• 제목/요약/키워드: electron gun

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PBMS의 교정 및 이를 이용한 진공 내 나노입자의 실시간 분석 연구

  • 김동빈;문지훈;김형우;김득현;이준희;강상우;김태성
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.91-91
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    • 2015
  • 반도체 공정의 발전에 의해 최근 생산되는 메모리 등은 십 수 나노미터까지 좁아진 선 폭을 갖게 되었다. 이러한 이유로, 기존에는 큰 문제를 발생시키지 않던 나노미터 영역의 입자들이 박막 증착 공정과 같은 반도체 제조공정 수율을 저감시키게 되었다. 따라서 오염입자의 유입을 막거나 제어하기 위해 transmission electron microscopy (TEM)나 scanning electron microscopy (SEM)과 같은 전자현미경을 활용한 비 실시간 입자 측정 방법 및 광원을 이용하는 in-situ particle monitor (ISPM) 및 전기적 이동도를 이용한 scanning mobility particle sizer (SMPS) 등 다양한 원리를 이용한 실시간 입자 측정방법이 현재 사용중에 있다. 이 중 진공 내 입자의 수농도를 측정하기 위해 개발된 particle beam mass spectrometer (PBMS) 기술은 박막 증착 공정 등 chemical vapor deposition (CVD) 방법을 이용하는 진공공정에서 활용 가능하여 개발이 진행되어 왔다. 본 연구에서는 PBMS의 한계점인 입자 밀도, 형상 등의 특성분석이 용이하도록 PBMS와 scanning electron microscopy (SEM), 그리고 energy dispersive spectroscopy (EDS) 기술을 결합하여 입자의 직경별 개수농도, 각 입자의 형상 및 성분을 함께 측정 가능하도록 하였다. 협소한 반도체 제조공정 내부 공간에 적용 가능하도록 기존 PBMS 대비 크기 또한 소형화 하였다. 각 구성요소인 공기역학 집속렌즈, electron gun, 편향판, 그리고 패러데이 컵의 설치 및 물리적인 교정을 진행한 후 입자발생장치를 통해 발생시킨 sodium chloride 입자를 상압 입자 측정 및 분류장치인 SMPS 장치를 이용하여 크기별로 분류시켜 압력차를 통해 PBMS로 유입시켜 측정을 진행하였다. 나노입자의 입경분포, 형상 및 성분을 측정결과를 토대로 장치의 측정정확도를 교정하였다. 교정된 장치를 이용하여 실제 박막 증착공정 챔버의 배기라인에서 발생하는 입자의 수농도, 형상 및 성분의 복합특성 측정이 가능하였으며, 최종적으로 실제 공정에 적용가능하도록 장치 교정을 완료하였다.

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The Study on Location and Adsorbate Interaction for Vanadium Species in $VO^{2+}-SAPO-5$ by Electron Spin Resonance and Electron Spin Echo Modulation Spectroscopies

  • Back Gern-Ho;Park Sung-Gun;Lee Chul-Wee
    • 한국자기공명학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.138-154
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    • 2005
  • Vanadium-incorporated aluminophosphate molecular sieve $VO^{2+}-SAPO-5$ was studied by electron spin resonance (ESR) and electron spin echo modulation (ESEM) spectroscopies to determine the vanadium structure and interaction with various adsorbate molecules. It was found that the main species at low concentration of vanadium is a monomeric vanadium units in square pyramidal or distorted octahedral coordination, both in oxidation state (IV) for the calcined hydrated material and in oxidation state (V) for the calcined material. After calcinations in $O_2$ and exposure to moisture, only species A is observed with reduced intensities. It is suggested as a $VO(H_2O)_3^{2+}$ complex coordinated to two framework oxygen bonded aluminum. When calcined, hydrated $VO^{2+}-}SAPO-5$ is dehydrated at elevated temperature, a species loses its water ligands and transforms to $VO^{2+}$ ions coordinated to two framework oxygens (species B). Species B reduces its intensity, significantly after treatment with $O_2\;at\;600^{\circ}C$ for 5 h, thus suggesting oxidation of $V^{4+}\;to\;V^{5+}$. When dehydrated $VO^{2+}-SAPO-5$ contacts with $D_2O$ at room temperature, the EPR signal of species A is observed. Thus species assumed as a $VO^{2+}(O_f)_2(D_2O)_3$, by considering two framework oxygens. Adsorption of deuterated ethanol, propanol on dehydrated $VO^{2+}_{-}SAPO-5$ result in another new vanadium species E and F, respectively, which are identified as a $VO^{2+}-(CH_3CH_2OD)_3,\;VO^{2+}-(CH_3CH_2CH_2OD)_2$ complex. When deuterated benzene is adsorbed on dehydrated $VO^{2+}-SAPO-5$, another new vanadium species G, identified as a $VO^{2+}-(C_6D_6)$ is observed. Possible coordination geometries of these various complexes are discussed.

