Ni thin films on the p-InP (In) substrates were grown at room temperature by using the ion beam-assisted deposition. In order to determine the work function of the Ni thin films, the $\gamma$values were measured as functions of the acceleration voltages by using Ne, Ar, $N_2$. and Xe ion sources. The dependences of the values on various gases and on the acceleration voltages of the focused ion beam were obtained to determine the work function of the Ni thin films. The value of the work function of the Ni thin films grown on the p-InP (100) substrate was 5.8 eV ~ 5.85 eV. These results provide important information on the electronic properties of Ni thin films grown on p-InP (100) substrates at room temperature.
Ion shower doping with a main ion source of $P_2H_x$ using a source gas mixture of $PH_3/H_2$ was conducted on excimer-laser-annealed (ELA) poly-Si.The crystallinity of the as-implanted samples was measured using a UV-transmittance. The measured value using UV-transmittance was found to correlate well with the one measured using Raman Spectroscopy. The sheet resistance decreases as the acceleration voltage increases from 1kV to 15kV at the moderate doping conditions. It, however, increases as the acceleration voltage increases under the severe doping conditions. The reduction in carrier concentration due to electron trapping at uncured damage after activation annealing seems to be responsible for the rise in sheet resistance. Three different annealing methods were investigated in terms of dopant-activation and damage-recovery, such as furnace annealing, excimer laser annealing, and rapid thermal annealing, respectively.
Sharbidre, Rakesh Sadanand;Park, Se Min;Lee, Chang Jun;Park, Byong Chon;Hong, Seong-Gu;Bramhe, Sachin;Yun, Gyeong Yeol;Ryu, Jae-Kyung;Kim, Taik Nam
Korean Journal of Materials Research
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v.27
no.12
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pp.705-709
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2017
The electronic and optical characteristics of molybdenum disulphide ($MoS_2$) film significantly vary with its thickness, and thus a rapid and accurate estimation of the number of $MoS_2$ layers is critical in practical applications as well as in basic researches. Various existing methods are currently available for the thickness measurement, but each has drawbacks. Transmission electron microscopy allows actual counting of the $MoS_2$ layers, but is very complicated and requires destructive processing of the sample to the point where it will no longer be useable after characterization. Atomic force microscopy, particularly when operated in the tapping mode, is likewise time-consuming and suffers from certain anomalies caused by an improperly chosen set point, that is, free amplitude in air for the cantilever. Raman spectroscopy is a quick characterization method for identifying one to a few layers, but the laser irradiation causes structural degradation of the $MoS_2$. Optical microscopy works only when $MoS_2$ is on a silicon substrate covered with $SiO_2$ of 100~300 nm thickness. The last two optical methods are commonly limited in resolution to the micrometer range due to the diffraction limits of light. We report here a method of measuring the distribution of the number of $MoS_2$ layers using a low voltage field emission electron microscope with acceleration voltages no greater than 1 kV. We found a linear relationship between the FESEM contrast and the number of $MoS_2$ layers. This method can be used to characterize $MoS_2$ samples at nanometer-level spatial resolution, which is below the limits of other methods.
Nitrate contamination of water environments can create serious problems such as eutrophication of rivers. Conventional biological processes for nitrate removal by heterotrophic denitrification often need additional organic substrates as carbon sources and electron donors. We tried to accelerate biological denitrification by using bioelectrochemical reactor (BER) in which electrode works as an electron donor. Denitrification activity of 8 environmental samples from various sediments, soils, groundwaters, and sludges were tested to establish an efficient enrichment culture for BER. The established enrichment culture from a soil sample showed stable denitrification activity without any nitrite accumulation. Microbial community analysis by using PCR-DGGE method revealed that dominant denitrifiers in the enrichment culture were Pantoea sp., Cronobacter sakazakii, and Castellaniella defragrans. Denitrification rate ($0.08kg/m^3{\cdot}day$) of the enrichment culture in BER with electrode poised at -0.5 V (vs Ag/AgCl) was higher than that ($2.1{\times}10^{-2}kg/m^3{\cdot}day$) of BER without any poised potential. This results suggested that biological denitrification would be improved by supplying potential throughout electrode in BER. Further research using BER without any organic substrate addition is needed to apply this system for bioremediation of water and wastewater contaminated by nitrate.
