저압 MOCVD로 CBr4 가스를 사용하여 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성 (Crystallographic Orientation Dependence Of Electrical Properties of Carbon-doped GaAs Grown by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using CBr4)
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- 한국전기전자재료학회논문지
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- 제15권3호
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- pp.214-219
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- 2002