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Strained SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited전자이동도의 Si두께 의존성 (Dependency of Phonon-limited Electron Mobility on Si Thickness in Strained SGOI (Silicon Germanium on Insulator) n-MOSFET)

  • 심태헌;박재근
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권9호
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    • pp.9-18
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    • 2005
  • 60 nm C-MOSFET 기술 분기점 이상의 고성능, 저전력 트랜지스터를 구현 시키기 위해 SiGe/SiO2/Si위에 성장된 strained Si의 두께가 전자 이동도에 미치는 영향을 두 가지 관점에서 조사 연구하였다. 첫째, inter-valley phonon 산란 모델의 매개변수들을 최적화하였고 둘째, strained Si 반전층의 2-fold와 4-fold의 전자상태, 에너지 밴드 다이어그램, 전자 점유도, 전자농도, phonon 산란율과 phonon-limited 전자이동도를 이론적으로 계산하였다. SGOI n-MOSFET의 전자이동도는 고찰된 SOI 구조의 Si 두께 모든 영역에서 일반적인 SOI n-MOSFET보다 $1.5\~1.7$배가 높음이 관찰 되었다. 이러한 경향은 실험 결과와 상당히 일치한다. 특히 strained Si의 두께가 10 nm 이하일 때 Si 채널 두께가 6 nm 보다 작은 SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자 이동도는 일반 SOI n-MOSFET과 크게 달랐다. 우리는 이러한 차이가 전자들이 suained SGOI n-MOSFET의 반전층에서 SiGe층으로 터널링 했기 때문이고, 반면에 일반 SOI n-MOSFET에서는 캐리어 confinement 현상이 발생했기 때문인 것으로 해석하였다. 또한 우리는 10 nm와 3 nm 사이의 Si 두께에서는 SGOI n-MOSFET의 phonon-limited 전자 이동도가 inter-valley phonon 산란율에 영향을 받는 다는 것을 확인하였으며, 이러한 결과는 더욱 높은 드레인 전류를 얻기 위해서 15 nm 미만의 채널길이를 가진 완전공핍 C-MOSFET는 stained Si SGOI 구조로 제작하여야 함을 확인 했다

탄소나노튜브를 이용한 고휘도 X-선원용 전자빔원 개발 (Development of an electron source using carbon nanotube field emittes for a high-brightness X-ray tube)

  • 김선규;허성환;조성오
    • 한국진공학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.252-257
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    • 2005
  • 고휘도 마이크로빔 X-선원에 사용할 고휘도 전자빔원을 탄소나노튜브를 이용하여 설계, 제작하였다. 전자빔원은 탄소나노튜브 팁을 이용한 음극, 전자빔 인출용 그리드, 전자빔 가속용 양극으로 이루어진 삼극관 형태의 구조를 가진다. 설계된 휘도 값을 얻기 위하여 X-선 발생부에서의 전자빔 직경이 5 $\mu$m 이하, 빔전류가 약 30 $\mu$A 이상이 요구된다 이러한 요구조건을 만족시키기 위하여, EGUN Code를 이용하여 전자빔의 궤적 및 공간분포 등을 계산함으로써, 탄소나노튜브 팁 및 전자빔원의 구조 등을 최적화 하였다. 제작된 탄소나노튜브 팁은 직경 200 $\mu$m 의 텅스텐 와이어를 전기화학적으로 에칭하여 그 끝을 뽀족하게 만든 뒤 텅스텐의 끝 부분에 탄소나 노튜브를 화학기상법으로 증착하여 제작하였다. 제작된 탄소나노튜브를 이용하여 전자빔 인출실험을 수행하였다. 개발 중인 탄소나노튜브 팁을 이용한 고휘도 전자빔원의 설계 특성 및 기초 실험결과를 보고한다.

