The crystal structure and ferroelectricity of the $(1-x)BiFeO_3\;(BF)-xPbTiO_3$ (PT) ceramic system with the addition of $DyFeO_3$ (DF) have been investigated for attaining a high temperature piezoelectric material. This study is focused on the relation between crystal structure and ferroelectric property with the addition of DF over the phase boundary in the (1-x)BF-xPT system. Hysteresis curves of polarization-electric field at room temperature have been measured. The X-ray and neutron diffraction data were analyzed by the rietveld refinement method. The addition of 0.1 mole DF into BF-PT system greatly increases the ferroelectric remanant polarization Pr values, e.g. 17 ${\mu}C/cm^2$ in 0.6BF-yDF-(0.4-y)PT and 31${\mu}C/cm^2$ in 0.5BF-yDF-(0.5.y)PT, respectively. The improved Pr value has been discussed in relation with crystal structure and electrical property.
YMnO3 thin films were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by chemical solution deposition method. The films were crystallized by heat-treatment at 85$0^{\circ}C$ for 1 hour. Effects of an annealing atmosphere(O2, Ar, vacuum) on the crystallization behavior and electridcal properties were investigated. YMnO3 thin films annealed under Ar atmosphere showed a superior crystallinity and a very strong c-aix preferred-orientation which was a polar axis. Leakage current density of the films decreased with lowering oxygen partial pressure of the annealing atmosphere. C-V and P-E ferroelectric hysteresis were observed only in the thin film heat-treated under Ar atmosphere.In order to prepare YMnO3 thin films having both low leakage current and ferroelectricity, the annealing atmsphere should be kept under a proper oxygen partial pressure which was about 1 Pa in this work. Leakage current density at 1 volt, dielectric constant($\varepsilon$r), remanent polarization(Pr), and coercive field(Ec) were 1.7$\times$10-8 A/$\textrm{cm}^2$, 25, 1.08$\mu$C/$\textrm{cm}^2$, and 100 kV/cm, respectively.
Epitaxial complex oxide thin film heterostructures have attracted a great attention for their multifunctional properties, such as ferroelectricity, and ferromagnetism. Two dimensional electron gas (2DEG) confined at the interface between two insulating perovskite oxides such as LaAlO3/SrTiO3 interface, provides opportunities to expand various electronic and memory devices in nano-scale. Recently, it was reported that the conductivity of 2DEG could be controlled by external electric field. However, the switched conductivity of 2DEG was not stable with time, resulting in relaxation due to the reaction between charged surface on LaAlO3 layer and atmospheric conditions. In this report, we demonstrated a way to control the conductivity of 2DEG in non-volatile way integrating ferroelectric materials into LAO/STO heterostructure. We fabricated epitaxial Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 films on LAO/STO heterostructure by pulsed laser deposition. The conductivity of 2DEG was reproducibly controlled with 3-order magnitude by switching the spontaneous polarization of PZT layer. The controlled conductivity was stable with time without relaxation over 60 hours. This is also consistent with robust polarization state of PZT layer confirmed by piezoresponse force microscopy. This work demonstrates a model system to combine ferroelectric material and 2DEG, which guides a way to realize novel multifunctional electronic devices.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권6호
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pp.297-300
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2012
Lead-free (1-x)$(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3-xLiNbO_3$, i.e., NKN-LNx (x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4 mol) was prepared using the conventional solid state reaction method. The effects of LN mixing on the ferroelectric properties of NKN-LNx ceramics were studied using a dielectric constant and P-E (Polarization-electric field) measurements. Ferroelectricity was observed in the composition for x approximately varying between 0.0 and 0.4. Minimum remanent polarization $2P_r=5C/cm^2$ was achieved in the composition for x = 0.2. The ferroelectric phase transition temperature $T_C$ increased with increasing LN content. The ferroelectric phase transition of NKN-LNx ($x{\geq}0.1$) is a second-order phase transition, and that of NKN-LNx ($x{\leq}0.2$) is a first-order phase transition. These results indicate that the ferroelectric phase transition temperature of NKN-LNx change from that of second-order to weak first-order phase transition according to the LN content.
In the present study, preliminary experimental results of the change in the properties of perovskite-type oxides caused by the $^{18}O$- exchange have been reported. Two systems were selected for the exchange, (1) $ATiO_3$(A=Ca,Sr,Ba) and (2) manganese perovskite. The dielectric properties of isotope-exchanged $SrTi^{18}O_3$showed a drastic change from a quantum paraelectricity below 3K to ferroelectric-like behavior with a peak at 23K and an enhanced dielectric constant, 35000 at the peak. On the contrary, the $T_c$ for $BaTiO_3$was found to increase by 0.9K. The observed isotope shift of $T_c$ as well as $T_co$ for the manganese perovskites is correlated with the key parameters controlling the lattice such as $Mn^{3+}$ content, average ionic radius of the A-site cation <$r_A$> ad A-site ionic disorder $\sigma^2$.
