본 연구는 산화물반도체의 저항을 이용한 메모리소자를 만들기 위해서 $V_2O_5$ 를 산소가스를 이용하여 증착하고 열처리를 하였다. 산소의 유량이 많을수록 산소공공의 형성을 위하여 높은 열처리온도가 필요하였으며, 산소공공은 쇼키접합을 형성하면서 전기적인 특성이 저항성 메모리소자에 적합한 구조로 만들어지고 있었다. $V_2O_5$ 박막은 열에 의한 이온화 반응에 의하여 산소공공이 형성되었으며, 전압 혹은 전류제어 가능한 저항성 메모리 소자를 위하여 쇼키접합이 +전압과 -전압에서 균형있게 이루어지는 것이 요구되며, 쇼키접합은 150도 혹은 200도에서 열처리가 이루어진 경우 쇼키접합이 잘 형성되는 것을 확인할 수 있었다. $V_2O_5$ 음이온인 산소공공은 역방향전압 혹은 순방향 전압인지에 따라서 저항이 변하면서 쓰기/지우기 상태로 전기적인 동작이 이루어졌으며 저항성메모리로서 구동을 하는 것을 확인하였다.
The objective of this study was to prove possible effects of a habitable place for fish around semi-submersible drilling rig which measured underwater radiated noise, irradiance distribution of rig's light and conducted experimental fishing in Malaysia territory and observed for distribution of fishes around the rig by ROV during drilling operation in the East Sea of Korea. As a result underwater radiated noise was $130dB/{\mu}Pa$ from 156.25 to 187.50 Hz, irradiance distribution of light was between 21.5 and 43.1 lx. Despite this result, underwater radiated noise was not a threat to fish around rig and low irradiance distribution of light also played a role in the luring influence of the fishes at night. Fish showed up in the beginning of drilling operation and at the end of drilling operation. However, there are few fish in the midst of drilling operation. The main reason for this result was the destruction of the habitable place due to blow out mud and broken pieces of ground formation in drilling hole. The results are expected to contribute to reasonable fishery management around rig.
PARK HYUN;LEE KI-SEOG;PARK SEON-MI;LEE KWANG-WON;KIM AUGUSTINE YONGHWI;CHI YOUNG-MIN
Journal of Microbiology and Biotechnology
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제15권3호
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pp.587-594
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2005
The contribution of electrostriction of water molecules to the stabilization of the negatively charged tetrahedral transition state of a lipase-catalyzed reaction was examined by means of kinetic studies involving high-pressure and solvent dielectric constant. A good correlation was observed between the increased catalytic efficiency of lipase and the decreased solvent dielectric constant. When the dielectric constant of solvents was lowered by 5.00 units, the losses of activation energy and free energy of activation were 7.92 kJ/mol and 11.24 kJ/mol, respectively. The activation volume for $k_{cat}$ decreased significantly as the dielectric constant of solvent decreased, indicating that the degree of electrostriction of water molecules around the charged tetrahedral transition state has been enhanced. These observations demonstrate that the increase in the catalytic efficiency of the lipase reaction with decreasing dielectric constant resulted from the stabilization of electrostatic energy for the formation of an oxyanion hole, and that this stabilization was caused by the increase of electrostricted water around the charged tetrahedral transition state. Therefore, we conclude that the control of solvent dielectric constant can stabilize the tetrahedral transition state, thus lowering the activation energy.
