• 제목/요약/키워드: diode structure

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Bypass Heat Sink Analysis for a Laser Diode Bar with a Top Canopy

  • Ji, Byeong-Gwan;Lee, Seung-Gol;Park, Se-Geun;O, Beom-Hoan
    • Current Optics and Photonics
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    • 제1권2호
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    • pp.113-117
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    • 2017
  • With the increasing use of high-power laser diode bars (LDBs) and stacked LDBs, the issue of thermal control has become critical, as temperature is related to device efficiency and lifetime, as well as to beam quality. To improve the thermal resistance of an LDB set, we propose and analyze a bypass heat sink with a top canopy structure for an LDB set, instead of adopting a thick submount. The thermal bypassing in the top-canopy structure is efficient, as it avoids the cross-sectional thermal saturation that may exist in a thick submount. The efficient thickness range of the submount in a typical LDB set is guided by the thermal resistance as a function of thickness, and the simulated bypassing efficiency of a canopy is higher than a simple analytical prediction, especially for thinner canopies.

Y형태의 급전 구조를 이용한 편파 변환 재구성 패치 안테나 (Reconfigurable Polarization Patch Antenna with Y-Shaped Feed)

  • 이다애;성영제
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권1호
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    • pp.1-9
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    • 2014
  • 본 논문에서는 Y자 형태의 급전 구조를 사용한 두 개의 편파 변환 재구성 패치 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 정사각형 형태의 패치, Y자 형태의 급전 구조, 하나의 핀 다이오드, 다이오드를 동작시킬 DC bias 회로로 구성되어 있다. 구조적인 대칭/비대칭은 두 갈래로 갈라지는 Y자 형태의 급전부 왼쪽 라인에 삽입된 핀 다이오드의 on/off 상태에 의해 결정된다. 제안된 재구성 안테나는 핀 다이오드가 on 상태이면 급전부의 갈라지는 두 마이크로스트립 라인의 길이가 같아지게 되어 안테나는 선형 편파 특성을 나타낸다. 반면에, 핀 다이오드가 off 상태이면 급전부의 갈라지는 두 마이크로스트립 라인 중 한 쪽 라인의 길이가 나머지 한 쪽 라인의 길이보다 상대적으로 짧아지게 된다. 그러므로 안테나는 원형 편파 특성을 나타낸다. 측정 결과로부터 제안된 안테나는 좋은 임피던스 매칭과 축비 특성을 나타내며, 같은 주파수 대역에서 쉽게 편파 변환할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.

Laser diode 의 구조가 광출력의 비선형적 특성에 미치는 영향 해석 (Influence of laser diode structure on harmonic and intermodulation distortion characteristics)

  • 김동욱
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1999년도 제16회 광학 및 양자전자 학술발표회Proceedings of 16th Optics and Quantum Electronics Conference, 1999
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    • pp.222-223
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    • 1999
  • The structural dependence of harmonic and intermodulation distortion characteristics in 1.55${\mu}{\textrm}{m}$ DFB-LCD were investigated. The linearity of 1.55${\mu}{\textrm}{m}$ DFB-LD was greatly improved by employing a partially corrugated structure.

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전면 유기발광 다이오드 기능층 캐핑레이어 적용에 따른 효율상승에 관한 연구 (A Study on the Efficiency Effects of Capping Layer on the Top Emission Organic Light Emitting Diode)

  • 이동운;조의식;전용민;권상직
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제21권3호
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    • pp.119-124
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    • 2022
  • Top emission organic light-emitting diode (TEOLED) is commonly used because of high efficiency and good color purity than bottom - emission organic light-emitting device (BEOLED). Unlike BEOLED, TEOLED contain semitransparent metal cathode and capping layer. Because there are many characteristics to consider just simple thickness change, optimizing organic thickness of TEOLED for microcavity is difficult. So, in this study, we optimized Device capping layer at unoptimized micro-cavity structure TEOLED device. And we compare only capping layer with unoptimized microcavity structure can overcome optimized micro-cavity structure device. We used previous our optimized micro-cavity structure to compare each other. As a result, it has been found that the efficiency can be obtained almost the same or higher only capping layer, which is stacked on top of the device and controls only the thickness and refractive index, without complicated structural calculations. This means that higher efficiencies can be obtained more easily in laboratories with limited organic materials or when optimizing new structures etc.

