For the research of solar EUV (extreme ultraviolet) radiation, we have designed a small-sifted engineering model of solar EUV telescope, which is suitable for a Korean satellite. The EUV sole. telescope was designed to observe the sun at $584.3AA$(He I) and $629.7AA$(OV) The optical system is an f/8 Ritchey-Chr rien, and the effective diameter and focal length are 80mm and 640mm, respectively. The He I and 0V filters are loaded in a filter wheel. In the detection part, the MCP (Microchannel Plate) type is Z-stack, and the channel-to-diameter radio is 40:1. MCP and CCD are connected by fiber optic taper. A commercial optical design software is used for the analysis of the optical system design.
Zhang, Ying;Ma, Ruiqiang;Zhao, Zhonglin;Zhou, Zhengfu;Lu, Wei;Zhang, Wei;Chen, Ming
Journal of Microbiology and Biotechnology
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v.20
no.7
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pp.1156-1162
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2010
During ethanol fermentation, bacterial strains may encounter various stresses, such as ethanol and acid shock, which adversely affect cell viability and the production of ethanol. Therefore, ethanologenic strains that tolerate abiotic stresses are highly desirable. Bacteria of the genus Deinococcus are extremely resistant to ionizing radiation, ultraviolet light, and desiccation, and therefore constitute an important pool of extreme resistance genes. The irrE gene encodes a general switch responsible for the extreme radioresistance of D. radiodurans. Here, we present evidence that IrrE, acting as a global regulator, confers high stress tolerance to a Zymomonas mobilis strain. Expression of the gene protected Z. mobilis cells against ethanol, acid, osmotic, and thermal shocks. It also markedly improved cell viability, the expression levels and enzyme activities of pyruvate decarboxylase and alcohol dehydrogenase, and the production of ethanol under both ethanol and acid stresses. These data suggest that irrE is a potentially promising gene for improving the abiotic stress tolerance of ethanologenic bacterial strains.
The aim of this paper is to describe the results of the study on the extreme-ultra-violet (EUV) solar telescope, which is designed to. a possible satellite mission. Since the EUV band can not be observed on the ground, the observation in EUV should be performed in space using a satellite or a rocket. Design of the Extreme-Ultra-Violet solar Telescope (BUVT) in this study is based on "Designing a small-sized engineering model of solar EUV telescope for a Korean satellite" (Han et al. 2001). Our EUVT design is satisfied with the requirements for a satellite in size and input voltage. The major goal of the study is to confirm if we can detect the specific wavelength (58.4nm to 62.9nm) with the EUVT. We describe re-designing of the EUVT to decrease a shelter ratio. Also we describe the technics in the optic system and the detector, which were used to manufacture the EUVT. We explain the detective program, which is to calculate the amount of the solar radiation, and the image data processing system.ng system.
In today's age when telecommunications using satellite has become part of our daily lives, one has to be employ preventive measures to avert any possible danger, of which solar activity is the major cause. Coronal mass ejections (CMEs) heading towards the Earth can lead to disturbances in the Earth's magnetosphere, if their magnetic field is oriented southward. Monitoring of solar filaments in this case becomes very very crucial, as their eruption is associated with most of the CMEs. Monitoring of solar filaments in this case becomes very very crucial, as their eruption is associated with most of the CMEs. Also, filaments show activation up to a few hours prior to launch of a CME and thus can provide advance warning. In this study, we present an algorithm for the detection of solar filaments seen in the extreme ultraviolet (EUV) from Atmospheric Imaging Assembly (AIA) on board the Solar Dynamics Observatory (SDO). Various morphological operations are employed to identify and extract the filaments. These filaments are then tracked in order to determine their size and location continuously.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2001.11a
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pp.213-216
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2001
극자외선영역의 빛에대한 Mo/Si 반사형 다층 박막 미러를 스퍼터링 시스템으로 증착하여, 특성을 평가한 결과 3mTorr의 낮은 공정 압력에서 최적의 구조인자를 가진 다층 박막을 증착할 수 있었다. TEM, low angle XRD peak, 반사도 그래프로부터 다층 박막의 구조인자를 분석하였으며, 특히 low angle XRD peak로부터 다층박막의 d-spacing, 층간 두께 uniformity에 대한 정보 및 광학적 정보를 간접적으로 분석할 수 있었다. 최대 반사도는 12.7nm 파장에서 약 53%였으며, low angle XRD에서 추출한 d-spacing 값이 TEM 이미지에서 측정한 값보다 더 정확한 값을 얻을 수 있었다.
Clusters of galaxies generally form by the gravitational merger of smaller clusters and groups. Major cluster mergers are the most energetic events in the Universe since the Big Bang. The basic properties of cluster mergers and their effects are discussed. Mergers drive shocks into the intracluster gas, and these shocks heat the intracluster gas. As a result of the impulsive heating and compression associated with mergers, there is a large transient increase in the X-ray luminosities and temperatures of merging clusters. These merger boost can affect X-ray surveys of clusters and their cosmological interpretation. Similar boosts occur in the strong lensing cross-sections and Sunyaev-Zeldovich effect in merging clusters. Merger shock and turbulence associated with mergers should also (re)accelerate nonthermal relativistic particles. As a result of particle acceleration in shocks and turbulent acceleration following mergers, clusters of galaxies should contain very large populations of relativistic electrons and ions. Observations and models for the radio, extreme ultraviolet, hard X-ray, and gamma-ray emission from nonthermal particles accelerated in these shocks will also be described. Gamma-ray observations with GLAST seem particularly promising.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.23
no.4
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pp.25-29
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2016
The semiconductor industry has been developed mainly by micronization process due to many advantages of miniaturization of devices. Mass production of semiconductors of 10 nm class has been started recently, and it is expected that the technology generation of 5 nm & 7 nm technology will come. However, excessive linewidth reduction affects physical limits and device reliability. To solve these problems, new process technology development and new concept devices are being studied. In this review, we introduce the next generation technology and introduce the advanced research for the new concept device.
In this paper, we consider a method for estimating a stripe-type defect and the reconstruction of a defect-free L/S type mask used in lithography. Comparing diffraction patterns of defected and defect-free masks, we derive equations for the estimation of the location and size of the defect. We construct an analytical model for this problem and derive closed form equations to determine the location and size using phase retrieval problem solving techniques. Consequently, we develop an algorithm that determines a defect-free mask pattern. An example shows the validity of the equations.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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