• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.249-251
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• 1994

We fabricated the sample of M-I-M with the insulating layer SiO. Refractive index of wave length, photon energy, absorption rate of SiO evaporation thin film are experimentally examined by spectroscopic Ellipsometer. The calculated equations of refractive index, absorption rate and permittivity of SiO thin film are induced. Calculated values and experimental values are compared and then mutual validity is proved.

• Current Optics and Photonics
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• 제4권4호
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• pp.353-360
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• 2020

Adopting an elaborately designed reflective objective consisting of four mirrors, we have developed a rotating-polarizer-type microspot spectroscopic ellipsometer (SE) with an ultra-small spot size. The diameter of the focused beam, whether evaluated using a direct-image method or a knife-edge method, is less than 8.4 ㎛. After proper correction for the polarizing effect of the mirrors in the reflective objective, we unambiguously determine the dispersion of the complex refractive index and the thickness of monolayer MoS₂ using the measured microspot-spectroellipsometric data. The measured ellipsometric spectra are sensitive enough to identify small variations in thickness of MoS₂ flakes, which ranged from 0.48 nm to 0.67 nm.

• 신재생에너지
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• 제4권2호
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• pp.68-73
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• 2008

It is very important that constitution of good hetero-junction interface with a high quality amorphous silicon thin films on very cleaned c-Si wafer for making high efficiency hetero-junction solar cells. For achieving the high efficiency solar cells, the inspection and management of c-Si wafer surface conditions are essential subjects. In this experiment, we analyzed the c-Si wafer surface very sensitively using Spectroscopic Ellipsometer for < ${\varepsilon}2$ > and u-PCD for effective carrier life time, so we accomplished < ${\varepsilon}2$ > value 43.02 at 4.25eV by optimizing the cleaning process which is representative of c-Si wafer surface conditions very well. We carried out that the deposition of high quality hydrogenated silicon amorphous thin films by RF-PECVD systems having high density and low crystallinity which are results of effective medium approximation modeling and fitting using spectroscopic ellipsometer. We reached the cell efficiency 12.67% and 14.30% on flat and textured CZ c-Si wafer each under AM1.5G irradiation, adopting the optimized cleaning and deposition conditions that we made. As a result, we confirmed that spectroscopic ellipsometry is very useful analyzing methode for hetero-junction solar cells which need to very thin and high quality multi layer structure.

• 한국광학회지
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• 제26권4호
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• pp.195-202
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• 2015

기층의 잔류 이방성에 영향을 받지 않고 러빙된 폴리이미드 배향막의 초미세 광학 이방성을 정밀하게 측정할 수 있는 반사형 타원계를 개발하고 러빙의 세기를 달리하여 제작한 배향막의 광학이방성을 이 반사형 타원계를 사용하여 측정, 분석하였다. 투과형 타원계를 사용하여 측정한 리타데이션과 비교하여 개발된 반사형 타원계의 신뢰도 및 광학 이방성의 측정 재현성을 확인하고 배향막의 형성 여부와 배향막의 형성정도를 정량적으로 평가하였다

• 한국광학회지
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• 제12권3호
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• pp.184-189
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• 2001

편광자나 검광자가 장착된 모터를 회전시키는 기계적인 변조방식이나 압전소자에 조화진동하는 교류전압을 가하는 위상변조방식에 기초를 둔 일반적인 편광변조 및 편광상태 측정 방식에 의존하지 않고 움직이지 않는 광분할기와 편광자를 통과한빛의 세기를 측정하는 DOAP 방식으로 편광상태를 측정하기 때문에 광검출소자 및 전자회로의 반응시간에 의해 그 신간분해능이 결정되는 새로운 방식의 초고속 다원계를 설계하였다. 이 초고속 타원계는 수 ns의 시간분해능을 가지고 있음을 확인하였으며 상변화기구 같은 동적기구를 연구하는 도구로의 응용 가능성을 검토하였다.

• 한국광학회지
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• 제10권3호
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• pp.208-213
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• 1999

반도체 및 박막의 두께 측정에 많이 이용되는 분광 타원해석기의 입사각을 정밀하게 보정하기 위한 방법을 제안하고 이를 실험적으로 확인하였다. 몇 종류의 광학유리를 이용하여 프리즘과 기판을 가공하였다. 프리즘의 꼭지각과 최소 벗어나 기각을 측정해 광학유리의 굴절률을 결정하였고 브루스터각(Brewster's angle)에서 측정한 유리기판의 타원해석 스펙트럼을 분석하기 위한 기준값으로 이 굴절률을 사용하여 분광 타원해석기의 입사각을 0.01도의 정밀도로 결정,보정하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제8회 학술발표회 논문개요집
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• pp.053-54
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• 1995

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1997년도 Advance Program of 14th optics andquantum Electronics conference, 1997제14 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.14-14
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• 1997

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.197-197
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• 1999

Gate oxide 의 두께 감소는 gate의 캐패시턴스를 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압 동작을 가능하게 하기 때문에 gate oxide 두께는 MOS 공정 세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 이러한 얇은 산화막은 device design에 명시된 두께의 특성을 나타내야 한다. Gate oxide의 두께가 작아질수록 gate oxide와 crystalline silicon간의 계면효과가 박막의 두께의 결정에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵다. 이러한 영향과 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 나타난다. XTEM은 사용한 parameter에, Ellipsometer는 refractive index에, MEIS(Medium) Energy Ion Scattering)은 에너지 분해능에, Capacitor-Voltage 측정은 depletion effect에 의해 영향을 받는다. 우리는 계면의 원자분해능 분석에 통상 사용되어온 High Resolution TEM을 이용하여 약 30~70$\AA$ SiO2층의 두께와 계면 구조에 대한 분석을 하여 이를 MEIS와 0.015nm의 고감도를 가진 SE(Spectroscopy Ellipsometer), C-V 측정 결과와 비교하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2003년도 추계학술대회
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• pp.1932-1938
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• 2003

We have applied spectroscopic ellipsometry to investigate $high-{\kappa}$ dielectric thin films and correlate their optical properties with fabrication processes, in particular, with high temperature annealing. The use of high-k dielectrics such as $HfO_{2}$, $Ta_{2}O_{5}$, $TiO_{2}$, and $ZrO_{2}$ as the replacement for $SiO_{2}$ as the gate dielectric in CMOS devices has received much attention recently due to its high dielectric constant. From the characteristics found in the pseudo-dielectric functions or the Tauc-Lorentz dispersions, the optical properties such as optical band gap, polycrystallization, and optical density will be discussed.