The effects of Nb doping on the crystal structure, microstructure, and dielectric ferroelectric and piezoelectric properties of $(Bi_{0.5}Na_{0.5})_{0.935}Ba_{0.065}Ti_{(1-x)}Nb_xO_3-0.01SrZrO_3$ (BNBTNb-SZ, with ${\chi}=0$, 0.01 and 0.02) ceramics have been investigated. X-ray diffraction patterns revealed that all ceramics have a pure perovskite structure with tetragonal symmetry. The grain size of the ceramics slightly decreased and a change in grain morphology from square to spherical shape was observed in the Nb-doped samples. The maximum dielectric constant temperature ($T_m$) increases with increasing amount of Nb; however, ferroelectric-relaxor transition temperature ($T_{F-R}$) and maximum dielectric constant (${\varepsilon}_m$) values decrease gradually. Nb addition disrupted the polarization hysteresis loops of the BNBT-SZ ceramics by leading a reduction in the remnant polarization coercive field and piezoelectric constant.
Lithium Niobate (LN:LiNbO3) is a compound of niobium, lithium and oxygen. The characteristics of LN are piezoelectricity, ferroelectricity and photoelectricity, and which is widely used in surface acoustic wave (SAW). To manufacture LN device, the LN surface should be a smooth surface and defect-free because of optical property, but the LN material is processed difficult by traditional processes such as grinding and mechanical polishing (MP) because of its brittleness. To decrease defects, chemical mechanical polishing (CMP) was applied to the LN wafer. In this study, the suitable parameters scuh as pressure and relative velocity, were investigated for the LN CMP process. To improve roughness, the LN CMP was performed using the parameters that were the highest removal rate among process parameters. And, evaluation of optical property was performed by the optical reflectance and non-linear characteristic.
$BiMnO_3$ has been a promising candidate as a magnetoelectric multiferroic while there have been many controversial reports on its ferroelectricity. The detailed analysis of its film growth, especially the growth of thin film having monoclinic symmetry has not been reported. We studied the effect of miscut angle, the substrate surface, and film thickness on the symmetry of $BiMnO_3$ thin film. A flat $SrTiO_3$ (110) substrate resulted in a thin film with three domains of $BiMnO_3$ and 1 degree miscut in the $SrTiO_3$ (110) substrate resulted in dominant domain preference in the $BiMnO_3$ thin film. The larger miscut resulted in a nearly perfect detwinned $BiMnO_3$ film with a monoclinic phase. This strong power of domain selection due to the step edge of the substrate was efficient even for the thicker film which showed a rather relaxed growth behavior along the $SrTiO_3$ [1-10] direction.
The phenomena of high-voltage polarization and conductivity in oriented vinylidenefluoride and tetrafluoroethylene copolymer films have been investigated. It was shown that under certain electric fields, injection of carriers from the material of electrodes appears The barrier for holes injection in the copolymer was found to be lower than that for electrons. It results in more effective screening of the external field near the anode than near cathode. Electrones, ejected from cathode, creating negative charge by trapping on the surface. It is shown that the electrons injected from cathodes create a negative homocharge on the copolymer surface and then become captured on the surface shallow traps. Their nature has been studied by the x-ray photoelectron spectroscopy. It was shown that these traps may consist of chemical defects in the form of new functional groups formed by reactions of surface macromolecules with sputtered atoms of aluminum. The asymmetric shape of hysteresis curves was explained by the difference in mobility of injected holes and electrons. These factors caused appearance of "non-closed" hysteresis curves for fluorine-containing polymer ferroelectrics. Hysteresis phenomena observed at low electric fields (below coercive ones) are to associate with the behavior of the domains localized in the ordered regions formed during secondary crystallization of copolymers.
High-power piezoelectric materials are being developed for applications such as actuators and ultrasonic motors. In this paper, ferroelectric property of iron-doped 0.57 (Sc$_{1}$2//Nb$_{1}$2/)O$_3$-0.43 PbTiO$_3$. which is the morphotropic phase boundary composition for the PSN-PT system, was investigated. The maximum dielectric constant ( $\varepsilon$$_{33}$/$\varepsilon$$_{0}$ = 2551) and the minimum dielectric loss(tan $\delta$ = 0.51 %) at room temperature were obtained at 01. wt% and 0.3 wt% of iron additions. With additions of the Fe$_2$O$_3$ the electromechanical coupling factor of radial mode k$_{p}$ and the piezoelectric coefficient d$_{33}$ were slightly decreased, on the other hand the mechanical quality factor was increased significantly. The highest mechanical quality factor (Qm= 297) was obtained at 0.3 wt% Fe$_2$O$_3$, which is 4.4 times larger than that of pure 0.57 PSN-0.43PT ceramics. The temperature dependence of the dielectric constant and dielectic loss was observed between 2$0^{\circ}C$ and 35$0^{\circ}C$ .X> .X> .
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[게시일 2004년 10월 1일]
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