To evaluated the image quality and the patient exposure for the chest radiography, its fundamental imaging properties were investigated. The basic imaging properties were evaluated by measuring characteristic curves, relative speeds, average gradient, and patient exposure dose. The image qualities were evaluated by using a rotating meter. It was found that the film gradient of SRO750/SRH system was 3.13 and that of SRO750/HR-C30 was 1.77. The ratio of SRO1000/TMH to FS/RP-1 was 1 to 18.2. It was possible to visualize the static image when the exposure time was less than 2.5 msec in patient that had respiratory excessive motion, heart beat and natural physical motion, and less than 8.5 msec in normal. The ratio of medical exposure dose compared with our method was 1 to 25 in the routine chest radiography and maximum was 1 to 70. In estimation of the image quality in same cases, we found that the image of SRO1000/SRH and TMH of super sensitive systems was the same results. We found that these super sensitive screen-film systems were available for the chest radiography considering the relationship between the image quality and patient exposure.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.1
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pp.1-6
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2020
In this research, 50 nm thick AlN thin films were deposited on the patterned sapphire (0001) substrate by using HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) system and then epitaxial layer structure was grown by MOCVD (metal organic chemical vapor deposition). The surface morphology of the AlN buffer layer film was observed by SEM (scanning electron microscopy) and AFM (atomic force microscope), and then the crystal structure of GaN films of the epitaxial layer structure was investigated by HR-XRC (high resolution X-ray rocking curve). The XRD peak intensity of GaN thin film of epitaxial layer structure deposited on AlN buffer layer film and sapphire substrate was rather higher in case of that on PSS than normal sapphire substrate. In AFM surface image, the epitaxial layer structure formed on AlN buffer layer showed rather low pit density and less defect density. In the optical output power, the epitaxial layer structure formed on AlN buffer layer showed very high intensity compared to that of the epitaxial layer structure without AlN thin film.
This study was conducted to develop the long-tenn storage method to minimize the black spot occurred on the surface of persimmons stored in the films at low temperature. The storage experiments were done with different films and persimmon varieties at $0^{\circ}C$ storage condition for 5 months, and then the physical and chemical characteristics of persimmons were tested monthly. The results were as follows : 1. The film 160 made from zeolites showed highest performance in well storings sweet persimmons for 5 months, compared with other films by eyesight. The initial moisture condensation inside the films seemed to cause the black spots on persimmons, and the effect of the film holes was never significant to prevent the black spots. 2. The sugar content was ranged from $14^{\circ}Brix$ to $15^{\circ}Brix$ regardless of film types and persimmom varieties, and it changed little for storage of 5 months. 3. The decrease rate of persimmom weight in the film 160 and 180 was 0.3% for storage of 5 months, while those in other films reached to 2%. The decrease rate of persimmon weight was least in the film 160 and 180. 4. The hardness of Fuyu least decreased in the films 160 and 380. It was changed from 36 kg/cnf to 8-27 $kg/cm^2$, and that of Charyang was from 31 $kg/cm^2$ to 8-10 $kg/cm^2$ for storage of 5 months. The hardness of Charyang rapidly decreased as storage period increased. 5. The average rate of black spot(defect rate) of Fuyu measured by a computer image processing system was least in the film 160 by 0.5%, but those in other films was ranged from about 5% to 20% for storage of 5 months. The rate of black spot of Charyang was less than that of Fuyu among most of films. 6. The intensity, hue, and saturation in persimmon color changed according to storage period. Especially, the intensity of persimmon colors decreased as storage period increased, but it was least in the film 160. 7. An integrated long-term storage method of sweet persimmons was suggested in the basis of the experiments and literature reviews.
Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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v.34
no.1
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pp.42-48
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2012
In this study, experiment on phosphorus removal was performed by using microbubble liquid film flotation tank with microbubble module. After dissolving gas and liquid in dissolving tank, microbubble liquid film system created microbubbles in equal size under fixed low pressure. After being passed through $A_2O$ and m-$O_3$ process, secondary treatment wastewater was used as influent in phosphorus removal process. When the T-P concentration of influent was 2.89 mg/L, alum(8%, 30 mg/L) was injected into a microbubble flotation tank, the treatment resulted 94% of T-P removal rate. Remaining T-P concentration was less than 0.2 mg/L, which is in accord with the effluent quality standard. Seasonal variations in water temperature showed no differences in T-P removal property. When the inflow concentration of SS was 1.0 mg/L or more, it served as coagulation nuclei in the coagulation process. In that condition, average T-P removal rate was higher than 97%. When 50% of floated scum was returned, coagulator Al included in scum assisted the injected coagulator and maximized the coagulation efficiency of pollutant. In such treatment, the T-P concentration was measured as 0.18 mg/L and satisfied the outflow water quality standard, which is 0.2 mg/L or less.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.423-424
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2008
A facing target sputtering (FTS) equiment is fabricated and its process characteristics are investigated to search for the possibility of applications to film passivation system for organic light emitting diodes (OLEDs). We report that the FTS system can prepare a high quality $ZrO_2$ films with a dense micro structure and an excellent uniformity less than 5% and a high transmittance over an average 80% in the visible range. We suggest that the FTS is one of the suitable deposition techniques for the thin film passivation layer of OLEDs and the gas barrier layer of polymer substrate.
Effects of Ar ion damage prior to the phase transformation from pyrochlore to perovskite structure of PZT thin films have been investigated. As the degree of damage increased by increasing the acceleration voltage in the ion mass doping system, the phase transformation temperature decreased such that the temperature could be lowered down to 550$^{\circ}C$ when the film was damaged at 15 kV for 5 minutes. When the film was damaged prior to the heat treatment grain size of the perovskite thin films became less than 300${\AA}$. It turned out that relatively high value of the remanent polarization (about 30${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$) as well as improvement of the fatigue characteristics to a large extent is closely related to the fine grain size of thus obtained PZT films.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.17
no.3
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pp.168-171
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2016
There has been growing interest and rapid development in transparent electrode films, which are flexible and light and used in mobile, simple information, and electronic devices, and based on recent advancements in nano technology, information technology, and display technology. In particular, studies on developing such films with both high conductivity and high transmittance of visible rays are highly in demand for commercialization. In this study, transparent electrode films were developed for IT using micro patterns that show sheet resistance less than 10 Ω/□, adhesive strength more than 98%, and light transmittance more than 90%. The results of applying a surface emission gradient minimization (Honey Comb) technology to the films was the verification of the sheet resistance, adhesive strength, and light transmittance satisfying the target level of this study through Imprinting and Remolding processes.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.675-678
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2004
Ozone is usually generated from oxygen gas using a silent discharge apparatus and its concentration is less then 10 mol%. An ozone condensation system is constructed for metal oxide thin film fabrication. Ozone is condensed by the adsorption method, which is widely used for the growth of oxidation thin films such as superconductor. Highly condensed ozone is analyzed by three methods; ultraviolet absorption, thermal decomposition and Q-mass analyzing methods. Thermal decomposition method is most effective in the highly condensed ozone region and its method is superior to Q-mass analyzer for determining ozone concentration because of the simplicity of the method.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.675-678
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2000
Using the principle of the cross capacitor, a precise system for measuring the electric constants of liquids has been developed. The four electrodes of the cross capacitor were formed around fused-silica tube by plating a gold film. The effect of a non-uniform tube wall ok the measured permittivity was investigated As the individual characteristics of the tubes were determined to be constant, the pure dielectric constants extracted from any effect of the fused-silica material could be precisely derived with uncertainty of less than ${\pm}$ 0.02∼0.05 %.
Oh, Seung-Keun;Kang, Sang Do;Kim, Youngman;Park, Soon Sub
Journal of Ceramic Processing Research
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v.17
no.7
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pp.763-767
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2016
The structural characterization of cubic boron nitride (c-BN) thin films was performed using a B4C target in a radio-frequency magnetron sputtering system. The deposition processing conditions, including the substrate bias voltage, substrate temperature, and base pressure were varied. Fourier-transform infrared spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to analyze the crystal structures and chemical binding energy of the films. For the BN film deposited at room temperature, c-BN was formed in the substrate bias voltage range of -400 V to -600 V. Less c-BN fraction was observed as the deposition temperature increased, and more c-BN fraction was observed as the base pressure increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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