Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.7
no.5
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pp.982-991
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2006
The screen quota system is one of the most controversial issues in the Korean film industry. There are two different points of view regarding the system. Some say it is highly effective to protect and nurture Korean movies. However, others argue that it hurts the duality of the Korean movies. The number of days, for which Korean movies have to play on local screens, has been reduced to 73, starting on July 1st, 2006. Actually, it is 50 percent fewer than the previous year. In facL Korea has implemented the screen quota. system two times. First, it was practiced from 1935 to 1945, during the Japanese colonial period. This was to regulate imported movies, especially American ones, as the Japanese government was to use movies for the political propaganda. In 1935, the number of foreign movies screened had to be less than three fourths of the total. And they gradually reduced the size by two thirds in 1936, and again by half in 1937. After the attack on Pearl Harbor when the Pacific War happened, Japan completely banned importing American movies in Korea. The reason why it regulated the imported foreign films is to increase the number of domestic movies, both Japanese and Korean. It was for making propaganda films fur carrying the war. The second practice of the screen quota is from 1967 to the present year. It was designed to boom the Korean film industry. However, the competitive power of Korean films has not been improved in spite of the practice of the system. Moreover, the film industry has gone through the depression. Korean film agencies have occupied the Korean film market thanks to the protection by government. The founding of the film agencies has been strongly regulated. So has importing foreign movies. Under the special protection like this, Korean film agencies have been enjoying the monopoly In the mean time, they have pursued income not by making quality movies but by importing foreign movies. As a result, cinema audiences turn away form Korean films and prefer foreign movies. Furthermore, the screen quota system hurts the relationship between film producers and distributors, imposing the duties only on theaters. In short, the screen quota system has satisfied neither film producers, theater runners, nor film goers. In other words. the excessive protection has weakened the competitive power of Korean film industry.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.1
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pp.8-13
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2014
As packing density in integrated circuits increases, multilevel metallization process has been widely used. But hillock formed in the bottom layers of aluminum are well known to make interlayer short in multilevel metallization. In this study, the effects of ion implantation to the metal film and deposition temperature on the hillock formation were investigated. The Al-1%Si thin film of $1{\mu}m$ thickness was DC sputtered with substrate ($SiO_2/Si$) temperature of $20^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$, respectively. Ar ions ($1{\times}10^{15}cm^{-2}$: 150 keV) and B ions ($1{\times}10^{15}cm^{-2}$, 30 keV, 150 keV) were implanted to the Al-Si thin film. The deposited films were evaluated by SEM, surface profiler and resistance measuring system. As a results, Ar implanting to Al-Si film is very effective to reduce hillock size in the metal deposition temperature below than $200^{\circ}C$, and B implanting to an Al-Si film is effective to reduce hillock density in the high temperature deposition conditions around $400^{\circ}C$. Line width less than $3{\mu}m$ was free of hillock after alloying.
This experiment was carried out to investigate the crack of coated Nitrocellulose Lacquer on flatand edge-grained boards of Quercus acutissima, ring-porous wood, and Betula platyphylla var. japonica, diffuse-porous wood, by variations of moisture contents at 7, 13 and 21%. Cold check system was used as an accelerating method for crack development, in which one cycle of the system consisted of 10 replications of each unit cycle, $60^{\circ}C$ for 4hr followdd by $-20^{\circ}C$ for 4hr. The analysis of Nitrocellulose Lacquer characteristics was made by means of water permeation measurement, F.T.I.R. spectroscopy, N.M.R. spectroscopy, gel permeation chromatography, gas chromatography, and D.S.C. The results obtained were as follows: 1. The number of cracks increased with the increasing moisture content of board. 2. The crack of coated film on flat-grained board was fewer in number than on edge-grained board. 3. The crack occurred in Quercus acutissima was more numerous on edge-grained board but less frequent on flat-grained board compared with that in Betula platyphylla var. japonica, respectively. 4. The cold crack vertically developed to the grain both in Quercus acutissima and Betula platyphylla var. japonica. 5. Water permeability in intermediate coated film was lower than in under and top coated film, but the difference was not confirmed between under and top coated film.
Kim, Hwa-Suk;Kim, Hyun-Kyoung;Kim, Yang-Bae;Hong, Jin-Who
Journal of Adhesion and Interface
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v.3
no.3
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pp.22-29
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2002
UV curable coating system described here consists of double layers, namely under layer and top laser coatings. The former consists of organic-inorganic conductive materials and the latter consists of multifunctional acrylates. Transparent double layer coatings were prepared on the transparent substrates i.e. PMMA, PC, PET etc. by the wet and wet coating procedure. Their surface resistances and film properties were measured as a function of the top layer thickness and relative humidity. As the thickness of the top layer was less than $10{\mu}m$, the surface resistance in the range of $10^8{\sim}10^{10}{\Omega}/cm^2$ was obtained. The surface properties of the two-layer coating were remarkably improved compared with the single layer coating. The effects of migration of conducting materials on the film properties of multilayer coating were investigated by using contact angle and Fourier transform infrared/attenuated total reflection(FT-IR/ATR). It was found that the migration of dopant(dodecyl benzenesulfonic acid, DBSA) molecules were occurred from film-substrate interface to film-air interface in the organic conductive coating system but not in the inorganic one.
