• 한국정보통신학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.311-317
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• 2019

먼저 광학 신호를 이용한 다양한 응용 분야에서의 핵심 요소인 광학 빔 조향 성능 향상을 위하여 실리콘 기반 격자 구조의 특성을 해석하였다. 이를 기반으로 높은 방사 효율과 좁은 빔 폭을 얻기 위해서 기존의 격자 구조 방사기에 분배 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector, DBR)를 집적한 구조를 제안한다. 분배 브래그 반사기의 위치에 따른 방사 효율과 방사 각도의 전치 반폭을 분석하고 이를 토대로 최적화 구조를 제안한다. 제안한 격자 구조는 상보형 금속산화 반도체(complementary metal-oxide semiconductor, CMOS) 공정과 호환 가능하며, 최대 방사 효율 87.1% 및 최소 방사 각도의 반치 전폭 $4.68^{\circ}$를 가진다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.395-401
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• 2016

위장조영검사는 위장에 바륨 또는 가스트로그라핀과 같은 조영제를 투여한 후 X선을 투과하여 진단하는 검사로서 일시적인 변비나 복통 외 특별한 부작용이 없는 것이 장점으로 위장계통의 질환 진단에 많이 이용되고 있다. 하지만 수검자의 검사에 대한 전반적인 이해부족으로 인한 검사 중 부적절한 움직임과 호흡조절로 화질과 검사의 정확성이 저하되는 경우가 빈번히 발생한다. 검사의 정확성 향상과 화질 개선의 방법으로 위장조영검사의 검사 과정과 주의할 점을 동영상으로 제작하여 검사 전 대기시간을 이용하여 시청하게 함으로써, 동영상을 이용한 교육이 화질 개선과 검사의 정확성 향상에 어느 정도 효과가 있는지 조사하였다. 2014년 위장조영검사 수검자 2,940명, 2015년 위장조영검사 수검자 3,076명 중 각각 30대부터 80대까지 10명씩 무작위 선출한 60명을 대상으로 교육 전, 후의 영상을 평가하였다. Image J 프로그램을 이용하여 각 영상의 프로파일에 대한 반치 폭을 측정함으로써 영상을 평가하였다. 반치 폭은 교육 전 0.208 mm, 교육 후 0.133 mm로 나타났다. 따라서 검사 전 동영상교육이 화질 개선에 효과가 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.509-515
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• 2017

본 연구는 EBT3 필름을 이용하여 감마나이프 퍼펙션 모델의 3차원적인 선량분포 측정하고 기준값과 비교 분석하여 표준화된 측정방법의 기초로 활용하고자 한다. 2개 종합병원에 설치된 감마나이프 퍼펙션 모델의 선량 분포를 EBT3 필름을 이용하여 정확도와 정밀도를 평가하였다. 정확도 평가를 위해 4 mm 콜리메터를 사용하여 기계적인 중심축과 선량중심축의 일치도를 측정하였다. A병원 0.098 mm, 0.195 mm 이며 B 병원 0.229 mm, 0.223 mm 로 허용 오차 0.3 mm 이하로 측정되었다. 정밀도 평가는 4, 8, 16 mm 콜리메터(collimater) 각각의 x, y, z 3차원면 에서의 반치폭(FWHM : Full Width at Half Maximum)을 이미지-제이 프로그램을 이용하여 평가하였다. A 병원은 -0.283~0.583 mm, B 병원은 -0.857~0.810 mm로 50%선 ${\pm}1mm$ 이하의 기준에 적합하였다. 이미지-제이 프로그램을 이용한 선량 분포 분석의 경우 측정자 간의 오차가 발생 가능함으로 측정점에 대한 명확한 기준을 확립할 필요가 있으며, 감마나이프 방사선 수술이 시행되어지는 고선량 영역에서 사용 가능한 선량영역이 높은 필름을 이용한 치료계획과 실제 치료 조사면의 비교가 필요하다고 생각된다.

• 한국광학회지
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• 제33권4호
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• pp.177-186
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• 2022

표면 플라즈몬 공명 센서에서 센서의 성능은 민감도(nm/RIU)와 분해능인 공명 픽의 형태에 의해서 결정된다. 이러한 특성은 센서에 활용되는 구조체의 물질과 구조적 특성에 따라 달라진다. 본 연구에서는 insulator-metal-insulator (IMI) 다중 층 구조를 기반으로 한 표면 플라즈몬 공명 센서 구조의 최적화 과정을 통해 센싱 레이어의 굴절률 변화에 대한 높은 민감도 달성과 동시에 좁은 full width at half maximum (FWHM)과 픽의 깊이 이 두 가지의 요소를 기반으로 한 분해능이 큰 공명 픽을 형성하도록 하는 구조를 찾았다. 이 구조를 통해 센싱 레이어의 굴절률이 1.45-1.46 범위에서 변화할 때 FWHM = 11.92 nm, 픽 깊이 93.1%의 공명 픽이 형성되었고 최대 8,390 nm/RIU의 민감도 성능을 확인했다. 특히 금 박막을 활용한 파장 기반의 표면 플라즈몬 센서는 공명 픽의 너비 확장이 발생하나 금 박막을 사용하고도 좁은 FWHM을 달성함에 의의가 있다. 본 연구에서 제안하는 다중 층 설계를 기반으로 한 센서는 미세한 굴절률 변화 값에 대한 높은 민감도와 더불어 높은 분해능을 가지는 파장 기반 표면 플라즈몬 센서로 활용 가능하다.