수 초 지속 40 kV, 280 kW 고전압 펄스전원장치 개발 (Development of Few-second 40 kV, 280 kW High Voltage Pulse Power Supply)

  • 김성철;남상훈;허훈;공형섭;문철;김정호;오승섭;양종원;소준호
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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    • pp.990-991
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    • 2015
  • To drive a magnetron injection gun, thsi paper decribes a design, fabrication and analysis results of proposed compact capacitor charging power supply (CCPS) formed resonant full-bridge inverter for electron gun power supply (EGPS). EGPS needs the -40 kV output voltage and 280 kW output power for few seconds continuously and have to be designed for the rise and fall time to be less than 1 ms with the ripple stability of output voltage of lower than 1%. In order to meet the requirements, we used eight resonant full-bridge modules operated in parallel. Each resonant full-bridge module can supply the current of 0.9 A and the voltage of 40 kV, and is operated by N-phase shift switching pattern. In this paper, we present the design, simulation and test results of interleaved CCPS.

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Echinostoma macrorchis (Digenea: Echinostomatidae): Metacercariae in Cipangopaludina chinensis malleata Snails and Adults from Experimental Rats in Korea

  • Sohn, Woon-Mok;Na, Byoung-Kuk
    • Parasites, Hosts and Diseases
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    • 제55권5호
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    • pp.541-548
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    • 2017
  • A survey was performed to know the infection status of echinostome metacercariae in Cipangopaludina chinensis malleata snails from Korea. Total 75 snails collected in 5 localities, i.e., Imsil-gun, Jeollabuk-do, Hwasun-gun and Shinan-gun (Aphae and Jido), Jeollanam-do, and Jinju-si, Gyeongsangnam-do, were examined for metacercariae by the artificial digestion method. Infection rates of metacercariae were 80.0%, 66.7%, 100%, 60.0%, and 73.3%, and their densities were 39, 32, 183, 19, and 30 per snail infected, respectively. The metacercariae were round, $105-118{\times}105-118{\mu}m$ in size, with a thin cyst wall, collar spines on the head collar, and excretory granules in 2 canals of excretory tube. Adult flukes were elongated, ventrally curved, and $5,167{\times}939{\mu}m$ in average size. Head collar distinct, bearing 45 collar spines with 5 end groups on each side. Oral sucker subterminal, pharynx well developed, and esophagus somewhat short. Cirrus sac well developed, with a saccular seminal vesicle, and ventral sucker very large. Ovary elliptical and on the median line of the body. Testes tandem and slightly lobed. Eggs operculated, elliptical, and $90-103{\times}55-60{\mu}m$ in size. By scanning electron microscopy, the head collar was prominent with 45 collar spines resembling horns of younger stags. Scale-like tegumental spines were densely distributed on the body surface between the head collar and ventral sucker. Conclusively, it has been first confirmed that the life cycle of E. macrorchis is indigenously maintained in Korea, and C. chinensis malleata snails are popularly infected with the metacercariae of this echinostome.

버드나무과(科) 버드나무속(屬) 쪽버들의 격리분포(隔離分布) 및 분류학적(分類學的) 고찰(考察) (Disjunct Distribution and Taxonomical Studies of Salix maximowiczii Kom. on the Genus Salix (Salicaceae))

