다단자 반도체 소자에서의 steady-state Nyquist 정리를 이용한 FET의 회소 잡음 지수 및 최적 소오스 임피던스 모델링 (Modeling of the Minimum nNise Figure and the Optimum Source Impedance of FETs using the Steady-state Nyquist Theorem for Multi-Terminal Semiconductor Devices)
-
- 전자공학회논문지A
- /
- 제32A권3호
- /
- pp.110-117
- /
- 1995