Journal of the Korean Society of Industry Convergence
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v.19
no.4
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pp.176-184
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2016
Electrochemical ion exchange method is expected to be one of the most acceptable techniques for the separation of radioactive cations from nuclear wastewater. In this study a thin film of hexacyanoferrate on nickel surface was derivatized chemically in an aqueous potassium-ferricyanide solution. Electrochemical redox behavior of the nickel hexacyanoferrate(NiHCNFe) film electrode was investigated with the use of cyclic voltammetry potentiostated from -100 to 800 mV versus SCE. The electro-reduction characteristics of the NiHCNFe film were examined in the cobalt solutions. The NiHCNFe ion exchanger was more useful at lower concentration, lower temperature, and pH7 of the cobalt solution. The capacity loss of NiHCNFe was 0.018%/cycle that was less than the average loss of 2~3%/cycle of the convective organic exchanger. The 45~55% of the initial cobalt ions was electro-deposited on the NiHCNFe by using continuous recirculating reactor system. As a result, it was found that the electroactive NiHCNFe films showed better performance than the organic resins for the separation of cobalt ion from the aqueous solutions.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.12
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pp.1296-1300
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2004
SnO$_2$ is one of the most suitable gas sensor materials. The microstructure and surface morphology of films must be controlled because the electrical and optical properties of SnO$_2$ films depend on these characteristics. The effects of chemical mechanical polishing(CMP) on the variation of morphology of SnO$_2$ films prepared by RF sputtering system were investigated. The commercially developed ceria-based oxide slurry, silica-based oxide slurry, and alumina-based tungsten slurry were used as CMP slurry. Non-uniformities of all slurries met stability standards of less than 5 %. Silica slurry had the highest removal rate among three different slurries, sufficient thin film topographies and suitable root mean square(RMS) values.
This paper describes the fabrication and characteristics of CrN thin-film type pessure sensors, in which the sensing elements were deposited on SUS. 630 diaphragm by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitride atmosphere(Ar-(10%) $N_2$). The optimized condition of CrN thin-film sensing elements was thickness range of 3500$\AA$ and annealing condition($300^{\circ}C$, 3 hr) in Ar-10 %$N_2$ deposition atmosphere. Under optimum conditions, the CrN thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, $\rho$=1147.65 ${\mu}{\Omega}$cm, a low temperature coefficient of resistance, TCR=-186 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal, 11.17. The output sensitivity of fabricated CrN thin-film type pressure sensors is 2.36 mV/V, 4$\sim$20 mA and the maximum non-linearity is 0.4 %FS and hysteresis is less than 0.2 %FS..
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.995-998
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2003
This paper presents the deposition of poly-Si thin-film and fabrication of a solar cell by VHF-PECVD method. The poly-Si thin films. and pin-type solar cells are fabricated using multi-chamber cluster tool system. A 7.4% conversion efficiency was achieved from poly-Si thin film solar cells with total thickness less than $5{\mu}m$. The physical characteristic was measured by Raman spectroscopy, solar cell characteristic was measured under AM1.5 illumination.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.111-114
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2003
In order to improve the surface uniformity and the conduction properties of the fabricated YBCO thick films, a system that applies alternating field vertically to the EPD field has been developed for the first time and applied to the electrophoretic deposition process. The applied alternating electric field caused a force to be exerted on each YBCO particle and resulted in a shaking of the particle in the direction of applied electric field, accomplishing a uniform particle orientation. The usual commercial electrical power was used for the vertically applied alternating voltage and the induced electric field was 25-120 V/cm at 60Hz. The thick film fabricated by the method developed in this paper showed better surface uniformity without crack and porosity and improved film characteristics such as critical temperature ($T_{c,zero}$ : 90 K) and critical current density ($2354\;A/cm^2$). Therefore, it is expected that the shaky-aligned electrophoretic deposition method can be used to fabricate superconductor films through a simpler process and at less expense.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.11
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pp.1041-1046
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2003
In order to improve the surface uniformity and the conduction properties of the fabricated YBCO thick films, a system that applies alternating field vertically to the EPD field has been developed for the first time and applied to the electrophoretic deposition process. The applied alternating electric field, so called Shaky Alternating Assisted Field, caused a force to be exerted on each YBCO particle and resulted in a shaking of the particle in the direction of applied electric field, accomplishing a uniform particle orientation. The usual commercial electrical power was used for the vertically applied alternating voltage and the induced electric field was 25-120 V/cm at 60Hz. The thick film fabricated by the method developed in this paper showed better surface uniformity without crack and porosity and improved film characteristics such as critical temperature (Tc,zero = 90 K) and critical current density (2354 A/$\textrm{cm}^2$), Therefore, it is expected that the shaky-aligned electrophoretic deposition method can be used to fabricate superconductor films through a simpler process and at less expense.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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