In this paper, the electrical conduction, breakdown strength and dielectric properties were investigated in the interfaces of PET films. The volume resistivity and breakdown strength were decreased; especially the specimens with semiconductive layer showed the lowest breakdown strength. This decrease of electrical properties was appeared by increasing charge density in inhomogeneous layer of PET. The dielectric properties of PET did not show significant difference with PET/PET but the films with semiconductive interface layer showed the increase in capacitance and $tan\delta$ was affected by the PET rather than semiconductive layer. It is assumed that the variation of $tan\delta$ was affected by the dielectric polarization and the leakage current(charge).
In electrical impedance tomography(EIT), various image reconstruction algorithms have been used in order to compute the internal resistivity distribution of the unknown object with its electric potential data at the boundary. Mathematically the EIT image reconstruction algorithm is a nonlinear ill-posed inverse problem. This paper presents a simulated annealing technique as a statistical reconstruction algorithm for the solution of the static EIT inverse problem. Computer simulations with the 32 channels synthetic data show that the spatial resolution of reconstructed images by the proposed scheme is improved as compared to that of the mNR algorithm or genetic algorithm at the expense of increased computational burden.
We evaluated the electric properties of Bi-2223 jointed tapes processed by both resistive-and superconducting-joint methods. For resistive-joint. filler materials of wood metal Pb/Sn. In and silver paste were used whereas for superconductive-joint lap joint method was used. In the resistive joint tape. critical transport property(CCR) n-value and contact resistance were observed to be in the range of 10-85% 1-8,9. and 0.71x10$\^$-6/-0.13x10$\^$-6/Ω, respectively. depending on their filler materials. Specifically it is believed that the electrical properties of resistive joint tape are significantly related to the resistivity of filler materials. On the other hand the CCR of superconductin joint type was varied 55 to 85% with uniaxial pressure probably due to the irregular microstructure in the transition region.
The purpose of this study is to manufacture and test a thermoelectric generator which converts unused energy from close-at-hand sources, such as garbage incineration heat and industrial exhaust, to electricity. A manufacturing process and the properties of a thermoelectric generator are discussed before simulating the thermal stress and thermal properties of a thermoelectric module located between an aluminum tube and alumina plate. We can design the thermoelectric modules having the good properties of thermoelectric generation. Resistivity of thermoelectric module for thermoelectric generation consisting of 62 cells was 0.15-0.4$\Omega$ Developed thermoelectric modules can be expected th have better properties than thermoelectric cooling modules above $70^{\circ}C$ in temperature difference between hot and cold ends.
Corrosion of metallic structures arises when an electric current flows from the metal into the electrolyte such as soil and water. The potential difference across the metal-electrolyte interface, the driving force for the corrosion current, can emerge due to a variety of temperature, pH, humidity and resistivity etc.. With respect to a given structure, a stray current is to be defined as a current flowing on a structure that is not part of the intended electrical circuit. Stray currents are caused by other cathodic protection installations, grounding systems and welding posts, referred to as steady state stray currents. But most often traction systems like railroads and tramlines are responsible for large dynamic stray currents. This type of stray current is generally results from the leakage of return currents from large DC traction systems that are grounded or have a bad earth-insulated return path. This paper investigates the reports, which is made for protecting the electrical corrosion by the DC traction stray current before the construction period.
층상대지속에 있는 3차원 물체에 의한 지자기 지전류 (MT)응답을 계산하기 위하여 적분방정식을 이용한 수치모델링법을 개발하였다. 이 방법에서는 3차원 이상체를 몇 개의 세포로 분할하여 펄스기조함수로 근사할 수 있는 전류분포로 치환한다. 층상대지를 표현하는 전기 텐서그린함수를 쓰면 행렬방정식을 유도할 수 있으며 이를 각 세포의 벡터전류에 대하여 푼다. 결국 미지의 산란장은 산란전류에 관한 전기 및 자기 텐서그린함수를 적분함으로써 얻어진다. 지표면 근처에 3차원 전도성물체가 존재할 때 2차원의 TE모드 모델링으로는 깊은 곳에 가짜의 저 비저항을 가정해야 한다. 이는 TE모드 모델링에서는 경계면 전하의 영향을 고려할 수 없기 때문이다. 그러나 긴 3차원 직방체의 가운데를 가로지르는 단연은 2차원 TM모드 아르고리즘으로 정확히 모델화할 수 있으며, 이는 정식화과정에서 경계면 전하가 고려되어 있기 때문이다. 다중 주파수에 관한 수치계산 결과 겉보기 비저항과 위상은 상호보완적인 변수라는 것이 밝혀졌다. 따라서 이들 변수는 주파수영역 MT 해석시 함께 취급되는 것이 바람직하다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제10권4호
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pp.131-134
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2009