P형 GaN 중간층이 삽입된 녹색 발광다이오드 특성 평가 (Evaluation of green light Emitting diode with p-type GaN interlayer)

  • 김은진;김지민;장수환
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제54권2호
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    • pp.274-277
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    • 2016
  • 녹색 발광다이오드의 다양자우물층과 전자막이층 사이에 p형 중간층 삽입이 소자의 특성에 미치는 영향이 소자 시뮬레이션을 통하여 연구되었다. 중간층의 Mg 도핑 깊이에 따른 발광다이오드의 전류-전압, 발광파장, 누설전류, 광효율 특성이 분석되었으며 최적의 발광 특성을 나타내는 소자 구조가 제시되었다. 중간층 전 영역이 p형으로 도핑된 구조와 30 nm까지 도핑된 구조는 누설전류 억제를 통하여 녹색 발광다이오드의 가장 큰 문제점 중에 하나인 효율 드룹 현상을 효과적으로 완화하였다. 특히, 30 nm까지 도핑된 구조는 전류-전압 및 발광 특성에 있어서 가장 향상된 결과를 보였다.

Structure Optimization of ESD Diodes for Input Protection of CMOS RF ICs

  • Choi, Jin-Young
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제17권3호
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    • pp.401-410
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    • 2017
  • In this work, we show that the excessive lattice heating problem due to parasitic pnp transistor action in the diode electrostatic discharge (ESD) protection device in the diode input protection circuit, which is favorably used in CMOS RF ICs, can be solved by adopting a symmetrical cathode structure. To explain how the recipe works, we construct an equivalent circuit for input human-body model (HBM) test environment of a CMOS chip equipped with the diode protection circuit, and execute mixed-mode transient simulations utilizing a 2-dimensional device simulator. We attempt an in-depth comparison study by varying device structures to suggest valuable design guidelines in designing the protection diodes connected to the $V_{DD}$ and $V_{SS}$ buses. Even though this work is based on mixed-mode simulations utilizing device and circuit simulators, the analysis given in this work clearly explain the mechanism involved, which cannot be done by measurements.

Fabrication of Novel Thin Film Diode with Multi-step Anodic Oxidation and Post Heat-treatment

  • Hong, Sung-Jei;Lee, Chan-Jae;Moon, Dae-Gyu;Kim, Won-Keun;Han, Jeong-In
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제3권4호
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    • pp.27-31
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    • 2002
  • Thin film diode with reliable interfacial structure was fabricated by using multi-step anodic oxidation. The thickness of the oxide layer was preciously controlled with anodic voltage. Also, interfacial structure between oxide layer and top electrode was improved by applying post heat-treatment. The thin film diode showed symmetric and stable I-V characteristics after the post heat-treatment.

Beam-Lead를 이용한 Laser Diode의 제작과 열저항 특성 (Fabrication of Laser Diodes using Beam-Lead and its thermal characteristics)

  • 조성대
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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    • pp.69-72
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    • 1990
  • For the effective heat transfering in Lser Diodes, Beam-Lead structure were introduced which is applicable to hybrid Optoelectronic Integrated Circuits. A 5-layer planar structure Laser Diode is fabricated and Beam-Lead is made by Au plating. And carrier was made by etching Si substrate and LD was mounted on a carrier. The thermal resistance was measured and we could certain that Beam-Lead structure behaves well as a heat sink.

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High quality tubular field emission lamp using a wire type carbon-nano-structure emitter (CNX)

  • Hiraki, Hirohisa;Harazono, Hideki;Onozawa, Takuya;Nakamoto, Masayuki;Hiraki, Akio
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.1591-1593
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    • 2008
  • The tubular field emission lamp (FEL) was developed using a wire type carbon-nano-structure emitter called CNX The luminous efficiency of the tubular FEL (diode type, diameter: ${\varphi}15.5mm$, length: 200mm) has already achieved around 45lm/W and we expect to achieve over 60lm/W within the year.

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추출격자 분포 브래그 반사기가 집적된 광대역 파장가변 추출격자 분포 궤환 레이저 다이오드 (A widely tunable sampled-grating distributed feedback laser diode integrated with sampled-grating distributed bragg reflector)

  • 김수현;정영철
    • 한국광학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.369-374
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    • 2004
  • 본 논문에서는 새로운 구조의 파장가변 레이저 다이오드를 제안하였다. 제안된 레이저 다이오드는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드와 추출격자 분포 브래그 반사기가 집적된 구조로 되어 있다. 제안된 레이저 다이오드는 특정한 구조에서 27 nm정도의 광대역 파장가변이 가능함을 수치해석을 통해 확인하였다. 또한 이득영역에서 생성된 광파를 다른 수동영역을 거치지 않고 직접 광섬유에 결합시킬 수 있는 구조로 광효율이 기존의 레이저 다이오드에 비해 우수함을 확인하였다.