Jang, Suyoung;Jang, Jun Sung;Jo, Eunae;Karade, Vijay Chandraknt;Kim, Jihun;Moon, Jong-Ha;Kim, Jin Hyeok
Korean Journal of Materials Research
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v.31
no.3
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pp.150-155
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2021
Zinc oxide (ZnO) based transparent conducting oxides (TCO) thin films, are used in many applications such as solar cells, flat panel displays, and LEDs due to their wide bandgap nature and excellent electrical properties. In the present work, fluorine and aluminium-doped ZnO targets are prepared and thin films are deposited on soda-lime glass substrate using a RF magnetron sputtering unit. The aluminium concentration is fixed at 2 wt%, and the fluorine concentration is adjusted between 0 to 2.0 wt% with five different concentrations, namely, Al2ZnO98(AZO), F0.5AZO97.5(FAZO1), F1AZO97(FAZO2), F1.5AZO96.5(FAZO3), and F2AZO96(FAZO4). Thin films are deposited with an RF power of 40 W and working pressure of 5 m Torr at 270 ℃. The morphological analysis performed for the thin film reveals that surface roughness decreases in FAZO1 and FAZO2 samples when doped with a small amount of fluorine. Further, optical and electrical properties measured for FAZO1 sample show average optical transmissions of over 89 % in the visible region and 82.5 % in the infrared region, followed by low resistivity and sheet resistance of 3.59 × 10-4 Ωcm and 5.52 Ω/sq, respectively. In future, these thin films with excellent optoelectronic properties can be used for thin-film solar cell and other optoelectronics applications.
Park, Bo-Seong;Kim, Hyun-Jeong;Shin, Hyeonho;Park, Seongmin;Lee, Jaeun;Jeon, Sunggun;Nah, Yoon-Chae
Korean Journal of Materials Research
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v.31
no.3
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pp.132-138
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2021
Electrochromic devices (ECDs) have been drawing great attention due to their high color contrast, low power consumption, and memory effect, and can be used in smart windows, automatic dimming mirrors, and information display devices. As with other electronic devices such as LEDs (light emitting diodes), solar cells, and transistors, the mechanical flexibility of ECDs is one of the most important issue for their potential applications. In this paper, we report on flexible ECDs (f-ECDs) fabricated using an all-in-one EC gel, which is a mixture of electrolyte and EC material. The f-ECDs are compared with rigid ECDs (r-ECDs) on ITO glass substrate in terms of color contrast, coloration efficiency, and switching speed. It is confirmed that the f-ECDs embedding all-in-one gel show strong blue absorption and have competitive EC performance. Repetitive bending tests show a degradation of electrochromic performance, which must be improved using an optimized device fabrication process.
As an insulator for a thin film transistor(TFT) and an encapsulation material of organic light emitting diode(OLED), aluminum oxide (Al2O3) has been widely studied using several technologies. Especially, in spite of low deposition rate, atomic layer deposition (ALD) has been used as a process method of Al2O3 because of its low process temperature and self-limiting reaction. In the Al2O3 deposition by ALD method, Ar Purge had some crucial effects on the film properties. After reaction gas is injected as a formation of pulse, an inert argon(Ar) purge gas is injected for gas desorption. Therefore, the process parameter of Ar purge gas has an influence on the ALD deposited film quality. In this study, Al2O3 was deposited on glass substrate at a different Ar purge time and its structural characteristics were investigated and analyzed. From the results, the growth rate of Al2O3 was decreased as the Ar purge time increases. The surface roughness was also reduced with increasing Ar purge time. In order to obtain the high quality Al2O3 film, it was known that Ar purge times longer than 15 sec was necessary resulting in the self-limiting reaction.
Transparent and conducting tungsten (W) doped indium oxide (IWO) thin films were deposited on the glass substrate by using RF magnetron sputtering and then electron irradiation was conducted to investigate the effect of electron irradiation on the optical and electrical properties of the films. The electron irradiated films showed three x-ray diffraction peaks of the In2O3 (222), (431) and (046) planes and the full width at half maximum values are decreased as increased electron irradiation energy. In the atomic force microscope analysis, the surface roughness of as deposited films was 1.70 nm, while the films electron irradiated at 700 eV, show a lower roughness of 1.28 nm. In this study, the figure of merit (FOM) of as deposited films is 2.07 × 10-3 Ω-1, while the films electron irradiated at 700 eV show the higher FOM value of 5.53 × 10-3 Ω-1. Thus, it is concluded that the post-deposition electron beam irradiation is the one of effective methods to enhance optical and electrical performance of IWO thin films.
Water quality is crucial for human health and the environment. Accurate measurement of the quantity of organic carbon in water is essential for water quality evaluation, identification of water pollution sources, and appropriate implementation of water treatment measures. Total organic carbon (TOC) analysis is an important tool for this purpose. Although other methods, such as chemical oxygen demand (COD) and biochemical oxygen demand (BOD) are also used to measure organic carbon in water, they have limitations that make TOC analysis a more favorable option in certain situations. For example, COD requires the use of toxic chemicals, and BOD is time-consuming and can produce inconsistent and unreliable results. In contrast, TOC analysis is rapid and reliable, providing accurate measurements of organic carbon content in water. However, common methods for TOC analysis can be complex and energy-intensive because of the use of high-temperature heaters for liquid-to-gas phase transitions and the use of acid, which present safety risks. This study focuses on a TOC analysis method using TiO2 photocatalysis, which has several advantages over conventional TOC analysis methods, including its low cost and easy maintenance. For TiO2, rutile and anatase powders are mixed with an inorganic binder and spray-coated onto a glass fiber substrate. The TiO2 powder and inorganic binder solutions are adjusted to optimize the photocatalytic reaction performance. The TiO2 photocatalysis method is a simple and low-power approach to TOC analysis, making it a promising alternative to commonly used TOC analysis methods. This study aims to contribute to the development of more efficient and cost-effective approaches for water quality analysis and management by exploring the effectiveness and reliability of the developed equipment.