수조구조의 InGaN LED 소자에 적용이 가능하며 높은 열적안정성을 갖는 저저항 고반사율 p형 오믹 전극을 개발하였다. Ag에 Mg을 첨가하여 p형 전극을 이용하여 $400^{\circ}C$, 공기중에서 1분간 열처리 후 $2.2\;{\times}\;10^{-5}\;{\Omega}cm^2$의 낮은 접촉 저항을 얻을 수 있었고, 460 nm 파장에서 82.6%의 높은 반사율을 획득할 수 있었다. 이는 Mg가 첨가됨에 따라 Ag가 고온에서 집괴되는 원인인 산소-공공 결합을 줄여줌으로써 높은 열적 안정성을 얻게 되었다. Ag를 열처리 할 경우, 외부에 존재하는 산소가 공공 자리에 들어간 후, 산소와 공공의 강한 인력에 의해 산소가 침입형 자리에 들어가서면서 두개의 공공과 강하게 bonding을 갖는 diffusion center가 많이 존재하게 된다. 하지만 Mg가 첨가되었을 경우, Oxygen affinity가 강한 Mg에 산소가 먼저 결합을 이루면서 산소-공공결합을 줄여주게 되어 높은 온도에서도 diffusion이 이루어지지 않고 높은 열적 안정성을 갖게 된다.
선행연구에 의하면 많은 중 고등학교 학생들과 교사들이 용해와 확산, 확산과 분출을 잘 구분하지 못한다고 하므로 본 연구에서는 이 용어들의 정의로부터 각 개념들을 서로 구분하는 것이 가능한지 알아보고자 하였다. 이를 위해 현재 과학자들이 합의하고 있는 것으로 생각되는 용어의 정의를 IUPAC의 Gold Book과 대학 물리화학 교재로부터 조사하여 비교하였다. 그리고 현행 중 고등학교 교과서 및 대학 일반화학 교재에 서술된 정의를 조사하여 학생들과 교사들이 혼란을 느낄 수 있는 문제점을 파악하고 그 개선점을 알아보고자 하였다. 그 결과 용해는 두 상이 혼합되어 하나의 상이 되는 것임에 비해 확산은 농도 차를 없애는 방향으로 물질이 이동하는 것이므로 서로 구분 가능하다고 생각된다. 그러나 중.고등학교 교과서와 대학 일반화학 교재에서도 대부분 확산을 농도 차에 의한 것으로 명확하게 서술하지 않았는데 이 1022 박종윤를 강조해서 서술할 필요가 있다. 분출은 용기 벽면의 아주 작은 구멍을 통해 기체 입자가 충돌 없이 빠져나가는 것이므로 기체 확산과 분명히 구분되지만 고등학교 교과서에서 분출의 정의를 제시한 교과서는 거의 없었다.
We have studied an organic layer thickness dependent optical properties and microcavity effects for top-emission organic light-emitting diodes. Manufactured top emission device, structure is Al(100nm)ITPD(xnm)/$Alq_3$(ynm)/LiF(0.5nm)/Al(23nm). While a thickness of hole-transport layer of TPD was varied from 35 to 65nm, an emissive layer thickness of $Alq_3$ was varied from 50 to 100nm for two devices. A ratio of those two layers was kept to about 2:3. Variation of the layer thickness changes a traverse time of injected carriers across the organic layer, so that it may affect on the chance of probability of exciton formation. View-angle dependent emission spectra were measured for the optical measurements. Top-emission devices show that the emission peak wavelength shifts to longer wavelength as the organic layer thickness increases. For instance, it shifts from 490 to 555nm in the thickness range that we used. View-angle dependent emission spectra show that the emission intensity decreases as the view-angle increases. The organic layer thickness-dependent emission spectra show that the full width at half maximum decreases as the organic layer thickness increases. Top emission devices show that the full width at half maximum changes from 90 to 35nm as the organic layer thickness increases. In top-emission device, the microcavity effect is more vivid as the organic layer thickness increases.