Using the spectral data in the 3700 to $10050{\AA}$ wavelength range secured with the Hamilton Echelle Spectrograph (HES) at the Lick observatory, we have investigated the expansion velocities and the physical conditions of the elliptical planetary nebula NGC 6803. Various forbidden and permitted lines, e.g. HI, HeI, HeII, [OIII], [NII], [ArIII], and [SII], indicate complicated but systematic physical conditions variation: electron temperatures $T_{\varepsilon}\;{\sim}\;9000$ - 11000 K and electron number densities $N_{\varepsilon}\;{\sim}\;2000$ - $9000\;cm^{-3}$. The line profile analysis of these ions also indicates the systematic change or the acceleration of the expansion velocities in the range of 10 - $22\;km\;s^{-1}$. We show that the velocity gradient and physical condition found in various ions are closely related to the prolate ellipsoidal structure of NGC 6803. The expansion velocity and the ionic abundance of $O^{2+}$ were derived based on the OII and [OIII] lines. In spite of the discrepancy of ionic abundances derived by the two cases and their line profiles, the expansion velocities of them agree well. We find that the ratios of the red to blue line component of the HeII & OII lines are different from those of the [OIII] or other forbidden lines that indicates a possible involvement of emission of HeII & OII lines. This subtle difference and the different physical condition of the lines are likely to be caused by the elongated geometry and the latitude dependence of the emission zone.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.25
no.4
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pp.134-139
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2008
A spirally arrayed nano-pattern is designed as a model pattern for the next generation optical storage media. The pattern consists off types of embossed rectangular dot, which are 50nm, 100nm, 150nm and 200nm in length and 50nm in width. The height of the dot is designed to be 50nm. The pitch of the spiral track of the pattern is 100nm. A ER(Electron resist) master for this pattern is fabricated by e-beam lithography process. The ER is first spin-coated to be 50nm thick on a Si wafer and then the model pattern is written on the coated ER layer by e-beam. After developing this pattern written wafer in the solution, a ER pattern master is fabricated. The most conventional e-beam machine can write patterns in orthogonal way, so we made our own pattern generator which can write the pattern in circular or spiral way. This program generates the patterns to be compatible with the e-beam machine from Raith(Raith 150). To fabricate 50nm pattern master precisely, a series of experiments were done including the design compensation for the pattern size, optimization of the dose, acceleration voltage, aperture size and developing. Through these experiments, we conclude that the higher accelerating voltages and smaller aperture size are better for mastering the nano pattern which is in order of 50nm. With the optimized e-beam lithography process, a spiral arrayed 50nm pattern master adopting PMMA resist was fabricated to have dimensional accuracy over 95% compared to the designed. Using this pattern master, a metal pattern stamp will be fabricated by Ni electro plating for injection molding of the patterned plastic substrate.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2001.10a
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pp.724-728
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2001
In this study, the dielectric breakdown of epoxy composites used for transformers was experimented and then its data were simulated by Weibull distribution probability. The dielectric breakdown characteristics origin in epoxy composites were examined and various effects of dielectric breakdown on epoxy composites were also discussed. As a result, first of all, speaking of dielectric breakdown properties, the more hardener increased the stronger breakdown strength at low temperature because of cross-linked density by the virtue of ester radical. And the breakdown strength of specimens with filler was lower than it of non-filler specimens because it is believed that the adding filler forms interface and charge is accumulated in it, therefore the molecular motility is raised, the electric field is concentrated, and the acceleration of electron and the growth of electron avalanche are early accomplished. In the case of filled specimens with treating silane, the breakdown strength become much higher since this suggests that silane coupling agent improves interfacial combination and relaxs electric field concentration. Finally, from the analysis of weibull distribution, it was confirmed that as the allowed breakdown probability was given by 0.1%, the applied field value needed to be under 21.5㎹/cm.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2002.11a
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pp.779-783
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2002
The dielectric breakdown of epoxy composites used for transformers was experimented and then its data were simulated by Weibull distribution probability. As a result, first of all, speaking of dielectric breakdown properties, the more hardener increased the stronger breakdown strength at low temperature because of cross-linked density by the virtue of ester radical. And the breakdown strength of specimens with filler was lower than it of non-filler specimens because it is believed that the adding filler forms interface and charge is accumulated in it, therefore the molecular motility is raised, the electric field is concentrated, and the acceleration of electron and the growth of electron avalanche are early accomplished. In the case of filled specimens with treating silane, the breakdown strength become much higher since this suggests that silane coupling agent improves interfacial combination and relaxs electric field concentration. Finally, from the analysis of weibull distribution, it was confirmed that as the allowed breakdown probability was given by 0.1%, the applied field value needed to be under 21.5MVcm.
Purpose: The current gold standard for clinical jawbone formation involves autogenous bone as a graft material. In addition, demineralized dentin can be an effective graft material. Although demineralized dentin readily induces heterotopic bone formation, conventional decalcification takes three to five days, so, immediate bone grafting after extraction is impossible. This study evaluated the effect of vacuum ultrasonic power on the demineralization and processing of autogenous tooth material and documented the clinical results of rapidly processed autogenous demineralized dentin (ADD) in an alveolar defects patient. Methods: The method involves the demineralization of extracted teeth with detached soft tissues and pulp in 0.6 N HCl for 90 minutes using a heat controlled vacuum-ultrasonic accelerator. The characteristics of processed teeth were evaluated by scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). Bone grafting using ADD was performed for narrow ridges augmentation in the mandibular area. Results: The new processing method was completed within two hours regardless of form (powder or block). EDS and SEM uniformly demineralized autotooth biomaterial. After six months, bone remodeling was observed in augmented sites and histological examination showed that ADD particles were well united with new bone. No unusual complications were encountered. Conclusion: This study demonstrates the possibility of preparing autogenous tooth graft materials within two hours, allowing immediate one-day grafting after extraction.
Le, X.Y.;Yan, S.;Zhao, W.J.;Han, B.H.;Wang, Y.G.;Xue, J.M.;Zhang, H.T.
Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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v.6
no.2
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pp.92-96
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2002
In this paper, we treated the Ni$_3$Al based alloy samples with intense pulsed ion beams (IPIB) at the beam parameters of 250KV acceleration voltage, 100 - 200 A/cm$^2$ current density and 60 u pulse duration. We simulated the thermal-mechanical process near the surface of Ni$_3$Al based alloy with our STEIPIB codes. The surface morphology and the cross-section microstructures of samples were observed with SEM, the composition of the sample surface layer was determined by X-ray Energy Dispersive Spectrometry (XEDS) and the microstructure on the surface was observed by Transmission Electron Microscope (TEM). The results show that heating rate increases with the current density of IPIB and cooling rate reached highest value less than 150 A/cm$^2$. The irradiation of IPIB induced the segregation of Mo and adequate beam parameter can improve anti-oxidation properly of IC6 alloy. Some craters come from extraneous debris and liquid droplets, and some maybe due to the melting of the intersection region of interphase. Increasing the pulse number enlarges average size of craters and decreases number density of craters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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