• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.473-478
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• 2016

본 논문은 RTP법으로 산화막을 질화시킨 질화산화막으로 MIS 커패시터를 제작하여 avalanche 주입에 따른 캐리어 트랩 특성을 조사하였다. avalanche 주입에 의한 flatband 전압 변화는 두 번의 turn-around가 관찰되었는데 이는 처음 산화막에서 전자 트래핑이 있어나고, 전하 주입에 따라 홀 트래핑에 의한 turn-around 후 다시 전자 트래핑이 일어나는 것을 관찰하였다. 질화 산화막의 캐리어 트랩 파라미터를 결정하기 위하여 실험 결과를 기초로 종류가 다른 여러 트랩을 갖는 계에 대한 캐리어 트래핑을 비교한 결과 실험값과 일치함을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1662-1664
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• 2003

An electron gun system for a nanosecond pulse linac has been built and tested. The gun grid is driven with a grid pulser, which consists of an avalanche transistor pulser and parallel triode amplifier. The amplifier is installed in an end hole of the electron gun and provided for power amplification and polarity change of the output pulses of the avalanche transistor pulser. An output pulse of 200 V and 2 ns FWHM was obtained by using the grid pulser of can type transistors. Measurements with a test bench show that the electron gun can deliver 2ns pulse with with currents larger than 3A.

• 한국진공학회지
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• 제16권6호
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• pp.414-423
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• 2007

FED(Field Emission Display)는 특히 소형, 고품질 평면화면분야에서 종래의 기술들과 뚜렷이 구별되는 이점을 가지고 있다. FED를 실리콘 웨이퍼에 System-on-Chip(SoC)화하는 가능성을 검토하기 위해, 우리는 p-n 접합을 평면 디스플레이의 전자선원(electron beam source)으로 사용할 수 있는지를 실험하였다. Cantilever(외팔보)형 게이트로부터의 전계로 반전층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 새로운 구조를 제조하였다. 약 1 ${\mu}m$ 정도의 높이에 있는 cantilever형 게이트에 220V이상의 전압을 가했을 때 반전층(inversion layer)이 형성되었고, 애벌런치 항복이성공적으로 이루어졌다. 극히 얕은 p-n 접합에서 애벌런치 항복 시 관측되는 전자방출 효과와 그 특성이 비교되었고 실험결과와 향후 연구방향이 논의 되었다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제30권2호
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• pp.69-75
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• 2005

기체전자증폭기(GEM, gas electron multiplier)는 동박이 양면으로 도포된 절연기관에 미세구멍배열을 형성한 박막으로 기존의 기체형 방사선 검출기의 미약한 방사선 신호를 증폭하기 위해 널리 사용되어지고 있다. 미세구멍 내부에 강한 전기장을 형성함으로써 이 내부로 유입되는 전자에 충분한 에너지를 전달, 전자사태를 유도하는 원리를 이용한다. 따라서 GEM의 특성은 GEM을 포함한 방사선 검출기에 인가되는 전압 즉, 전기장의 분포에 의해 결정된다. 따라서 올바르지 못한 전기장의 분포에 대해서는 신호 전자가 수집전극으로 향하지 못하고, GEM의 상 하단의 전극으로 이동, 신호의 손실을 초래할 수도 있다. 본 논문에서는 GEM의 가장 중요한 성능 지표 중 하나인 1차 전자수집효율(primary electron collection efficiency)을 계산하였다. 방사선에 의해 발생된 전자는 전기력선을 따라서만 움직인다는 가정 하에, GEM의 단위 구조에 대해 표류전극에서의 전기력선의 수에 대한 수집전극에서의 전기력선의 수의 비로 전자수집효율을 계산하였다. 전기력선의 계산은 3차원 유한요소법을 이용하여 계산하였다. 본 논문에서 사용한 방법은 가장 이상적인 상황으로 국한되지만, GEM의 설계 및 최적 운전변수 도출에 유용하게 사용될 수 있을 것이다.

• 대한전기학회논문지
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• 제33권3호
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• pp.106-111
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• 1984

Prebreakdown current pulses arising from avalanche growth in SF6 were recorded under static uniform field at pressures up to about 400kpa. At pressures less than 100kpa the current pulses consist of the electron component observed as the fast rise of current, the negative ioncomponent which is superimposed, and the positive ion component comprising the tail of the pulse. The values of positive ion drift velocity were measured from the present pulse data. At pressures in excess of about 100 Kpa the pulse shapes becam distorted such that quantitative analysis was no longer possible, and did not indicate the action of any photosecondary process at the cathode. Breakdown appers to result from the seperate development of single avalanche.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2004년도 추계학술대회
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• pp.1213-1218
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• 2004