• 한국생산제조학회지
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• 제24권4호
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• pp.363-367
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• 2015

This paper reports on thermally adjusted graphene oxide (GO) as the hole transport layer (HTL) for organic light-emitting diodes (OLEDs). GO is generally not suitable for HTL of OLEDs because of intrinsic specific resistance. In this paper, the specific resistance of GO is adjusted by the thermal annealing process. The optimum specific resistance of HTL is found to be $10^2{\Omega}{\cdot}m$, and is defined by the maximum current efficiency of OLEDs, 2 cd/A. In addition, the reasons for specific resistance change are identified by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). First, the XPS results show that several functional groups of GO were detached by thermal energy, and the amount of epoxide changed substantially following the temperature. Second, the full width at half maximum (FWHM) of the C-C bond decreased during the process. That means the crystallinity of the graphene improved, which is the scientific basis for the change in specific resistance.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제20권1호
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• pp.135-139
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• 2016

I propose a vector passive harmonic mode-locked fiber laser based on topological insulator Bi2Se3 interacting with a fiber taper with a diameter of 7 μm. The particles of topological insulator are deposited uniformly onto the fiber taper with light pressure effect. By incorporating the fabricated saturable absorber into an Er-doped fiber laser cavity, stable mode-locked fiber is obtained. Due to the intense evanescent field of the fiber taper, strong confinement of light enhances the nonlinearity of the laser cavity, and passive harmonic mode-locking is performed. I observe a maximum harmonic mode-locking of 356th, corresponding to a frequency of 3.57 GHz. The pulse duration is 824 fs, and the full width at half maximum of the spectrum is about 8.2 nm. The polarization dependent loss of the saturable absorber is ~ 2.5 dB in the wavelength range of the C band. As the cavity contains no other polarization dependent device, the mode-locked laser is functioning in the vector state. The harmonic order vs pump power is investigated. To the best of our knowledge, this report is the highest frequency mode-locked fiber laser based on Bi2Se3. Experimental results indicate that the topological insulator Bi2Se3 functioning with a thin fiber taper is effective for vector harmonic mode-locking.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.128.2-128.2
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• 2014

Long-wave infrared detectors using the type-II InAs/GaSb strained superlattice (T2SL) material system with the nBn structure were designed and fabricated. The band gap energy of the T2SL material was calculated as a function of the thickness of the InAs and GaSb layers by the Kronig-Penney model. Growth of the barrier material (Al0.2Ga0.8Sb) incorporated Te doping to reduce the dark current. The full width at half maximum (FWHM) of the 1st satellite superlattice peak from the X-ray diffraction was around 45 arc sec. The cutoff wavelength of the fabricated device was ${\sim}10.2{\mu}m$ (0.12eV) at 80 K while under an applied bias of -1.4V. The measured activation energy of the device was ~0.128 eV. The dark current density was shown to be $1.2{\times}10^{-5}A/cm^2$ at 80 K and with a bias -1.4 V. The responsivity was 1.9 A/W at $7.5{\mu}m$ at 80K and with a bias of -1.9V.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.367-367
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• 2008

Aluminum nitride (AlN) thin films have been deposited on Si substrate by using reactive RF magnetron sputtering method in a gas mixture of Ar and $N_2$ at different $N_2$ concentration. It was found that $N_2$ concentration was varied in the range up to 20-100%, highly c-axis oriented film can be obtained at 50% $N_2$ with full width at half maximum (FWHM) $4.5^{\circ}$. Decrease in surface roughness from 7.5 nm to 4.6 nm found to be associated with decrease in grain size, with $N_2$ concentration; however, the AlN film fabricated at 20% $N_2$ exhibited a granular type of structure with non-uniform grains. The absorption peak was observed around 675 $cm^{-1}$ in fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is concluded that the AlN film deposited at $N_2$ concentration of 50% exhibited the most desirable properties for the application of high-frequency surface acoustic devices.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.463-467
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• 2008

Aluminum nitride (AlN) thin films have been deposited on Au electrodes by using reactive RF magnetron sputtering method in a gas mixture of Ar and $N_2$ at different substrate temperature. It was found that substrate temperature was varied in the range up to $400^{\circ}C$, highly c-axis oriented film can be obtained at $300^{\circ}C$ with full width at half maximum (FWHM) $3.1^{\circ}$. Increase in surface roughness from 3.8 nm to 5.9 nm found to be associated with increase in grain size, with substrate temperature; however, the AlN film fabricated at $400^{\circ}C$ exhibited a granular type of structure with non-uniform grains. The Al 2p and N 1s peak in the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectrum confirmed the formation of Al-N bonds. The XPS spectrum also indicated the presence of oxynitrides and oxides, resulting from the presence of residual oxygen in the vacuum chamber. It is concluded that the AlN film deposited at substrate temperature of $300^{\circ}C$ exhibited the most desirable properties for the application of high-frequency surface acoustic devices.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.357-358
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• 2007

Raman spectra of poly (polycrystalline) 3C-SiC thin films, which were deposited on the oxidized Si substrate by APCVD, have been measured. They were used to study the mechanical characteristics of poly 3C-SiC grown in various temperatures. TO and LO modes of 2.0 m poly 3C-SiC grown at 1180 C occurred at 794.4 and $965.7\;cm^{-1}$. Their FWHMs (full width half maximum) were used to investigate the stress and the disorder of 3C-SiC. The broad FWHM can explain that the crystallinity of 3C-SiC grown at 1180 C becomes poly crystalline instead of the disordered crystal. The ratio of intensity $I_{(LO)}/I_{(TO)}$ 1.0 means that the crystal defect of 3C-SiC/$SiO_2$/Si is small. The biaxial stress of poly 3C-SiC was obtained as 428 MPa. In the interface of 3C-SiC/$SiO_2$, the phonon mode of C-O bonding appeared at $1122.6\;cm^{-1}$. The phonon modes related to D and G bands of C-C bonding were measured at 1355.8 and $1596.8\;cm^{-1}$ respectively.