• 제목/요약/키워드: floating gate

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로그수체계 기반의 저전력/저면적 제산기 및 제곱근기 회로 설계 (A Design of Low-power/Small-area Divider and Square-Root Circuits based on Logarithm Number System)

  • 김채현;김종환;이용환;신경욱
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.895-898
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    • 2005
  • 본 논문에서는 그래픽 프로세싱 분야와 디지털 신호 처리 분야에 응용될 수 있는 로그수체계(Logarithm Number System; LNS) 기반의 제산기와 제곱근기를 설계하였다. 설계된 제산기와 제곱근기는 부동소수점 대신 16.16의 고정소수점 방식을 사용하여 모바일 환경에서 저전력/저면적으로 동작하도록 하였다. 설계된 제산기와 제곱근기는 이진수-로그 변환기, 감산기, 로그-이진수 변환기 등으로 구성되어 있다. 특히, 이진수-로그 변환시 룩업테이블(Look Up Table; LUT)을 사용하지 않고 6-영역의 근사화 방법을 이용한 조합회로로 구현함으로써, 기존의 룩업테이블로 구현한 방식에 비해 게이트 수가 감소되도록 하여, 제산기 3,130, 제곱근기 1,280 게이트로 구현되었다. 연산정밀도를 높이기 위해 에러 보상방법을 적용하였으며 연상 정밀도 분석결과 평균 퍼센트 에러가 가각 3.8% 와 4.2%로 평가되었다.

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Implementation of Position Control of PMSM with FPGA

  • Reaugepattanawiwat, Chalermpol;Eawsakul, Nitipat;Watjanatepin, Napat;Pinprathomrat, Prasert;Desyoo, Phayung
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2004년도 ICCAS
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    • pp.1254-1258
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    • 2004
  • This paper presents of position control of Permanent Magnet Synchronous Motor (PMSM) the implementation with Field Programmable Gate Array (FPGA) is proposed. Cascade control with inner loop as a current control and an outer loop as a position control is chosen for simplicity and fast response. FPGA is a single chip (single processing unit), which will perform the following tasks: receive and convert control signal, create a reference current signal, control current and create switch signal and act as position controller in a addition of zero form. The 10 kHz sampling frequency and 25 bit of floating point data are defined in this implementation.The experimental results show that the performance of FPGA based position control is comparable with the hardware based position control, with the advantage of control algorithm flexibility

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Design of a Communication-Aid Circuit to Detect Eye-Gazed Patterns

  • Eguchi, Kei;Ueno, Fumio;Zhu, Hongbing;Tabata, Toru;Jayawickrema, Madhava
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -1
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    • pp.470-473
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    • 2002
  • A communication-aid circuit to detect eye-gazed patterns is proposed in this paper. The circuit is an analog-digital mixed system. By determining the direction of eye-gazed pattern, the circuit detects an eye-gazed pattern from 2-dimensional arrayed patterns on a syllabary. Different from conventional systems, the syllabary is moved to overlap the eye-gazed pattern with the center coordinate of screen. Thus, the proposed circuit can avoid a complex calculation of the distance between the eye-gazed point and the center coordinate. Furthermore: an economical size of hardware can be provided since no full-adders are required by employing floating-gate MOSFBT's. The validity of the cricuit design is confirmed by computer simulations. Furthermore, to implement onto an IC chip, the layout design is performed by using a CAD tool, MAGIC.

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NAND Flash memory 소자 기술 동향

  • 이희열;박성계
    • 전자공학회지
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    • 제42권7호
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    • pp.26-38
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    • 2015
  • 고집적화를 위한 Floating Gate NAND 개발과정에서 몇 차례 기술적 한계상황에 직면하였었지만, Air-Gap, Double patterning, Multi-level Cell, Error Correction Code과 같은 breakthrough idea 을 활용하여 1Xnm까지 성공적인 scale-down 을 하였고 10nm 까지도 바라보고 있지만, 10nm 미만으로는 적절한 방안을 찾지 못한 상황입니다. CTD 의 3D NAND Flash는 Aspect Ratio, Poly channel의 intrinsic 특성, Data 보존 능력 등 해결 해야 할 issue 들이 남아 있지만, F.G Flash 의 지난 20년간 Lesson-learn 과 Band engineering, Channel Si, PUC 의 요소기술 개발 및 System algorithm 개발, QLC 개발 등을 통하여 F.G Flash를 넘어 지속적인 Cost-down 이 가능할 것입니다.

RF MOSFET의 기판 회로망 모델과 파라미터 추출방법 (Substrate Network Modeling and Parameter- Extraction Method for RF MOSFETs)

  • 심용석;강학진;양진모
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제7권5호
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    • pp.147-153
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    • 2002
  • GHz에서 동작하는 초미세 MOSFET의 BSIM3 MOSFET 모델에 연결하여 사용할 수 있는 기판 회로망 모델과 그에 따른 물리적 의미를 가지는 직접 파라미터 추출법이 제안되었다. 제안된 기판 회로망에는 관례적인 저항과 링-형태의 기판콘택에 의해 생성된 단일의 인덕터가 포함되었다. 모델 파라미터는 최적화 과정 없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정된 S-파라미터로부터 추출되었다. 제안된 모델링 기술은 다양한 크기의 MOS 트랜지스터에 적용되었고, 30GHz까지 그 타당성이 검증되었다.