The present article reports extensive numerical results on the non-local characteristics of ultra-short pulsed laser-induced breakdowns of fused silica ($SiO_{2}$) by using the multivariate Fokker-Planck equation. The nonlocal type of multivariate Fokker-Planck equation is modeled on the basis of the Boltzmann transport formalism to describe the ultra-short pulsed laser-induced damage phenomena in the energy-position space, together with avalanche ionization, three-body recombination, and multiphoton ionization. Effects of electron avalanche, recombination, and multiphoton ionization on the electronic transport are examined. From the results, it is observed that the recombination becomes prominent and contributes to reduce substantially the rate of increase in electron number density when the electron density exceeds a certain threshold. With very intense laser irradiation, a strong absorption of laser energy takes place and an initially transparent solid is converted to a metallic state, well known as laser-induced breakdown. It is also found that full ionization is provided at intensities above threshold, all further laser energy is deposited within a thin skin depth.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.299-302
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• 2001

In this study, we are studied the electrical conduction and dielectric breakdown properties of insulating varnish. In order to analyze the molecular structure and physical properties of insulating varnishs, FT-lR was used. As the result, it can be confirmed that the peak of alcoholic group appeared in wavenumbers 3452[cm$\^$-1], the peak of =CH appeared in 3080[cm$\^$-1] and the peak of -CH appeared in 2919[cm$\^$-1] respectively. The following results were obtained from electrical properties of insulating varnish. The amplitude of current density was decreased by thickness increasing and the current density was effected by the thermal energy from external due to temperature increasing. In study temperature dependence of dielectric strength, the specimen of 10[$\mu\textrm{m}$] thickness was measurement from room temperature to 180[$^{\circ}C$]. It is confirmed that the temperature regions below 60[$^{\circ}C$] is due to electron avalanche breakdown and the temperature regions over 60[$^{\circ}C$] is due to free volume breakdown which makes electron movements easy.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2001년도 춘계학술발표회요약집
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• pp.408-408
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• 2001

• 한국화재소방학회논문지
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• 제33권2호
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• pp.30-38
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• 2019

전기 화재의 주요 원인 중 하나인 트래킹은 전기적 방전에 의한 물리적 현상으로 인식된다. 따라서 트래킹은 전계해석, 전자생성에 의한 도전성 경로, 기체방전이론을 기반으로 설명되어야 한다. 하지만, 이러한 사항을 반영한 연구논문은 드물다. 본 논문은 트래킹 진전에서 그들의 영향을 포함한 트래킹 진전 메커니즘을 제안하였다. 그 메커니즘의 제안을 위해, 트래킹 실험, 탄화진전 모델에 대한 전계해석, 연면방전 이론을 적용한 트래킹 진전과정에 대한 설명이 수행되었다. 트래킹 모의실험으로부터, 코로나 방전에서 트래킹 파괴까지 트래킹 진전의 각 단계에서 전류파형이 측정되었다. 전계해석은 탄화의 발생과 진전과정동안 건조대 표면의 전계와 전자생성을 위한 고전계 영역을 파악하기 위해 수행되었다. 본 논문에서 제안된 트래킹 메커니즘은 코로나 방전에 의한 전자사태, 양이온의 축적, 전자사태의 확장, 2차 전자사태, 스트리머, 도전성 경로에 의한 트래킹 파괴의 6단계로 구성된다. 트래킹 모의실험에서 측정된 펄스성 전류파형은 제안된 트래킹 메커니즘에 의해 설명될 수 있었다. 본 연구 결과는 화재의 원인인 트래킹을 검출하고, 내트래킹성을 높이는 데 필요한 기술 자료가 될 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권3호
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• pp.169-172
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• 2020

In this paper, the effect of hot carrier injection on an n-bulk fin field-effect transistor (FinFET) is analyzed. The hot carrier injection method is applied to determine the performance change after injection in two ways, channel hot electron (CHE) and drain avalanche hot carrier (DAHC), which have the greatest effect at room temperature. The optimum condition for CHE injection is V_G=V_D, and the optimal condition for DAHC injection can be indirectly confirmed by measuring the peak value of the substrate current. Deterioration by DAHC injection affects not only hot electrons formed by impact ionization, but also hot holes, which has a greater impact on reliability than CHE. Further, we test the amount of drain voltage that can be withstood, and extracted the lifetime of the device. Under CHE injection conditions, the drain voltage was able to maintain a lifetime of more than 10 years at a maximum of 1.25 V, while DAHC was able to achieve a lifetime exceeding 10 years at a 1.05-V drain voltage, which is 0.2 V lower than that of CHE injection conditions.