The electrical properties and the microstructure of nitrogen-doped poly 3C-SiC films used for micro thermal sensors were studied according to different thicknesses. Poly 3C-SiC films were deposited by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) at $900^{\circ}C$ with a pressure of 4 torr using $SiH_2Cl_2$ (100%, 35 sccm) and $C_2H_2$ (5% in $H_2$, 180 sccm) as the Si and C precursors, and $NH_3$ (5% in $H_2$, 64 sccm) as the dopant source gas. The resistivity of the poly SiC films with a 1,530 ${\AA}$ thickness was 32.7 ${\Omega}-cm$ and decreased to 0.0129 ${\Omega}-cm$ at 16,963 ${\AA}$. The measurement of the resistance variations at different thicknesses were carried out within the $25^{\circ}C$ to $350^{\circ}C$ temperature range. While the size of the resistance variation decreased when the films thickness increased, the linearity of the resistance variation improved. Micro heaters and RTD sensors were fabricated on a $Si_3N_4$ membrane by using poly 3C-SiC with a 1um thickness using a surface MEMS process. The heating temperature of the SiC micro heater, fabricated on 250 ${\mu}m$${\times}$250 ${\mu}m$$Si_3N_4$ membrane was $410^{\circ}C$ at an 80 mW input power. These 3C-SiC heaters and RTD sensors, fabricated by surface MEMS, have a low power consumption and deliver a good long term stability for the various thermal sensors requiring thermal stability.
탄화보드의 실용화를 위한 기초연구로 중밀도섬유판, 파티클보드, 합판 및 물푸레나무 목재를 $400{\sim}1,100^{\circ}C$로 탄화하여 탄화온도에 따른 열전도율 및 전기적 성질을 측정하였다. 열전도율은 탄화 파티클보드의 탄화온도가 $900^{\circ}C$일 때 0.1326 m/k로 가장 우수하였으며, 전반적으로 탄화보드의 밀도가 클수록 열전도율이 빨랐다. 비저항값은 탄화온도가 높을수록 감소하여 탄화온도 $1,000^{\circ}C$ 이후에는 거의 도체에 가까운 값을 나타냈다. 높은 전압으로 탄화보드에 전기를 통했을 때 전류와 전력은 증가하였으며 표면온도가 높았다.
Bushing is the key link to connect outer and inner insulating systems and also the essential electric accessory in electric power system, especially in the high voltage engineering (AC 1000kV, DC 800kV). This paper presented the experimental research of thermal aging characteristic of oil-paper insulation used in bushing. A thermally accelerated aging experiment at 90℃ was performed. The bushing models containing five layers of paper were sealed into the aging vessels and further aged for 250 days. Then several important parameters associated with the aging were observed and evaluated. The results showed that the degree of polymerization (DP) of papers gradually decreased. The DP values of outermost layer and middle layer fit well into the second-order kinematic model and first-order kinematic model, respectively. Less deterioration speed of the inter-layer paper than outer layer was confirmed by the variation of DP. Hydrolysis was considered as the main cause to this phenomenon. In addition, the logarithm of the furfural concentrations in insulation oil was found to have good linear relationship with DP of papers. Interestingly, when the aging time is about 250 days and DP is 419, the aging process reaches an inflection point at which the DP approaches the leveling off degree of polymerization (LODP) value. Both tanδ and acid number of oils increased, while surface and volume resistivity of papers decreased. The obtained results demonstrated that thermal aging and moisture absorbed in papers brought great influence to the degradation of insulating paper, leading to rapid decrease of DP and increase of the tanδ. Thus, the bushing should be avoided from damp and real-time monitoring to the variation of tanδ and DP values of paper is an effective way to evaluate the insulation status of bushing.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권1호
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pp.7-11
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2006
The changes of the electrical conductivity in chalcogenide amorphous semiconductors, $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$, have been studied. A phase change random access memory (PRAM) device without an access transistor is successfully fabricated with the $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$-phase-change resistor, which has much higher electrical resistivity than $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}$ and its electric resistivity can be varied by the factor of $10^5$ times, relating with the degree of crystallization. 100 nm thick $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ thin film was formed by vacuum deposition at $1.5{\times}10^{-5}$ Torr. The static mode switching (DC test) is tested for the $100\;{\mu}m-sized$$Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ PRAM device. In the first sweep, the amorphous $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ thin film showed a high resistance state at low voltage region. However, when it reached to the threshold voltage, $V_{th}$, the electrical resistance of device was drastically reduced through the formation of an electrically conducting path. The pulsed mode switching of the $20{\mu}m-sized$$Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ PRAM device showed that the reset of device was done with a 80 ns-8.6 V pulse and the set of device was done with a 200 ns-4.3 V pulse.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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