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자동 분수공의 개발 (Development of the Automatic Turnout)

  • 저하우;이남호;김성준;최진용;한형근;한휘남
    • 한국농공학회지
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    • 제36권4호
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    • pp.33-38
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    • 1994
  • Floating-type automatic turnout was developed for the purpose of reducing labor cost and labor-working hours related to turnout management. The point of automation is to use a flexible-float within the turnout. The weight of float is changed by emptying and filling with water at the beginning and ending of irrigation. The turnout is controlled to open and close small bole on the float bottom using electromagnets. With the weight control of float. the gate of turnout is opened by the empty float to begin irrigatiom and is closed by the filled float to stop irrigation. The turnout was designed to be operated by the main computer and to minimize electric power consumption by sending an electric current at the beginning and ending of irrigation. The functional experiment was succesfully carried out and the rating curves for both free overflow condition and submerged flow condition were derived.

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High Quality Vertical Silicon Channel by Laser-Induced Epitaxial Growth for Nanoscale Memory Integration

  • Son, Yong-Hoon;Baik, Seung Jae;Kang, Myounggon;Hwang, Kihyun;Yoon, Euijoon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권2호
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    • pp.169-174
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    • 2014
  • As a versatile processing method for nanoscale memory integration, laser-induced epitaxial growth is proposed for the fabrication of vertical Si channel (VSC) transistor. The fabricated VSC transistor with 80 nm gate length and 130 nm pillar diameter exhibited field effect mobility of $300cm^2/Vs$, which guarantees "device quality". In addition, we have shown that this VSC transistor provides memory operations with a memory window of 700 mV, and moreover, the memory window further increases by employing charge trap dielectrics in our VSC transistor. Our proposed processing method and device structure would provide a promising route for the further scaling of state-of-the-art memory technology.

분리된 단락애노드와 플로팅오믹접합을 사용한 새로운 SOI 이중게이트 수평형 절연게이트바이폴라트랜지스터 (A New Dual-Gate SOI LIGBT by employing Separated Shorted Anode and Floating Ohmic Contact)

  • 하민우;이승철;오재근;전병철;한민구;최연익
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1343-1345
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    • 2001
  • 본 논문은 스냅백을 효과적으로 제거하고 순방향 전압 강하를 줄이는 새로운 구조의 분리된 이중 게이트 SOI SA-LIGBT를 제안하였다. 제안된 소자는 분리된 단락 애노드와 플로팅 오믹 접합의 적용을 통해 스냅백이 성공적으로 제거되었고, 순방향전압강하는 전류밀도가 100A/$cm^2$일 때 기존의 SA-LIGBT에 비교해서 2V 감소된다. 또한 턴-오프 특성도 분리된 단락 애노드를 적용하였기 때문에 SA-LIGBT보다 개선되었다.

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박막트랜지스터를 이용한 1T-DRAM에 관한 연구 (A study of 1T-DRAM on thin film transistor)

  • 김민수;정승민;조원주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.345-345
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    • 2010
  • 1T-DRAM cell with solid phase (SPC) crystallized poly-Si thin film transistor was fabricated and electrical characteristics were evaluated. The fabricated device showed kink effect by negative back bias. Kink current is due to the floating body effect and it can be used to memory operation. Current difference between "1" state and "0" state was defined and the memory properties can be improved by using gate induced drain leakage (GIDL) current.

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간단하고 정확한 RF MOSFET의 기판효과 모델링과 파라미터 추출방법 (A Simple and Accurate Parameter Extraction Method for Substrate Modeling of RF MOSFET)

  • 심용석;양진모
    • 한국정보기술응용학회:학술대회논문집
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    • 한국정보기술응용학회 2002년도 추계공동학술대회 정보환경 변화에 따른 신정보기술 패러다임
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    • pp.363-370
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    • 2002
  • RF에서 동작하는 초미세 공정 MOS 트랜지스터의 기판 효과에 따른 기판회로망과 물리적 의미를 가지는 파라미터 추출법이 고려되었다. 제안된 기판 회로망에는 단일의 저항과 링 -형태의 기판 콘택에 의해 생성된 인덕터가 포함되었다 모델 파라미터는 최적화 과정없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성 을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정 된 S-파라미터로부터 추출된다. 제안된 기술은 다양한 크기 의 MOS 트랜지스터에 적용되어 졌다. 추출된 기 판 회 로망을 이 용한 가상실험 결과와 측정치는 약 30GHz까지 일치함을 검증하였다.

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