With an attempt to suppress the moiré phenomenon caused by the interference between the black matrix of a display panel and the metal grid of a camera, we have fabricated an anti-moiré filter using light diffusing particles (LDPs) with the average diameter of 20 ㎛. It is demonstrated that the anti-moiré filter coated on a glass substrate (370 mm × 470 mm) using a table slot-die coater reduces the moiré intensity to a great extent when the area covered by LDPs is 50%. To quantify the intensity of moiré phenomenon, we have measured the lightness ratio and found that it is reduced from 132.12 down to 105.71 by the filter. To find the optimum area covered by LDPs, we have performed ray tracing simulations using Mie scatters as a substitute for LDPs. From the simulated irradiation distribution, we have calculated the standard deviation (SD) and contrast ratio (CR) to evaluate the moiré strength. As expected, the SD and CR values decrease with increasing covered area by LDPs. However, there exists a trade-off between the transmittance of the filter and its capability of reducing the moiré intensity in determining the area covered by LDPs.
ZnO/Cu/ZnO (ZCZ) thin films were deposited at room temperature on a glass substrate using direct current (DC) and radio frequency (RF, 13.56 MHz) magnetron sputtering and then the effect of post-deposition electron irradiation on the structural, optical, electrical and transparent heater properties of the films were considered. ZCZ films that were electron beam irradiated at 500 eV showed an increase in the grain sizes of their ZnO(102) and (201) planes to 15.17 nm and 11.51 nm, respectively, from grain sizes of 13.50 nm and 10.60 nm observed in the as deposited films. In addition, the film's optical and electrical properties also depended on the electron irradiation energies. The highest opto-electrical performance was observed in films electron irradiated at 500 eV. In a heat radiation test, when a bias voltage of 18 V was applied to the film that had been electron irradiated at 500 eV, its steady state temperature was about 90.5 ℃. In a repetition test, it reached the steady state temperature within 60 s at all bias voltages.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.34
no.1
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pp.16-21
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2024
Using electrochromic devices (ECD), smart window films that can change the colors from tinted state into transparent state by applying an external voltage were manufactured. Polyethylene terephthalate (PET) film was used as a substrate instead of conventional glass, and ECD modules having a total thickness of about 50 ㎛ were manufactured by sequentially introducing an ITO/Ag/ITO electrode layer, a WO3/TIC2 organic discoloration layer, and a Nafion fluorine electrolyte layer. Through a series of sputtering, bar coating, and thermal compression processes, a large scale smart window with a horizontal and vertical length of more than 80 mm was manufactured. When DC 3.5 V was applied, the transmittance decreased from 54 % to 24 % and moreover the color change could be confirmed even with the naked eye. Reversible color change capability at low external voltage implies that external sunlight can be selectively blocked which is effective in terms of energy saving.
Jiha Seong;Hyungmin Kim;Seongmin Shin;Kyunghwan Kim;Jeongsoo Hong
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.37
no.3
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pp.253-260
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2024
In this study, ITO thin films were fabricated on a glass substrate at different thicknesses without introducing oxygen using RF sputtering system. The structural, electrical, and optical properties were evaluated at various thicknesses ranging from 50 to 300 mm. As the thickness of deposited ITO thin film become thicker from 50 to 100 mm, carrier concentration, mobility, and band gap energy also increased while the resistivity and transmittance decreased in the visible light region. When the film thickness increased from 100 to 300 mm, the carrier concentration, mobility, and band gap energy decreased while the resistivity and transmittance increased. The optimum electrical properties were obtained for the ITO film 100 nm. After optimizing the thickness, the ITO thin films were post-annealed at different temperatures ranging from 100 to 300℃. As the annealing temperature increased, the ITO crystal phase became clearer and the grain size also increased. In particular, the ITO thin film annealed at 300℃ indicated high carrier concentration (4.32 × 1021 cm-3), mobility (9.01 cm2/V·s) and low resistivity (6.22 × 10-4 Ω·cm). This means that the optimal post-annealing temperature is 300℃ and this ITO thin film is suitable for use in solar cells and display application.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.19
no.1
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pp.47-52
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2024
The effects of annealing temperature on the optical and electrical properties of BZO thin films, grown on glass substrate, have been investigated. Analysis of the XRD shows that regardless of the annealing temperature, all BZO thin films indicate the c-axis orientation. The full width of half maximum (FWHM) decreases from 1.65 to 1.07° as the annealing temperature increases from 400 to 600℃. The average transmittance in the visible light region showed a high value of 85% without significantly affecting the annealing temperature. The results of Hall effect measurements indicate that the carrier concentration and mobility increased and the resistivity decreased as the annealing temperature increased. The resistivity and the carrier concentration of the BZO thin films annealed 600℃ were 9.75×10-2 Ω·cm and 4.21×1019 cm-3 respectively, showing the best value. The optimization of deposition and annealing conditions will certainly make the BZO thin films promising materials for the application to the next generation of optoelectronic devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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