Arsenic doped p-type ZnO thin films have been realized on intrinsic (100) GaAs substrate by RF magnetron sputtering and thermal annealing treatment. p-Type ZnO exhibits the hole concentration of $9.684{\times}10^{19}cm^3$, resistivity of $2.54{\times}10^{-3}{\Omega}cm$, and mobility of $25.37\;cm^2/Vs$. Photoluminescence (PL) spectra of As doped p-type ZnO thin films reveal neutral acceptor bound exciton ($A^{0}X$) of 3.3437 eV and a transition between free electrons and acceptor levels (FA) of 3.2924 eV. Calculated acceptor binding energy ($E_A$) is about 0.1455 eV. Thermal activation and doping mechanism of this film have been suggested by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). p-Type formation mechanism of As doped ZnO thin film is more related to the complex model, namely, $As_{Zn}-2V_{Zn}$, in which the As substitutes on the Zn site, rather than simple model, Aso, in which the As substitutes on the O site. ZnO-based p-n junction was fabricated by the deposition of an undoped n-type ZnO layer on an As doped p-type ZnO layer.
본 연구는 학교 현장에서 빈번하게 일어나지만 체계적인 기준 없이 이루어지는 교사의 자리 배치와 그에 따른 교우관계 형성의 관계성을 밝히려는 목적이 있다. 이런 목적을 달성하기 위하여, 2016년에 일반계 고등학교 3학년 문과반 학생 28명을 대상으로 2차에 걸쳐 교우관계에 관한 설문조사를 실시하였다. 설문조사 결과를 네트워크 분석을 실시하여 하위네트워크, 구조적 공백, 친밀도가 가장 낮은 학생을 확인할 수 있었으며, 물리적 자리배치를 인접행렬로 변환하여 학생간 친밀도와의 차이검정을 실시하였다. 사회 네트워크 분석을 위하여 Ucinet 6.0 프로그램을 사용하였으며, 차이검정 통계를 위하여 SPSS Ver. 20.0을 사용하였다. 연구결과 학급 내 자연스럽게 형성된 하위네트워크가 4개가 존재하였고, 친밀도가 가장 낮은 학생 1명을 확인할 수 있었다. 그 학생을 구조적공백을 가진 학생 주변에 위치시켰을 때 긍정적인 교우관계가 형성되었음을 확인할 수 있었다.
$H{\alpha}$ surges (i.e. cool/dense collimated plasma ejections) may act as a guide for a propagation of magnetohydrodynamic waves. We report a high-resolution observation of a surge observed with 1.6m Goody Solar Telescope (GST) on 2009 August 26, from 18:20~UT to 18:45UT. Characteristics of plasma motions in the surge are determined with the normalizing radial gradient filter and the Fourier motion filter. The shape of the surge is found to change from a 'C' shape to an inverse 'C' shape after a formation of a cusp, a signature of reconnection. There are apparent upflows seen above the cusp top and downflows below it. The upflows show rising and rotational motions in the right-hand direction, with the rotational speed decreasing with height. Near the cusp top, we find a transverse oscillation of the surge, with the period of ~2 min. There is no change of the oscillation phase below the cusp top, but above the top a phase change is identified, giving a vertical phase speed about 86kms-1. As the height increases, the initial amplitude of the oscillation increases, and the oscillation damping time decreases from 5.13 to 1.18min. We conclude that the oscillation is a propagating kink wave that is possibly excited by an x-point oscillation.
NiO와 페로브스카이트 사이의 전하 이동과 계면특성을 개선하기 위해, 솔-젤로 제조된 NiO를 [2-(9H-carbazol-9-yl)ethyl] phosphonic acid (2PACz)으로 개질한다. 2PACz의 인산기(head group)는 NiO 표면의 수산화기(-OH)와 응축 반응을 통해 결합되며, 더 깊은 가전자대가 형성되면서 페로브스카이트 층의 가전자대와 에너지밴드가 더 잘 일치하게 되어 생성된 전하의 재결합이 억제되고 에너지 손실이 감소하게 된다. 더불어, 페로브스카이트의 표면 및 페로브스카이트/정공 전달층 계면에 핀홀이 없는 고질의 페로브스카이트 필름이 형성된다. 결과적으로, 13.69%의 효율을 나타내는 NiO 기반 소자와 비교했을 때, 최적의 2PACz으로 개질된 NiO 기반 소자는 17.08%의 높은 효율을 보여주며, 공기 조건에서 더 뛰어난 안정성을 보여준다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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