  • 박완근
    • Journal of Forest and Environmental Science
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    • 제11권1호
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    • pp.61-71
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    • 1995
  • 한국산(韓國産) 쪽버들의 정확한 실체를 파악하기 위하여 형태학적(形態學的), 화분학적(花粉學的)으로 재검토하였으며, 어떠한 일정한 지역에만 분포(分布)하고 있는 쪽버들의 격리분포(隔離分布) 특성에 대한 조사를 행하였다. 1. 쪽버들의 외부형태학적(外部形態學的)인 특성(特性)을 그림과 함께 명확히 하였다. 2. 쪽버들의 화분학적(花粉學的) 특성(特性)은 하나의 명확한 종(種)임을 입증하였다. 3. 쪽버들은 강원도(江原道) 설악산의 백담계곡 일부 지역과 한계령의 양쪽 계곡 지역에 격리분포(隔離分布)하고 있으며, 북한의 성북(成北) 경성군(鏡城郡)과 성남(成南) 신흥군(新興郡) 및 풍산군豊山郡)의 일부 고지대(高地帶)의 계곡 지역에만 분포하고 있다. 4. 쪽버들의 격리분포(隔離分布)에 영향을 미치는 환경인자(環境因子)로는 수환경(水環境)의 지배가 큰 것으로 추정되었다. 5. 쪽버들의 생태학적(生態學的), 분류학적(分類學的) 정보들은 사방수종(砂防樹種), 목재생산(木材生産), 귀지공간조성(歸地空間造成) 등과 같은 조림(造林)에 관한 실제적인 적용에 이용될 수 있다.

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Growth and Properties of CrNx/TiNy/Al Based on N2 Gas Flow Rate for Solar Thermal Applications

  • Ju, Sang-Jun;Jang, Gun-Eik;Jang, Yeo-Won;Kim, Hyun-Hoo;Lee, Cheon
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제17권3호
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    • pp.146-149
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    • 2016
  • The CrN/TiN/Al thin films for solar selective absorber were prepared by dc reactive magnetron sputtering with multi targets. The binary nitride CrN layer deposited with change in N2 gas flow rates. The gas mixture of Ar and N2 was an important parameter during sputtering deposition because the metal volume fraction (MVF) was controlled by the N2 gas flow rate. In this study, the crystallinity and surface properties of the CrN/TiN/Al thin films were estimated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and field emission scanning electron microscopy (FESEM). The composition and depth profile of thin films were investigated using Auger electron spectroscopy (AES). The absorptance and reflectance with wavelength spectrum were recorded by UV-Vis-NIR spectrophotometry at a range of 300~1,100 nm.

Organic Nanotube Induced by Photocorrosion of CdS Nanorod

  • Choi, Sung-Won;Yoon, Joong-Ho;An, Myoung-Jin;Chae, Won-Sik;Cho, Hyeon-Mo;Choi, Moon-Gun;Kim, Yong-Rok
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제25권7호
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    • pp.983-985
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    • 2004
  • PMMA-coated CdS nanorod was prepared by encapsulation of CdS nanorod through the polymerization process of PMMA on the surface of CdS nanorod. PMMA organic nanotube was then obtained from the elimination of the CdS nanorod by the photocorrosion. For the photocorrosion reaction of the CdS nanorod, monochromatic light was irradiated to the oxygen-saturated aqueous methyl viologen solution with PMMAcoated CdS nanorod. Photocorrosion reactions of PMMA-coated CdS nanorod were investigated and characterized by utilizing UV-Vis absorption, X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopic (SEM) and transmission electron microscopic (TEM) images.

스크린 인쇄법을 이용한 오실로스코프용 형광막 제조 기술 개발 (The Development of PHosphor Screen Formation For Oscilloscope Using Screen Printing Method)

  • 이미영;김영배;남수용
    • 한국인쇄학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.53-64
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    • 2004
  • The CRT(cathode ray tube) in oscilloscope consists of an electron gun, horizontal vertical deflection system and a phosphor screen. When the electron beam strikes the phosphor screen, the phosphor generates light. The phosphor screen has formed by CRT precipitation method. But, this method has some defects that are complex process, low yield, much consumption of raw-material, dirty working environment, waste problem, require of high cost. Moreover phosphor for oscilloscope used at present has been imported from Japan. Therefore developments of new phosphor and new method(the screen printing) top form phosphor screen for oscilloscope are required to improve these matters. This study was developed novel method(the screen printing) to form the phosphor screen for oscilloscope used new phosphor. This screen printing method has advantages of simple process, high yield, clean working environment, saving raw material and running-cost.

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