 (A Design of Differential Voltage Clamped VCO for Improved Characteristics of Operating Frequency)

  • 김두곤;오름;우영신;성만영
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.3181-3183
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    • 2000
  • As the fact that the simple data of text and sound in early year have been changed to be high quality images and sounds. PLL(Phase-Locked Loop) system plays an important role in communication system. VCO(Voltage Controlled Oscillator) is the most important part in PLL system because it can have critical effects on operation of PLL. Recently, it has been raised the necessity of high speed and high accuracy circuit application. In this paper, a new differential voltage clamped VCO using negative-skewed path is suggested. Using a dual-delay scheme to implement the VCO, higher operation frequency and wider tuning are achieved simultaneously. The dual-delay scheme means that both the negative skewed delay paths and the normal delay paths exist in the same ring oscillator. The negative skewed delay paths decrease the unit delay time of the ring oscillator below the single inverter delay time. As a result, higher operation frequency can be obtained. The whole characteristics of VCO are simulated by using HSPICE. Simulation results show that the resulting operating frequencies are 50% higher than those obtainable from the conventional approaches.

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Mutual Information Analysis for Three-Phase Dynamic Current Mode Logic against Side-Channel Attack

  • Kim, Hyunmin;Han, Dong-Guk;Hong, Seokhie
    • ETRI Journal
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    • 제37권3호
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    • pp.584-594
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    • 2015
  • To date, many different kinds of logic styles for hardware countermeasures have been developed; for example, SABL, TDPL, and DyCML. Current mode-based logic styles are useful as they consume less power compared to voltage mode-based logic styles such as SABL and TDPL. Although we developed TPDyCML in 2012 and presented it at the WISA 2012 conference, we have further optimized it in this paper using a binary decision diagram algorithm and confirmed its properties through a practical implementation of the AES S-box. In this paper, we will explain the outcome of HSPICE simulations, which included correlation power attacks, on AES S-boxes configured using a compact NMOS tree constructed from either SABL, CMOS, TDPL, DyCML, or TPDyCML. In addition, to compare the performance of each logic style in greater detail, we will carry out a mutual information analysis (MIA). Our results confirm that our logic style has good properties as a hardware countermeasure and 15% less information leakage than those secure logic styles used in our MIA.

$0.35{\mu}m$ CMOS 공정을 이용한 $32{\times}32$ IRFPA ROIC용 Folded-Cascode Op-Amp 설계 (Folded-Cascode Operational Amplifier for $32{\times}32$ IRFPA Readout Integrated Circuit using the $0.35{\mu}m$ CMOS process)

  • 김소희;이효연;정진우;김진수;강명훈;박용수;송한정;전민현
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2007년도 하계종합학술대회 논문집
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    • pp.341-342
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    • 2007
  • The IRFPA (InfraRed Focal Plane Array) ROIC (ReadOut Integrated Circuit) was designed in folded-cascode Op-Amp using $0.35{\mu}m$ CMOS technology. As the folded-cascode has high open-loop voltage gain and fast settling time, that used in many analog circuit designs. In this paper, folded-cascode Op-Amp for ROIC of the $32{\times}32$ IRFPA has been designed. HSPICE simulation results are unit gain bandwidth of 13.0MHz, 90.6 dB open loop gain, 8 V/${\mu}m$ slew rate, 600 ns settling time and $66^{\circ}$ phase margin.

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링발진기를 이용한 CMOS 온도센서 설계 (Design of CMOS Temperature Sensor Using Ring Oscillator)

  • 최진호
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권9호
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    • pp.2081-2086
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    • 2015
  • 링 발진기를 이용한 온도센서를 공급전압 1.5volts를 사용하여 0.18㎛ CMOS 공정으로 설계하였다. 온도센서는 온도가 변화하더라도 일정한 출력주파수를 가지는 링 발진기와 온도가 증가하면 출력주파수가 감소하는 링 발진기를 이용하여 설계하였다. 온도를 디지털 값으로 변환하기 위해 온도에 무관한 링 발진기의 출력 신호는 카운터의 클럭 신호로 사용하였으며, 온도에 따라 변화하는 링 발진기의 출력신호는 카운터의 인에이블 신호로 사용하였다. 설계된 회로의 HPICE 시뮬레이션 결과 회로의 동작온도가 -20℃에서 70℃까지 변화할 때 온도 에러는 -0.7℃에서 1.0℃ 이내였다.